D5-P4320: Intels QLC-SSD ist auf 1.600 Schreibzyklen ausgelegt

Michael Günsch
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D5-P4320: Intels QLC-SSD ist auf 1.600 Schreibzyklen ausgelegt
Bild: Micron

Intel hat Details zur ersten Data-Center-SSD mit QLC-NAND verraten. Die D5-P4320 soll 7,68 TB Speicherplatz im 2,5-Zoll-Gehäuse bieten. Über den U.2-Anschluss sollen 3.200 MB/s lesend und 1.000 MB/s schreibend erreicht werden. Neue SATA-Modelle der D3-Serie mit TLC-NAND wurden ebenfalls vorgestellt.

Intel SSD D5-P4320 zunächst „nur“ mit 7,68 TB

Mit 7,68 TB Speicherplatz im 15 mm hohen Gehäuse läutet die Intel SSD D5-P4320 trotz der 1-Terabit-QLC-Chips noch keine neue Ära in puncto Speicherdichte ein. Dies lässt sich nämlich auch problemlos mit herkömmlichem TLC-NAND bewerkstelligen. Allerdings sollen später Modelle mit 20 TB und vielleicht noch mehr folgen.

Schnell beim Lesen, langsam beim Schreiben

Die Leistungswerte beim Lesen sind mit bis zu 3.200 MB/s und 427.000 IOPS relativ hoch. Beim Schreiben sollen dagegen nur 1.000 MB/s und 36.000 IOPS möglich sein. Dies weist darauf hin, dass Intel auf einen Pseudo-SLC-Cache als Schreibpuffer verzichtet.

Intel SSD D5-P4320 mit QLC-NAND
Intel SSD D5-P4320 mit QLC-NAND (Bild: AnandTech)

In puncto Schreibrate und Haltbarkeit ist QLC den vorherigen Speichergenerationen unterlegen. Das Speichern von 4 Bit pro Zelle erfordert 16 Spannungslevel, was den Schreibvorgang komplexer und entsprechend langsam gestaltet. Zudem ist eine leistungsstarke Fehlerkorrektur nötig, mit der die Haltbarkeit von QLC-Flash auf ein erträgliches Maß gehoben werden kann.

1.600 Schreibzyklen sind mehr als erwartet

Für das ständige Schreiben großer Datenmengen ist Intels erste QLC-SSD für Server aber erwartungsgemäß nicht ausgelegt. Die garantierte Mindestschreibmenge wird mit 0,9 Füllungen (Drive Writes Per Day) beim sequenziellen Schreiben angegeben. Für zufälliges Schreiben mit entsprechendem Einfluss durch die Write Amplification werden nur 0,2 DWPD genannt. Im Garantiezeitraum von fünf Jahren bedeutet dies immer noch 12,6 Petabyte TBW für sequenzielles und 2,8 PB TBW für zufälliges Schreiben.

Speicherdichte und Schreibzyklen von SLC bis QLC
Speicherdichte und Schreibzyklen von SLC bis QLC (Bild: Micron)

Da beim sequenziellen Schreiben keine Write Amplification stattfindet, lässt sich dieser Wert direkt in etwa 1.600 Schreibzyklen (P/E Cycles) für den QLC-NAND umrechnen. Dies ist mehr als die von Micron genannten 1.000 P/E-Zyklen. Allerdings legen sich die Hersteller ohnehin ungern auf bestimmte Werte fest, die sowieso nur als Richtwerte gelten.

Neues Namensschema und neue SATA-SSDs mit TLC-NAND

Im Zuge der Einführung des ersten QLC-Modells hat Intel das Namensschema für die Data-Center-SSDs angepasst. Die D1 Series steht für Einsteigermodelle mit PCIe/SATA, die D3 Series für Legacy SATA, die D5 Series für besagte QLC-SSDs mit Fokus auf viel Speicherplatz und die D7 Series für NVMe-SSDs mit besserer Eignung für gemischtes Lesen und Schreiben sowie höherer Haltbarkeit. Die Optane-SSDs der DC Series bilden mit ihrem schnellen aber teurem 3D-XPoint-Speicher weiterhin die Leistungsspitze.

Intels neues Namensschema für Data Center SSDs
Intels neues Namensschema für Data Center SSDs (Bild: Intel (via AnandTech))

Intel hat die neue D3-Serie mit den Modellen D3-S4510 und D3-S4610 gestartet. Dabei handelt es sich um SATA-SSDs mit TLC-3D-NAND und 240 GB bis 3,84 TB Speicherplatz im 7 mm flachen 2,5-Zoll-Gehäuse.

Intel D3-S4510 und D3-S4610 mit TLC-NAND
Intel D3-S4510 und D3-S4610 mit TLC-NAND (Bild: AnandTech)
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