News SOCAMM3: Neuer RAM für Nvidia Rosa Feynman und AMD Florence

Cabranium schrieb:
Was genau ist der Vorteil die Teile mit schrauben anpressen zu müssen? Im ersten moment wirkt das Stecksystem sicherer, aber vermutlich ist die auflage Fläche grösser und daher irgendwie besser?
Es geht überhaupt nicht darum sie mit Schrauben anzupressen - das ist lediglich eine Folge der Bauform.
Es geht darum, dass die Dinger flach aufliegen, damit viel mehr Kontaktmöglichkeiten und durch den elektrisch besseren Übergang ggü. DIMM-Slots eine bessere Signalqualität erlauben - und weil sie näher verbaut werden können, sind die Signalleitungen potenziell kürzer.

Das ist bei bei LGA-Prozessoren: Damit das funktioniert, braucht es großen Anpressdruck. Darin unterscheiden sich SOCAMM2 und 3 aber nicht.
 
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Matthiazy schrieb:
Wird mal Zeit, dass es Neuigkeiten zu DDR6-SDRAM gibt.
Die News ist fast 1 Jahr her https://www.computerbase.de/news/ar...eue-speicherroadmap-fuer-2029-bis-2031.94888/
Kommt bald wenn die NAND Folien durch sind:

Aus dem Foliendsatz von Micron:
1792854517797.png


Bin sehr gespannt was das tatsächlich wird und ob es tatsächlich kommt.

Matthiazy schrieb:
Wie wir von den Vorgängergenerationen wissen, vom Zeitpunkt der finalen Spezifikation ( der noch nicht stattgefunden hat ) bis zum Verkauf vergehen 1-2 Jahre.
Es ist doch klar dass DDR6 so schnell nicht kommen wird.
 
SMOrc schrieb:
Deswegen erreichen CAMM Module ähnliche Taktraten wie verlöteter LPDDR Speicher.
Und Latenzen sind dann 50-60 sonstwas?
Als es noch bezahlbar war hatten wir 6000C30 als Standard oder 8500C40 mit CUdimm.
 
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Eine Einschätzung ob das SOCAMM Format auch für next gen desktop ein Thema werden könnte wäre spannend.
 
SMOrc schrieb:
Der höhere Anpressdruck führt zu einem besseren Kontakt, was widerum zu einer besseren Signalintegrität führt, was in einer besseren Taktbarkeit resultiert. Deswegen erreichen CAMM Module ähnliche Taktraten wie verlöteter LPDDR Speicher.
Es geht vor allem um den kürzeren Signalweg gegenüber senkrecht zum Kontakt stehenden Speichermodulen. Eine Verschraubung bräuchte es dafür nicht, die erzeugt ja sogar noch mechanische Spannungen, die man vermeiden möchte. Ein Sockeldesign wie bei CPUs (LGA) wäre genauso denkbar und auch wesentlich bedienungsfreundlicher.
 
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SweetOhm schrieb:
Prima und vor allem sehr interessant wäre mal ein RAM Spezial Artikel, in dem ALLE Standards (inkl. Specs) aufgeführt werden. Hab nämlich so langsam den "Durchblick" verloren ... :freak:
Es gibt verschiedene Standards.

Teurer
Sehr teuer
Sehr viel teurer
Super mega teuer
Total überteuert

Ich hoffe ich konnte dir weiter helfen 🤪
 
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Schrottiger Standard.
Habe schon bei Dell CAMM das Ding ausgetauscht. Für Consumer nur Schikane und Abzocke. CAMM Module waren bei normalen Preisen ca. doppelt so teuer als DDR5 SO-DIMM. Mit Adapter läuft der SO-DIMM normal mit 5600 MT/s...
 
Eine News mehr, die gegen CAMM spricht.
Vielleicht ist man in 5 Jahren soweit, dass man von einer stabilen Plattform mit Zukunft sprechen kann. Aktuell kann man besser gleich auflöten lassen. Ist günstiger und potentiell nochmals schneller. Framework hin oder her.
 
Wenn man das O wegstreicht, hat man auch die geplante Preispolitik dazu.
 
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Cabranium schrieb:
Was genau ist der Vorteil die Teile mit schrauben anpressen zu müssen?
Der Hauptvorteil dessen ist nur, dass die Signalwege vom Die zur CPU kürzer werden, aber auch der Kontaktpunkt zwischen Modul und Mainboard.

Bei UDIMM/RDIMM drücken nur Kontaktfedern vom Slot auf den DIMM. Wenn es da Unterschiede gibt, dann ist der Widerstand größer, was wiederum eine Signalstörung begünstigt.

Bei SOCAMM hast du aufgrund der Schrauben schon einen besseren Anpressdruck und dementsprechend auch bessere Signalintegrität. Deswegen kann man auch viel höhere Taktraten fahren mit SOCAMM.
 
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Der höhere Anpressdruck könnte Microunebenheiten glätten und den Signalfluss begünstigen, hat aber gegenüber (gut) verlötetem RAM NULL Chance!

