News Mehr EUV-Systeme von ASML: SK Hynix zahlt Premium-Preise für extra schnelle Lieferung

[Alphanerd]

Viele Bereiche werden leer ausgehen wie Forschung und weniger relevante Industrieprozesses aber mit Sicherheit nicht die Halbleiterindustrie.

Du willst Amerikanern erklären, dass irgendwelche Chips wichtiger, als ihre Luftballons für die gender reveal partys sind?

 

[Ciero]

@Alphanerd Gott bewahre. Das machen Menschen die weitaus mehr Gehalt bzw. Schmerzensgeld beziehen.

Ciero

 

[Alphanerd]

Das machen Menschen

Egal wer es macht: die no Kings Proteste wären ein Witz gegen den kommenden Aufstand. 😉

 

[ETI1120]

Double-/Multi-Patterning sind mit (High-NA)-EUV genauso möglich.

Double-/Multi-Patterning sind bei der Verwendung von 0.33NA EUV schon notwendig.

Der Grund warum man über High-NA EUV redet ist, dass bei den aktuellen Strukturenbreiten mit High NA auf Double-/Multi-Patterning verzichtet werden könnte.

Ein Sprung zu einer kleineren Wellenlänge ist momentan unwirtschaftlich, weil zu schwach und der Resist zu unempfindlich.

Abgesehen vom Problem eine Lichtquelle mit kleinerer Wellenlänge hin zu bekommen ist das Verkleinern der Wellenlänge nicht nur vorteilhaft. Licht mit kleinerer Wellenlänge hat energiereichere Photonen. Und diese energiereichen Photonen verursachen schon mit 13,5 nm sehr viele Probleme.

 

[Cabranium]

@ETI1120 Darf man fragen was für probleme? Ich hab zwar schon ein paar videos zum belichten angeschaut, aber muss zugeben, dass mir diese Materie nicht liegt. Mit belichten werden Atome gezielt raus geschlagen und dann werden wiederum andere Atome passend dorrt angeordnet. Schlagen kleine potonen zu kraftvoll ein?
Ich find das total spannend, aber ich bin ehrlich. Was die Wissenschaftler da 40 Jahre raus gearbeitet haben, werde ich nicht durch ein paar videos verstehen können. ^^

 

[eastcoast_pete]

SK Hynix sind halt diejenigen, die von Anfang an EUV in den Speichermarkt drücken wollten. Sie sahen darin nicht nur eine Chance für höhere Qualität, sondern gleichzeitig eine für mehr Wirtschaftlichkeit. Schließlich gibt es ihnen auch die Möglichkeit, die Anzahl der notwendigen Belichtungsschritte zu reduzieren und potentiell genauer das zu liefern, was in einem Moment gebraucht wird.

Samsung hingegen ist am besten für ein Abebben der Nachfrage nach Speicher aufgestellt: Sie könnten eigentlich aktuell beliebig viele EUV-Maschinen bestellen, denn diese können sie schließlich sowohl in der Logik-, als auch in der Speicherproduktion einsetzen.

Micron, tja. Micron hat eigentlich aktuell nur ein Ass im Ärmel und das ist eigentlich kein Ass, sondern ein Trumpf: Trump. Sie sind halt amerikanisch. Ihren eigentlichen, bisherigen Trumpf, Crucial, haben sie ja ohne Not abgeschossen...

Das war Samsung.

SK Hynix und Micron waren bisher viel zurückhaltender. Aber nun ist es tatsächlich sinnvoll auch bei DRAM EUV zu verwenden, also steigen SK Hynix und Micron ein.


Wenn die Nachfrage nach Speicher abebbt, wird auch die Nachfrage für die Foundry abebben. Und dann ist es die Frage wie Samsung da gegen TSMC aufgestellt ist.

Im übrigen sind DRAM und Logik komplett andere Fabs, das Umstellen einer Fab ist zwar möglich, aber auch aufwändig.

Warten wir Mal in Ruhe ab was die 3 bei HBM4 und HBM4E tatsächlich abliefern.


Man sollte nicht jeden Unsinn, der aus Asien kommt glauben. Die Zahlen die Micron ausgewiesen hat, belegen dass Micron volle Auftragsbücher hat. Und warum wohl hat Samsung in den letzten Jahren für die Galalxy Reihe Produkte von Micron eingesetzt?

Es ist nun die Frage, wem es gelingt als erstem nennenswert neue Waferkapazitäten auf den Markt zubringen zu bringen.

Micron hatte gar keine andere Wahl als Cruical als Consumer Marke zu beenden.

Ergänzung (Montag um 15:13)

Das ist im Bezug auf die Halbleiterproduktion vollkommen irrelevant. Da werden andere Verbraucher von Helium kürzer treten müssen.

Wenn man Berichten (v.a. in 2024/2025) über das ziemlich schlechte Arbeitsklima bei Samsung Foundry glauben darf, wurde der Einsatz von EUV für die Memory Herstellung von oben verordnet, auch wenn EUV noch gar nicht notwendig war. Die Samsung C-Suite wollte eben, daß Samsung der erste Hersteller ist, der EUV hier einsetzt. Danach gab es scheinbar riesigen Druck auf die Belegschaft, die enormen Ausgaben dafür gefälligst zu amortisieren.

Auch deshalb hilft die derzeitige Speicherkrise gerade Samsung enorm aus der Bredouille.

