Macronix: Zeitplan für 96-Layer-3D-NAND aus Taiwan

Michael Günsch 8 Kommentare
Macronix: Zeitplan für 96-Layer-3D-NAND aus Taiwan
Bild: Macronix

3D-NAND aus Taiwan: Laut örtlichen Medien will Macronix ab Ende 2020 NAND-Flash-Speicher mit 96 Zellschichten (96 Layer) herstellen. Der Neueinsteiger im 3D-NAND-Geschäft plane Speicherchips mit 128 Gbit und 256 Gbit im 48- und 96-Layer-Design.

Bisher ist Macronix eher für NOR-Flash sowie NAND-Flash mit geringer Speicherkapazität für Nischenmärkte bekannt. Im vergangenen Jahr hatte das 1989 im Science Park, Hsinchu, Taiwan gegründete Unternehmen aber Pläne zum Einstieg in die Massenfertigung von 3D-NAND formuliert.

Mit Hilfe einer neuartigen Architektur wollte Macronix die Kosten pro Bit gegenüber der etablierten Konkurrenz um 30 Prozent senken. Wie CEO Miin Wu im September erklärte, sollten sämtliche Ausgaben für Forschung und Entwicklung in das 3D-NAND-Projekt fließen. Die damalige Produktionskapazität von rund 140.000 Wafern pro Monat sollte um 50.000 Wafer pro Monat allein für 3D-NAND aufgestockt werden. Insgesamt betreibt Macronix drei Halbleiterwerke: Fab 5 mit 12-Zoll-Wafern, Fab 2 mit 8-Zoll-Wafern und Fab 1 mit 6-Zoll-Wafern.

Macronix will Ende 2020 erste 96-Layer-Chips fertigen

Laut dem neuen DigiTimes-Bericht will das Unternehmen „seine Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten weiter intensivieren“, um den Fahrplan für die Produktion von 3D-NAND einzuhalten. Für dieses Jahr seien Investitionsausgaben in Höhe von insgesamt rund 486 Millionen US-Dollar geplant. Die erwähnten 48-Layer-Chips dürften dabei den Anfang machen, wann genau mit diesen zu rechnen ist, lässt der Bericht aber offen. Stattdessen steht die 96-Layer-Generation im Fokus, die voraussichtlich Ende 2020 zunächst in Vorserie (risk production) hergestellt wird. Mit der Massenfertigung wäre daher erst ab 2021 zu rechnen.

Etablierte Konkurrenz dann bereits bei 128 Layer

Inwieweit Macronix dann das anvisierte Ziel der niedrigeren Kosten bei gleiche Speicherdichte gegenüber der Konkurrenz erfüllen kann, bleibt abzuwarten. Führende Hersteller wie Samsung, Toshiba und Western Digital fertigen bereits jetzt 3D-NAND mit 90- respektive 96-Layer-Architektur und Speicherkapazitäten von bis zu 1,33 Terabit. Branchenkenner gehen davon aus, dass 2020 bereits die 128-Layer-Generation bei den großen Herstellern Einzug halten wird, wie es 3D-NAND-Roadmaps prognostizieren.

Der größere Neuling ist YMTC

Zu den Neueinsteigern unter den 3D-NAND-Herstellern zählt auch YMTC aus China. Die Firma will schon dieses Jahr 64-Layer-Chips mit 256 Gbit in Serie fertigen. Mit milliardenschwerer Rückendeckung der staatlich gestützten Tsinghua Unigroup und einer Fabrik, die später bis zu 200.000 Wafer pro Monat ausstoßen soll, könnte YMTC im Markt für reichlich Bewegung sorgen. Mit eigenen Werken will sich China von den ausländischen Speicherherstellern unabhängig machen und investiert dafür umgerechnet rund 100 Milliarden US-Dollar.