RAM UV/OC/Optimierung könnte damit verbessert werden.
 
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@foofoobar

Grundsätzlich hat er nicht unrecht.
Bei klassischen DIMMs hat man starke Schwankungen bei der Übergangsimpedanz durch den Anpressdruck und ziemlich hohe parasitäre Impedanzen durch die Dichte der Kontakte.

Beides führt dann potentiell zu einem Matching Problem. Bei der Übertragung wird dann ein Teil des Signals zurück reflektiert. Dadurch entstehen Störungen beim Sender, Crosstalk, Störsignale in Form von verzögerten Spiegelsignalen und eine Dämpfung des Signals.

Klassisch nutzt man aktive matching Netzwerke und hohe Übertragungsspannungen, um das Problem zu kompensieren. Damit kommen dann allerdings auch wieder eigene Probleme und Limitationen.

Im Endeffekt lässt sich das über die Maxwell Gleichungen und die Materialgleichungen nicht idealisierter Leiter und Parasitärer Kapazitäten und Induktivitäten herleiten.

Vor allem Federkontakte sind da schon ein massiver Vorteil. Wobei es da auch nicht verschraubt sein muss. LGA schafft das auch so, wobei da vermutlich der Footprint größer gewesen wäre.
 
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STM64 schrieb:
Im Endeffekt lässt sich das über die Maxwell Gleichungen und die Materialgleichungen nicht idealisierter Leiter und Parasitärer Kapazitäten und Induktivitäten herleiten.
Da geht die Geometrie der Leiter und des Dielektrikums rein, der Anpressdruck spielt eine untergeordnete Rolle.
 
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ETI1120 schrieb:
Kommt bald wenn die NAND Folien durch sind:

Aus dem Foliendsatz von Micron:
Anhang anzeigen 1771844

Bin sehr gespannt was das tatsächlich wird und ob es tatsächlich kommt.


Es ist doch klar dass DDR6 so schnell nicht kommen wird.
Tatsache, die News ist gerade ein paar Tage alt.
Das für Consumer DDR6-SDRAM noch min 3 Jahre entfernt ist, weiß ich.
 
SOCAMM3 dürfte dabei vermutlich primär mit LPDDR6 kombiniert werden,
Ich hätte da eher "ausschließlich" statt "primär" geschrieben. Denn SOCAMM3 dürfte nur deswegen entwickelt worden sein, weil die darauf verbauten LPDDR6 Bausteine eine andere Pinbelegung wie LPDDR5 haben. Wenn es einfach wäre LPDDR6 auch auf SOCAMM2 Modulen zu verbauen könnte man auf den neuen Standard verzichten.
jimmy13 schrieb:
Dürfte wohl erst ein paar Jahre dauern (wenn überhaupt), bis sich SOCAMM im Preis auf DIMM-Niveau verringert hat.
Da wäre ich nicht so sicher. Denn DDR6 (SO)DIMMs werden noch einige Zeit auf sich warten lassen da derzeit DDR6 noch nicht fertig spezifiziert ist. Die LPDDR6 Produktion ist aber schon angelaufen. Ich könnte mir sogar vorstellen das im Comsumerbereich unbuffered DIMMs durch SOCAMMs abgelöst werden und nur DDR6-RDIMMS mit hohen Kapazitäten für Server auf den Markt kommen.
STM64 schrieb:
Bei klassischen DIMMs hat man starke Schwankungen bei der Übergangsimpedanz durch den Anpressdruck und ziemlich hohe parasitäre Impedanzen durch die Dichte der Kontakte.
Ein noch größeres Problem dürften mit zunehmender Taktfrequenz unbenutzte DIMM-Sockel sein, die HF-technisch Stichleitungen darstellen.
 
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Mit SOCAMM kann auch etwas flacher gebaut werden als mit den bekannten DIMM-Systemen.
 
@mkossmann Derzeit ist preislich noch viel in der Schwebe. Allen voran die Nachfrage nach Speicher wegen KI. Je nach Dauer dieser Phase könnte es natürlich auch massive Verschiebungen nach unten geben. Nichts Genaues weiß man eben nicht. Ansonsten würde ich definitiv mehr mit Aktien zocken 😂
 
STM64 schrieb:
Vor allem Federkontakte sind da schon ein massiver Vorteil. Wobei es da auch nicht verschraubt sein muss. LGA schafft das auch so, wobei da vermutlich der Footprint größer gewesen wäre.
Entscheidend ist der Schritt hin zu horizontaler Schichtung des Speichers über den Kontakten. Ob das verschraubt oder geklemmt wird, spielt am Ende eine untergeordnete Rolle gegenüber den Signalwegen. Wir sind bei Taktfrequenzen angekommen, wo ein Elektron (präziser: eine Ladung) mehrere Zyklen braucht, um einen Chip zu durchqueren. Entsprechend ist das Chipdesign bei CPUs angepasst worden. Speicher zieht da jetzt technisch einfach mit. Da ist jede Abkürzung auf dem Leitungsweg willkommen.
 
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