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Chinas Speicherhersteller YMTC plant mit DRAM und HBM, HBM3 von CXMT verzögert
Bisher ist YMTC Chinas bester NAND-Hersteller, nun will er auch DRAM und HBM fertigen. Bei HBM3 von CXMT klemmt es hingegen weiterhin.
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Speicherfertigung CXMT macht rasante Fortschritte – Nanya-Niveau erreicht
Auch Rückschläge halten CXMT nicht auf: Die eigene DDR4-Speicherfertigung soll das Niveau von Nanya erreicht haben, DDR5 startet Ende 2025.
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Speicher aus China CXMT plant mit HBM3, während DDR5 noch Probleme macht
ChangXin Memory Technologies (CXMT) als aufstrebender Speicherhersteller aus China soll Ende des Jahres HBM3 an den Start bringen.
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Größter DRAM-Hersteller SK Hynix stößt Samsung nach 33 Jahren erstmals vom Thron
Laut Marktforschern hat SK Hynix erstmals Samsung als größten DRAM-Hersteller abgelöst. Damit endet die 33 Jahre währende Marktführerschaft.
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Big Fund Phase III Chinas Geldquelle für die Halbleiterindustrie wächst auf 47,5 Mrd. USD
Aus einmal geplanten 300 Milliarden Yuan sind nun 344 Milliarden Yuan geworden: Chinas Big Fund 3 startet für die Halbeiterindustrie.
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ChangXin Xinqiao China stampft neuen DRAM-Hersteller mit 20-Mrd.-Fab aus dem Boden
China braucht weiterhin eine eigene moderne Chip-Fertigung und wagt sich deshalb an ein weiteres DRAM-Projekt – mit viel Geld.
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Neue Subventionsrunde China gibt noch einmal 40 Milliarden US-Dollar an Halbleiterindustrie
Eine weitere Geberrunde soll chinesische Halbleiterfirmen fit für die Zukunft machen. Chinas Regierung gibt dafür viel Geld.
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Lizenzabkommen Chinesischer DRAM-Hersteller CXMT setzt auf Rambus
Rambus gewährt dem chinesischen Speicherhersteller CXMT über ein Lizenzabkommen Zugriff auf viele DRAM-Patente.
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ChangXin Memory LPDDR4-Speicher aus China geht Ende 2019 in Serie
Der chinesische Speicherhersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) soll gegen Jahresende seinen ersten LPDDR4-DRAM in Serie produzieren.
