News UMC: 3D-Transistortechnologie für 20-nm-Prozess erworben

Volker

Ost 1
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Der taiwanische Auftragsfertiger United Microelectronics Corporation (UMC) hat die von IBM und dem dazugehörenden Industriekonsortium entwickelte 3D-Transistortechnologie, auch FinFET genannt, lizensiert. Diese soll ab der 20-nm-Fertigung zum Einsatz kommen.

Zur News: UMC: 3D-Transistortechnologie für 20-nm-Prozess erworben
 

noay11

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"FinFET-Transistoren bringen Intel 4 Jahre Vorsprung vor TSMC und Globalfoundries"

nimmt man UMC zu, haben sich die 4 jahre schnell ausgelöst.
 

pipip

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noay11
Erstens waren es 3 Jahre laut Intel ^^ und weiteres, hat man nur mit Bulk vergleichen, nicht aber mit SOI ^^ ect...
 

LundM

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hust intel produziert schon 1 jahr mit 3d^^

umc redet grade davon das sie wollen:)

abesehen von bulk und soi ist das schon viel unterschied.
 

Mastermind89

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Ob man bei FinFET's Bulk oder SOI Substrate nimmt ist relativ egal...
 
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Cave Johnson

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Ob man bei FinFET's Bulk oder SOI Substrate nimmt ist relativ egal...
Das ist alles andere als egal. Intel setzt vermutlich nur auf Bulk, weil ein Wafer ca. 1/4 eines SOI-Wafers kostet.

Es wird aber gemutmaßt, dass Intel bei der fortschreitenden Miniaturisierung auch auf SOI wechseln muss. Die Fertigung auf Bulk ist wesentlich aufwendiger, wodurch sich die Kosten eines SOI-Wafers vermutlich leicht amortisieren würden.


Neben UMC haben übrigens auch schon andere Firmen längst bei Intel wegen deren FinFET-Technologie angeklopft.
 

Nixdorf

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Neben UMC haben übrigens auch schon andere Firmen längst bei Intel wegen deren FinFET-Technologie angeklopft.

Da steht nichts von eine Anfrage bei Intel, sondern bei IBM.

Im Übrigen sind es bei Intel 22nm und nicht 20nm. Und man kann die Technologie nicht "erwerben", sondern Intel wird in dem Fall selbst Auftragsfertiger, und das natürlich nur für Kunden, die nicht in Marktsegmenten fertigen, die Intel selber bestellt. Man will sich ja keine Konkurrenz schaffen.
 
Zuletzt bearbeitet: (Text erweitert.)
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Cave Johnson

Gast
Sorry, meinte natürlich IBM; war wohl wegen dem Absatz darüber gedanklich bei Intel ;)
 

Iapetos

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Zitat von News:
Der taiwanische Auftragsfertiger United Microelectronics Corporation (UMC) hat die von IBM und dem dazugehörenden Industriekonsortium entwickelte 3D-Transistortechnologie, auch FinFET genannt, lizensiert.
Das Wort "lizensieren", also theoretisch das intransitive "lizenzieren", existiert in der deutschen Sprache (und daher im Gegensatz zur englischen) nicht. Mögliche Alternativen sind nicht rar.
Ich möchte hier den Anstoß an die News-Redaktion geben, in Zukunft englische Pressemitteilungen nicht stumpf (= ohne weiteres Nachdenken) in die deutsche Sprache zu "synchronisieren". Davon würden sowohl erstere als auch letztere erheblich profitieren. Danke.
 

Crassus88

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wer lässt denn überhaupt noch bei umc fertigen? schon ewig nichts mehr von denen gehört, glaub meine geforce6800 GT wurde damals vonumc gefertigt?
 

canada

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Aktuell ist UMC, nach TSMC und (noch) vor Globalfoundries zweitgrößter Auftragsfertiger, wie viele Halbleiterhersteller mit der 28-nm-Technologie beschäftigt,
Seit ihr euch da sicher, hattet ihr letztens nicht selber eine News gebracht, das GloFo UMC knapp überholt hat? Und UMC muss sich langsam ran halten, denn aktuell haben die den Anschluss etwas verpasst, was man auch sehr deutlich an deren Quartalsberichten sieht.
 

Mastermind89

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Das ist alles andere als egal. Intel setzt vermutlich nur auf Bulk, weil ein Wafer ca. 1/4 eines SOI-Wafers kostet.

Es wird aber gemutmaßt, dass Intel bei der fortschreitenden Miniaturisierung auch auf SOI wechseln muss. Die Fertigung auf Bulk ist wesentlich aufwendiger, wodurch sich die Kosten eines SOI-Wafers vermutlich leicht amortisieren würden.

Meine kurze und nicht sehr eindeutige Antwort war eher auf die elektrischen Eigenschaften bezogen...
Derzeit macht bei den Trigates wegen der Kosten ein Bulk Wafer gegenüber einem SOI Wafer mehr Sinn (ökonomisch gesehen), wie du schon sagtest. Jedoch treten bei der Skalierung dieser auch wieder andere Probleme auf wie bei "normalen" planaren Transistoren.
Was mit einem SOI Wafer wohl auch nicht gelöst werden kann, die RLZ ist ja im Fin und nicht im Substrat, der Transistor ist ja schon im vollständigen Verarmungszustand.

Soweit sind jedenfalls meine Kenntnisse, was die Intel Ingenieure in der Zukunft machen wird sich zeigen.
 
C

Cave Johnson

Gast
Die Verarmungszone ist bei bisherigen Transistoren (egal ob planar oder FinFET) aber nie vollständig verarmt; und je kleiner alles wird, desto mehr macht sich das bemerkbar.

Um damit verbundene Probleme bei Bulkwafer zu lösen, arbeitet Intel u.a. mit zusätzlichen Sidewallimplantationen (Unterbindung von Leckströmen ins Substrat). Dadurch, dass es beim Bulkwafer keine Ätzstopplayer gibt, ist zudem die variierende Finnenhöhe problematisch. Globalfoundries versucht es zusätzlich mit einem dual-STI-Prozess.

SOI-Wafer mit vollständig verarmten Transistoren gibt es dagegen bereits, und damit sind o.g. Probleme allesamt erschlagen. IBM, ST-Erikson und STM werden daher SOI-Wafer verwenden.

Weiterhin auf Bulk zu setzen wäre alles andere als normal - aber Intel ist ja auch nicht normal ;)
 
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