so, hab ich aus nem anderen forum gegoogelt, sollteste auch mal machen 
[Grundlagen]
viele kennen das wort.. aber nicht alle wissen was es bedeutet - Latenzzeiten.!
Was sind nun Latenzzeiten?
Unter den Latenzen versteht man die Taktzyklen, mit welchen die Speicherzugriffe erfolgen. Unterscheiden muss man zwischen Chipsatzlatenzen und Speicherlatenzen. Zumeist hat man auf Chipsatzlatenzen über das Mainboard BIOS wenig Eingriffsmöglichkeiten.
Es sind immer gewisse "Grund"Latenzzeiten ab Werk im "SPD" (Serial Presence Detect) gespeichert.
Seit SDR-SDRAM finden sich auf den Speichermodulen sogenannte EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) Bausteine wieder, oder genauer eben SPD-EEPROMs.
Diese Informationen werden vom Computer ausgelesen und eingehalten, sofern im BIOS keine Überbrückung dieser Spezifikationen eingestellt ist, was aber bei allen neueren Boards schon der Fall ist.
Speicherriegel bestehen aus mehreren Speicherchips, die das eigentliche Speichermedium darstellen.
Diese Speicherchips sind in sogenannte "Banks" aufgeteilt, die wiederum in Reihen und Spalten (Rows und Columns) aufgeteilt sind.
Diese "Speicherbanks" oder "Speicherzellen" haben Adressen. (zb. Bank 3, Reihe 7, Spalte 1)
Eine Speicherzelle kann 8bit Daten speichern.
Aber wieder zurück zu den Taktzyklen:
Die gängigsten Speichertimings, welche auch bei fast allen Mainboards im BIOS zu erreichen und zu verändern sind, sind die tCL (CAS Latency), die tRCD (RAS to CAS Delay), die tRP (RAS Precharge Time) und die tRAS (RAS Active Time / Active to Precharge).
PAT?
Es ist nicht sicher was PAT wirklich macht.. aber vermutet wird das bei den gerade beschriebenen Zugriffen, nämlich dem Chipselect "CS" (der Bankauswahl / nach der Adressierung der "Zellen"), die Latenz verkürzt worden zu sein. Im Prinzip werden 2 Takte durch das Zwei-Kanal-Speicherinterface eingespart.
Dies kann jedoch, bei einer großen Anzahl von belegten Speicherslots zu Instabilitäten führen.
1. tRP = RAS Prechage Time
Es handelt sich hier um die Vorladezeit des Zeilenadressierungsvorgangs. Eine Speicherzelle ist eher simpel aufgebaut. Sie besteht lediglich aus einem Transistor und einem Kondensator. Sogenannte Sense Amps (Sense Amplifiers) werden denen zur Seite gestellt, welche als Schreib- und Leseverstärker dienen. Bei einem Schreibvorgang wird der entsprechende kondensator dann gefüllt. Realisiert wird dies durch das Anlegen von Spannungen.
2. tRCD = RAS to CAS Delay
Der Memory Controller benötigt exakte Adressierungsdaten um vom Hauptspeicher lesen, bzw. drauf schreiben kann.
Wenn ihr euch erinnert: Der Hauptspeicher (oder die Speicherchips generell) sind in Rows und Columns (Reihen und Spalten) eingeteilt.
Der RAS to CAS Delay ist eben genau die Zeitspanne zwischen Zeilen- und Spaltenadressierungsvorgang.
3. CL = CAS Latency
Mit dem RAS (Row Adress Strobe) haben wir nun eine Zeile oder Spalte des Modules geöffnet und den RAS to CAS Delay abwarten müssen.
Nun kann ein Read Command gegeben werden, welches die Spaltenadresse spezifiziert. Die Zeitdauer, die die Daten benötigen, um ins Ausgangregister zu gelangen, ist die CAS Latency.
4. tRAS = RAS Active Time
Hier handelt es sich um die Mindestzeit in welcher eine Bank offen gehalten werden muss. Es ist also die Wartezeit, damit Daten wieder durch den 1. Vorgang (tRP) in die Speicherzellen zurückgeschrieben werden können
Wichtig: Eine Faustregel, resultierend aus der bisherigen Speichertechnik besagt, dass die tRAS mindestens die Summe aus tCL und tRCD betragen sollte. Sollte deshalb weil auf einigen nVidia und VIA Plattformen auch ein tRAS von 3 wählbar ist.
In meinen Augen ein Irrsinn bei heutigen Frequenzen von 200+mhz.!
Sinnvoll ist es auch noch den Speichercontroller mit einzurechnen, da die Daten ja nicht nur im Speicher bleiben.
Deshalb: tRCD+tCL + 2 Takte (mindestens also 6)
Am besten ist sicherlich ein tRAS von 8 zyklen da dies einen Reibungslosen und kaum Langsameren (oft sogar schnelleren) Effekt nachsich zieht.+
@Stummerwinter
Einen Unterschied von CAS 2,5 zu 3,0 ist quasi nur mit Speicherdurchsatztestprogrammen zu ermitteln und spielt in der realität keine Rolle.
Ich habs noch nicht gemessen, aber die Zeit in denen Anwendungen technischen/elektronischen Bedingungen im Speicherbereich hinterherrennen, dürfte zumindest von der Seite der Anforderungen, der Vergangenheit angehören.
Mit anderen Worten, es ist zwar schön wenn man den schnelleren RAM hat, nur nutzt das eben im Vergleich zur Vergangenheit gerade noch bedingt dem Leistungsvorteil. Womit sich der Nutzenanteil ziemlich reduziert. Damit denke ich dann vor allen Dingen an oc. Doch dies kann man dann aber wieder Verschleißbedingt auch nur der Statistik ensprechend, eine gewisse Zeit laufen lassen. Bei den Anwendungen käme mir nur ein RAM Drive in den Sinn das effektiv profitiert und welches dann eben mit möglichst viel MB ausgestattet wäre, also ab 2GB und damit evtl. sogar was fürs OS.