Ergänzung (Montag um 22:23)

@ETI1120 Darf man fragen was für probleme? Ich hab zwar schon ein paar videos zum belichten angeschaut, aber muss zugeben, dass mir diese Materie nicht liegt. Mit belichten werden Atome gezielt raus geschlagen und dann werden wiederum andere Atome passend dorrt angeordnet. Schlagen kleine potonen zu kraftvoll ein?
Ich find das total spannend, aber ich bin ehrlich. Was die Wissenschaftler da 40 Jahre raus gearbeitet haben, werde ich nicht durch ein paar videos verstehen können. ^^

Während der Entwicklung von EUV hieß das auch lange "Soft X-Ray". Eine der zentralen Herausforderungen von EUV ist, daß die Energie dieser Photonen so hoch ist, daß man den Strahlengang nur mit speziell dafür entwickelten Spiegeln umlenken und bündeln kann. Es gibt kein Material daß dies aushält und trotzdem optisch transparent ist, daher kann man keine Linsenoptik verwenden. Diese Spiegel und ihre Oberflächen wurden von ZEISS entwickelt, und ohne die gäbe es keine EUV Scanner von ASML.
Wenn man jetzt noch kürzere Wellenlängen benutzen will, wird's schon alleine deshalb sehr problematisch, denn bereits jetzt leben die Spiegel in EUV Scannern nicht besonders lange.

 

[Ciero]

Wenn man jetzt noch kürzere Wellenlängen benutzen will, wird's schon alleine deshalb sehr problematisch, denn bereits jetzt leben die Spiegel in EUV Scannern nicht besonders lange.

Der relevante Punkt ist, dass die jetzigen Spiegel nicht einmal eingesetzt werden können, weil es sich um eine in Abhängigkeit der Photonenergie beschriebene Eigenschaft handelt. Wenn die mit der Wellenlänge weiter runter gehen, wird ein neues Material benötigt, welches bis dato nicht existiert.

Hinzu kommt, das sämtliche auch aktuelle Probleme wie die Erzeugung von Defekten und Blur alle nochmals potenziert werden. Der Gesamte Prozess muss überarbeitet werden darum diese Schwierigkeit.

Ciero

 

[mae]

Darf man fragen was für probleme?

Ein Problem, ueber das ich gelesen habe, ist, dass man zwar nicht so viel Energie braucht, um den Photolack zu belichten, aber wenn man das mit den EUV-Photonen macht, dann haben deutlich weniger Photonen (als bei DUV) zusammen schon diese Energie. Wenn man aber mit so wenigen Photonen belichten wollte, wuerde man halt deutlich sehen, wo ein Photon hingefallen ist und v.a. wo nicht. Wenn man wieder soviele Photonen haben will wie bei DUV, dann ist die Gesamtenergie deutlich groesser, was den notwendigen Primaerenergieeinsatz erhoeht und auch sonst nicht so toll ist (mehr Abnutzung der Spiegel z.B.).

 

[ETI1120]

@ETI1120 Darf man fragen was für probleme?

Die Erklärung von @mae kommt ganz gut hin. Aber es sind nicht nur die energiereichen Photonen selbst, sondern auch die von ihnen ausgelösten Sekundärelektronen.

https://www.researchgate.net/publication/331762907_Stochastic_printing_failures_in_EUV_lithography

 

[CDLABSRadonP...]

Die Erklärung von @mae kommt ganz gut hin. Aber es sind nicht nur die energiereichen Photonen selbst, sondern auch die von ihnen ausgelösten Sekundärelektronen.

Anhang anzeigen 1719758
https://www.researchgate.net/publication/331762907_Stochastic_printing_failures_in_EUV_lithography

Prinzipiell sehr schöne Visualisierung, nur merkwürdig, dass bei Microbridges der Pfeil zu weit nach rechts verrutscht ist / dort aus irgendwelchen absurden Gründen platziert wurde...

 

[ETI1120]

@CDLABSRadonP... Ja der Pfeil ist verrutscht, aber der viel größere Bock ist, das die Überschriften der beiden ersten Bilder vertauscht sind. Das erste Bild mit dem falschen Pfeil ist eine Broken Line und keine Micro Bridge.

 

[Ciero]

Das erste Bild mit dem falschen Pfeil ist eine Broken Line und keine Micro Bridge.

Nein, wie kommst du darauf?

Ciero

 

[eastcoast_pete]

Der relevante Punkt ist, dass die jetzigen Spiegel nicht einmal eingesetzt werden können, weil es sich um eine in Abhängigkeit der Photonenergie beschriebene Eigenschaft handelt. Wenn die mit der Wellenlänge weiter runter gehen, wird ein neues Material benötigt, welches bis dato nicht existiert.

Hinzu kommt, das sämtliche auch aktuelle Probleme wie die Erzeugung von Defekten und Blur alle nochmals potenziert werden. Der Gesamte Prozess muss überarbeitet werden darum diese Schwierigkeit.

Ciero

Ob das der einzige "relevante Punkt" war, weiß ich nicht. Es fängt aber schon damit an, daß man zunächst eine verlässliche Quelle für noch deutlich kürzere Wellenlängen benötigen würde, die dann trotzdem noch (unter den Umständen) wirtschaftlich betrieben werden kann. Ansätze gibt's ja, zB ECR (Electron Cyclotron Resonance), aber nur die Quelle (Source) zu haben ist eben nur der Anfang, denn, wie auch schreibst, muß danach alles auf das noch extremere UV hin entwickelt werden. Und wenn die Strukturen noch feiner gemacht werden sollen, werden quantenmechanische Phänomene (Tunneln) im Halbleiter zu einem immer größeren Problem.
Auch deshalb erwarte ich, daß der Fortschritt in den nächsten Jahren neben high-NA v.a. strukturell von GAA/RibbonFET und Backside Power Delivery kommen wird. BPD hat ja das Potential, den Stromverbrauch nochmals zu senken.