News : Intel sieht sich vier Jahre vor der Konkurrenz

, 127 Kommentare

Eines der Themen auf dem IDF in San Francisco ist natürlich auch der Sandy-Bridge-Nachfolger Ivy Bridge. Herausragendes Merkmal des in 22 Nanometer Strukturbreite gefertigten Prozessors ist der sogenannte Tri-Gate-Transistor, der im Vergleich mit traditionellen, planaren Transistoren deutliche Vorteile bieten soll.

Diese gehen deutlich über das Maß hinaus, das durch einen einfachen Shrink erreichbar wäre. Gegenüber der Konkurrenz bedeutet dies einen signifikanten Vorteil, der sich durch bloße Shrinks nicht ausgleichen lässt, zumal Intel ohnehin auch bei der Strukturbreite die Nase vorne hat. Ausgehend von dem, was Intel über die Roadmaps der anderen großen Foundries – TSMC, Globalfoundries, Samsung und IBM – zu wissen meint, sieht das Unternehmen sich mit der Einführung von Tri-Gate-Transistoren ganze vier Jahre vor der Konkurrenz, die frühestens Ende 2015 mit dem Wechsel zur 14-Nanometer-Prozessgeneration Tri-Gate-Transistoren einführen soll.

Transistor-Technologien der verschiedenen Foundries
Transistor-Technologien der verschiedenen Foundries

Sollten Intels Vorhersagen in dieser Form eintreffen, würde sich der Abstand zur Konkurrenz verglichen mit den letzten Neuerungen weiter vergrößern. Bei der Einführung von Strained Silicon (Intel Pentium 4 „Prescott“) betrug der Abstand noch drei Jahre, bei High-k Metal Gates (Intel Core 2) bereits dreieinhalb Jahre. Für Intel bedeutet dies jeweils einen zusätzlichen, von der Prozessor-Mikroarchitektur unabhängigen Vorteil. Insbesondere die Tri-Gate-Transistoren versprechen eine deutlichere Verbesserung bei Leistungsaufnahme und Taktraten. Wie sich dies letztendlich in der Praxis auswirkt, wird sich mit der Einführung von Ivy Bridge im nächsten Jahr zeigen.