Mögliche Preisabsprachen: Chinesische Behörde nimmt Speicherhersteller ins Visier

Laut Medienberichten aus Asien hat die Staatliche Kommission für Entwicklung und Reform (NDRC) in China die großen Speicherhersteller ins Visier genommen. Von möglichen Preisabsprachen bei DRAM und NAND-Flash ist die Rede. Die Aufsichtsbehörde soll Marktführer Samsung bereits kontaktiert haben.

NDRC soll mögliche Preisabsprachen untersuchen

Bereits am 21. Dezember hat cnBeta über das Vorgehen der NDRC berichtet und beruft sich auf einen Artikel der chinesischen Zeitung 21st Century Business Herald. Die Aufsichtsbehörde habe auf Beschwerden aus Kreisen der Hersteller von Mobilgeräten reagiert, heißt es. Beklagt wurden demnach die in den letzten anderthalb Jahren massiv gestiegenen Preise für Arbeitsspeicher (DRAM) und NAND-Flash.

Am Mittwoch bestätigte China Daily in einem Bericht, dass die NDRC Samsung bezüglich der anhaltend hohen Speicherpreise kontaktiert hat. Ein offizielles Verfahren sei aber noch nicht eingeleitet worden. Zitiert wird Xu Xinyu, ein Mitarbeiter der Abteilung für die Preisaufsicht. Dieser soll geäußert haben, dass die Behörde den „zukünftigen Problemen, die durch 'Preisabsprachen' in der Branche verursacht werden können, mehr Aufmerksamkeit schenken“ werde. Laut Xhinyu gebe es Absprachen unter mehreren Unternehmen, um die Preise zur Gewinnmaximierung möglichst hoch zu gestalten, so die Zeitung. Samsung konnte den Umsatz im dritten Quartal auf umgerechnet 54,5 Milliarden US-Dollar steigern und im Jahresvergleich somit fast verdreifachen.

In einem Artikel von The Hankyoreh heißt es, dass Samsung von der NDRC „zu Gesprächen eingeladen“ wurde. Die Aufsichtsbehörde soll auch Untersuchungen bei Micron und SK Hynix erwägen, heißt es dort. Doch hätten zumindest Samsung und SK Hynix eine Kontaktaufnahme durch die NDRC bisher nicht bestätigt.

Samsung, SK Hynix und Micron sind die drei größten Hersteller von DRAM und kommen zusammen auf einen Marktanteil von rund 95 Prozent. Bei NAND-Flash ist Samsung ebenfalls Marktführer, neben Micron und SK Hynix gehören hier noch Toshiba, Western Digital und Intel zu den größten Herstellern.

DRAM und NAND-Flash haben sich drastisch verteuert

Der nicht flüchtige Flash-Storage hat sich mittlerweile zur teuersten Komponente bei Smartphones entwickelt. Auch DRAM ist in dem besagten Zeitraum wesentlich teurer geworden. Als Ursache für die steigenden Preise führen die Hersteller Engpässe durch die rasch wachsende Nachfrage bei zugleich limitierten Produktionskapazitäten an. Die Hersteller von NAND-Flash rüsten Fabriken von 2D- auf 3D-NAND um, teils wurde auf ehemalige DRAM-Produktionsstrecken ausgewichen, was wiederum den Ausstoß von Arbeitsspeicher verringert.

Die Engpässe treffen auf einen enorm gestiegenen Bedarf, der gerade in China stark zugenommen hat. Smartphone-Hersteller wie Honor, Meizu, OnePlus, Oppo, Xiaomi oder ZTE wachsen rasant und benötigen entsprechend immer mehr Speicher, den es aus dem Ausland einzukaufen gilt. Denn noch hat China keine eigene Fertigung, um den Bedarf zu decken. Dies soll sich durch Milliardeninvestitionen in Zukunft ändern.

Samsung wurde 2005 wegen Preisabsprachen verurteilt

Schon einmal war Samsung wegen Preisabsprachen bei DRAM im Visier von Behörden. Im Oktober 2005 bekannte sich der Hersteller nach Untersuchungen für schuldig, an einer internationalen Verschwörung zur Beeinflussung der DRAM-Preise beteiligt gewesen zu sein. Das US Department of Justice verhängte ein Bußgeld in Höhe von 300 Millionen US-Dollar. Auch Hynix (jetzt SK Hynix), Infineon und Micron waren in den Fall verwickelt.

NDRC-Untersuchungen kosteten Qualcomm 975 Mio. Dollar

Dass die NDRC als Aufsichtsbehörde ernst zu nehmen ist, hat in der jüngsten Vergangenheit unter anderem Qualcomm zu spüren bekommen. Der Chip-Hersteller wurde 2015 wegen eines Verstoßes gegen chinesische Anti-Monopolgesetze für schuldig befunden. Als Teil der außergerichtlichen Einigung musste Qualcomm 975 Millionen US-Dollar Strafe zahlen.