Bei LPDDR6 wird sich einiges tun, auf der Folie ist es zu sehen im Artikel nicht erwähnt, dass sich die channel width auf von 32 auf 24 bit wechselt.
Was gestern auch ein Thema war ist CAMM2 und LPCAMM2.
LPCAMM2 mit DDR6 wird auf ein 192 bit Speicherinterface wechseln.
Das heißt die höhere Busspeed und breitere Anbindung wird für eine erheblich höhere Datenübertragung mit LPCAMM 2 für LPDDR6 sorgen.
Bitte beachten hier wird mit gelötetetem LPDDR SDRAM verglichen, der Vergleich mit SO-DIMM ist ein No-Brainer.
Bei CAMM2 wird bei den Laptops keine so schnelle Verbreitung erwartet. CAMM2 ist aber auch für den Desktop vorgesehen.
Endless Storm schrieb:
Bisher wurde auch stets die Spannung gesenkt.
Mündet(e) das zu einem Vorteil?
Ja, weil die verbrauchte Elektrische Leistung bei CMOS-Transistoren von der Spannung abhängt. Es sind etwas kompliziertere Formel die Jim Keller in einem Vortrag vereinfacht dargestellt hat:
Die Leistung um die Transistoren zu Schalten ist proportional zum Quadrat der Spannung und die Verlustleistung resultierend aus dem Leckstrom ist proportional zur Spannung.
Das heißt durch das reduzieren der Spannung sinkt die Verlustleistung. Der Strom steigt wegen dem Reduzieren der Spannung nicht an. Auf diesem Zusammenhang beruht der Effekt des Undervoltings.
Die freie Wahl zwischen Spannung und Strom zu haben, ist für die meisten Verbraucher eine Fehlinterpretation der Formel P = U * I.
Wenn man bei gegebenen Schaltkreisen wieder auf dieselbe Verlustleistung kommen will, muss man die Frequenz erhöhen.
bensen schrieb:
@MichaG
Die interessanteste Information hast du gar nicht im Text verarbeitet.
LPDDR6 setzt wie DDR5 auf Subchannel. Soweit so erwartbar, aber 2x12 Bit ist dann doch unerwartet. Ich denke es sind weiterhin 16 Bit Busbreite. Aber das würde bedeuten, dass es Bit für on-Die ECC sind. Klingt wahnsinnig viel. Bei DDR5 war es die Hälfte. Klingt teuer.
Dazu gibt es weitere Folien von Synopsis.
So wie ich es verstehe werden Blöcke von 288 bit übetragen davon sind 256 bit daten und 32 bit Non data die entweder für Low Power oder für RAS verwendet werden können