Frage bzgl. CL bei Arbeitsspeicher

sleife

Cadet 4th Year
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Ich bräuchte einmal eine Erklärung was Arbeitspeicher betrifft.

Es wurde immer gesagt, eine tiefe CL bedeuten auch, dass die RAMs schneller sind als solche mit hohen Werten.

Nun sehe ich aber dass bei DDR3 ziemlich hohe Werte sind zB. CL9-9-9-24@1.5V


Kann mir jemand das jemand plausibel erklären. Google und die CB suche spuken nichts gescheihtes dabei raus.
 
http://de.wikipedia.org/wiki/CAS_Latency
das spuckt wiki bei der suche nach CL aus
warum es cl9-9-9-24 heist hab ich auch kein plan

btw sind geringere latenzen nicht wirklich vom user wahrnehmbar.
ich hab cl6 und meine mum cl5 aber meiner taktet höher ihrer mit 800 meiner mit 1066 und schon gleicht sichs wieder aus
 
Von "ausgleichen" kann da nicht die Rede sein. Manche Anwendung profitieren von höherem Speichertakt, manche von besseren Latenzen. Für den Otto-Normal-Verbraucher ist es ziemlich egal, da die Leistungssteigerung, je nach Anwendung, meistens nur unter 1% beträgt. Die Taktraten können evtl etwas mehr ausmachen, aber auch nicht viel. Bei DDR3 würde ich zur Zeit 1333er nehmen und bei DDR2 entweder 800er oder 1066er, je nachdem was günstiger ist.
 
Bei Ram-Riegeln ist die letztendliche Geschwindigkeit von mehreren Werten Abhängig. Vorrangig wäre da die Taktung des Rams, z.b. 1333MHz bei DDR3 Ram. Zudem kommen dann die Latenzen des Speichers, dies sind die Zahlen, CL9-9-9-24@1.5V, nach denen du fragst. In der Regel werden folgende Latenzen des Speichers angegeben:
CAS Latency (CL): 9
RAS-to-CAS-Delay (tRCD): 9
RAS-Precharge-Time (tRP): 9
Row-Active-Time (tRAS): 24

@1.5V: Ist die Spannung die der RAM für den Betrieb benötigt, je weniger Spannung benötigt wird, desto sparsamer der RAM.

Dabei stehen die Werte für folgendes:
CAS Latency CL:
Zeitdauer zwischen einem Lesekommando und dem Erhalt der Lesedaten

RAS-to-CAS Delay tRCD:
(minimale) Zeitdauer zwischen der Aktivierung einer Zeile / einer Bank und der Absendung eines Lese- oder Schreibkommandos.

RAS Precharge Time tRP:
(minimale) Zeitdauer zwischen der Deaktivierung einer Zeile / einer Bank und der erneuten Aktivierung einer Zeile in derselben Bank.

Row-Active-Time (tRAS):
Dies ist die Zeit, die benötigt wird, um die Zeile intern zu aktualisieren und überschneidet sich mit TRCD. In der Regel ungefähr gleich der Summe der vorherigen drei Zahlen.

Es gibt auch noch andere Latenzen, die werden zumeist aber nicht angegeben.

Die letztendliche Geschwindigkeit setzt sich nun aus Takt, Operationen pro Sek., und Latenzen zusammen. Je niedriger die Latenzen, und je höher dabei der Takt - desto schneller der RAM!

Minimal schlechtere Latenzen kann man durch höhere Taktung ausgleichen. Aber Angenommen man hat nur einen Lese/Schreibvorgang, bzw. sehr wenige dann ist die niedrigere Latenz auschlaggebend.

In der Praxis schlägt sich das ganze allerdings minimal nieder, 1-3-% messbarer Geschwindigkeitsunterschied, je nach Szenario und Unterschied beim RAM.
 
Moin,

ich lese hier ne Menge Halbwissen. CAS Latency ist nur der erste Werte der o.g. Ziffernfolge 9-9-9-24.

Alle diese Latenzen sind in Anzahl Takten angegeben, die zwischen Anlegen eines Signals und dem Bereitstehen der Daten liegen. Das sind aber nur relative Werte in Abhängigkeit von der genutzten Frequenz

CL 4 bei DDR2-800 sind für sich genommen genauso lang wie CL 8 bei DDR3-1600 oder CL2 bei DDR1-400, nämlich 10ns (4x 1s/400.000.000).

Grundsätzlich ist eine Latenzstufe bei gleicher Taktfrequenz durchaus vernachlässigbar im Ergebnis, vor allem für Gamer. Es gibt aber Anwendungen, die durchaus stärker von niedrigen Latenzen abhängig sind.

Ansonsten sei der Wikipedia-Artikel zu DDR-SDRAM zur Lektüre empfohlen.

Beste Grüße,
Frank
 
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