Halbleiterfertigung: Infineon investiert über 2 Mrd. Euro in Malaysia

Auch Infineon erweitert seine Fertigungskapazitäten deutlich und investiert über 2 Milliarden Euro in Malaysia. Am bereits bestehenden Standort in Kulim soll ein drittes Modul entstehen, dort wird in dem Bereich bereits auf 200-mm-Wafern gefertigt.

GaN als Wachstumsmotor

Letztlich geht es um den Aufbau weiterer Fertigungskapazitäten im Bereich der Verbindungshalbleiter, die viele Produkte auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) ermöglichen. Die Expansion soll an diesem Standort von „ausgezeichneten Skaleneffekten“ profitieren, die bereits mit der 200-Millimeter-Fertigung in Kulim erreicht wurden, erklärt Infineon gegenüber der Presse. Sie soll die Position von Infineon im Bereich Silizium komplementieren, die auf der 300-Millimeter-Fertigung in Villach und Dresden fußt.

Die SiC-Technologie bleibt das Standbein von Infineon, über 3.000 Kunden hat der Hersteller damit beliefert. Doch an GaN kommt aktuell kein Hersteller mehr vorbei, wie Infineon in aktuellen Studien belegt: Von 47 Mio. US-Dollar Umsatz im Jahr 2020 soll der Markt auf 801 Mio. US-Dollar im Jahr 2025 explodieren.

Produktionsbeginn ab 2024

Kulim 3, wie das Werk genannt wird, soll bei voller Auslastung 900 Arbeitsplätze schaffen. Im Juni dieses Jahres starten laut aktueller Planung die Bauarbeiten, die neue Fabrik wird im Sommer 2024 ausrüstungsbereit sein. Die ersten gefertigten Wafer verlassen die Fertigung im zweiten Halbjahr 2024. Bei voller Auslastung wird es 2 Mrd. Euro weiteren Jahresumsatz mit Produkten auf Basis von Siliziumkarbid und Galliumnitrid ermöglichen, erklärt Infineon. Schwerpunktanwendungen sind die Bereiche industrielle Stromversorgung, Photovoltaik, Transport, Antriebstechnik, Automotive sowie Ladestationen für Elektrofahrzeuge.

Auch deutsche/österreichische Anlagen werden weiterentwickelt

Deutschland und Österreich soll aber nicht auf der Strecke bleiben. Der Standort in Villach soll durch die Umwandlung existierender Silizium-Anlagen in den kommenden Jahren weiterhin als Innovationsbasis und globales Kompetenzzentrum für Verbindungshalbleiter dienen. Durch die Wiederverwendung von nicht-spezifischer Ausrüstung werden bestehende 150-Millimeter- und 200-Millimeter-Silizium-Fertigungslinien auf SiC und GaN umgerüstet. Und Infineon geht noch weiter: Villach soll auf weitere Wachstumsmöglichkeiten vorbereitet werden.