Technologieausbau: Micron erweitert Wafer-Fabrik in Taiwan

Die Speicher- als auch NAND-Preise liegen aktuell zwar am Boden, doch der nächste Aufschwung kommt mit Gewissheit. Micron rüstet sich dafür und baut eine bestehende Fabrik in Taiwan mit zusätzlichen Reinraumkapazitäten weiter aus. Die Waferkapazität soll dadurch aber nur bedingt erhöht werden.

In diesen Zeiten mit am Boden liegenden Preisen direkt neue Anzeichen zu geben, den Markt mit neuen Kapazitäten zu fluten, ist aktuell vermutlich das falsche Signal. Das weiß auch Micron und gibt an, die Erweiterung „A3“ solle nahe des Fabrikkomplexes entstehen, den Micron bereits in Taichung im Südwesten Taiwans betreibt. An diesem Standort sind zudem mehrere Bürogebäude als auch das erst im vergangenen Jahr eröffnete Micron Taiwan Backend beheimatet.

Micron reagiert mit der offiziellen Ankündigung auf Medienberichte, die zuvor über den Neubau von gleich zwei Fabriken (A3 und A5) mit einem Gesamtwert von 400 Milliarden New Taiwan Dollar, rund 11,5 Milliarden Euro, spekuliert hatten. Eine Investitionssumme für die A3-Erweiterung nannte das Unternehmen nicht.

Neue Technologien statt zusätzlicher Waferausstoß

Der Fokus liege jedoch auf einer Erweiterung der Reinraumkapazitäten, die für neue Technologien genutzt werden sollen. Ein Ausbau der Kapazität, der vornehmliche Grund für den Bau zusätzlicher Reinräume, steht nicht an erster Stelle, heißt es im Bericht von Focus Taiwan. Vor wenigen Tagen erklärte Micron, dass es die ersten DDR4-Speicherriegel in der Fertigungsstufe 1z in Serie auflegt. Diese versprechen einen nochmals geringeren Energiebedarf.

Die nächste große Herausforderung ist bei den DRAM-Fertigern aber die gleiche wie bei Logic-Chip-Produzenten, allen voran TSMC und Samsung: EUV. Mit zwei bis drei Jahren Verzögerung nach dem Auftakt dort könnte auch die Fertigung von DRAM-Chips von der neuen Lithografietechnologie profitieren. Dies wiederum passt zu den Plänen von Micron: Ende 2020 soll die Erweiterung A3 bereits fertig sein, sodass sie ab 2021 genutzt werden kann.