2/7 Samsung SSD 960 Evo im Test : Höchstleistung mit NVMe über M.2 wird massentauglich

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Schreibraten & Turbo

TLC-NAND (3 Bit) lässt sich nicht so schnell beschreiben wie MLC-NAND (2 Bit). Aus diesem Grund setzt auch Samsung bei TLC-basierten SSDs auf einen zusätzlichen Schreibpuffer, einen Pseudo-SLC-Cache, den der Hersteller TurboWrite nennt. Ein Teil des nicht benötigten TLC-Speichers wird dabei im schnelleren SLC-Modus mit nur einem Bit pro Zelle betrieben. Erst anschließend werden die Daten im Leerlaufbetrieb auf herkömmliche Weise gesichert. Für den Anwender werden Schreibvorgänge spürbar beschleunigt.

Samsung SSD Global Summit 2016
Samsung SSD Global Summit 2016

TurboWrite Reloaded

Mit der 960 Evo führt Samsung eine neue Form des Zwischenspeichers ein. Der Name lautet nun „Intelligent TurboWrite“. Dabei nutzt Samsung wie schon bei der 850 Evo einen festen Teil des Reservespeichers in der Spare Area im SLC-Modus. Sofern auf der SSD genügend freier Speicherplatz vorhanden ist, wird bei Bedarf neuerdings auch der Nutzspeicher als SLC-Puffer genutzt. Dynamisch können somit je nach Modell 9 bis 36 GByte zusätzlicher SLC-Cache geboten werden, wenn der anstehende Datentransfer dies erfordert.

Mit dem festen Cache zusammengerechnet, bietet die 960 Evo nun maximal 13 bis 42 GByte SLC-Cache. Das gestestete 500-GB-Modell besitzt 4 GByte festen SLC-Cache, der immer zur Verfügung steht, sowie 18 GByte dynamischen Cache, der je nach Speicherplatz zur Verfügung steht – zusammengerechnet also bis zu 22 GByte Schreibpuffer.

Pseudo-SLC-Cache (TurboWrite) bei der Samsung 960 Evo
250 GB 500 GB 1.000 GB
statisch (immer) 4 GB 6 GB
dynamisch (wenn Speicherplatz frei) 9 GB 18 GB 36 GB
Gesamt 13 GB 22 GB 42 GB

Schreibraten mit und ohne Turbo

Samsungs TLC-3D-NAND ist für TLC-NAND-Flash zwar verhältnismäßig schnell beim Schreiben, doch erheblich langsamer als der MLC-3D-NAND der 960 Pro. Erst wenn der Controller sehr viele TLC-Speicherchips parallel ansprechen kann, werden auch ohne Turbo hohe Schreibraten erzielt. Die 960 Evo mit 1 TB bringt es dann immerhin auf 1.200 MB/s (1.900 MB/s mit Turbo). Die kleine 250-GB-Variante bietet aber nur 300 MB/s statt 1.500 MB/s mit Turbo. Das getestete 500-GB-Modell erreicht im Cache bis zu 1.800 MB/s und nach dem Cache 600 MB/s. Die 960 Pro benötigt diesen Turbo-Cache nicht und schafft durchweg über 2.000 MB/s beim Schreiben, sofern die Kühlung ausreicht.

Sequenzielle Schreibrate mit und ohne SLC-Cache
250 GB 500 GB 1.000 GB
TurboWrite 1.500 MB/s 1.800 MB/s 1.900 MB/s
nach dem Cache 300 MB/s 600 MB/s 1.200 MB/s

Aufkleber mit Kupferkern

Wie schon bei der 960 Pro setzt Samsung auf eine ungewöhnliche, wenngleich simple Maßnahme zur Kühlung der 960 Evo. Auf der nicht mit Chips bestückten Modulrückseite ist ein weiterer Aufkleber angebracht, der es in sich hat: Ein dünner Kupferfilm im Aufkleber dient als Wärmeleiter.

Samsung 960 Evo im Test
Samsung 960 Evo im Test

In Verbindung mit dem effizienteren Polaris-Controller konnte Samsung so den Zeitpunkt bis zur temperaturbedingten Leistungsdrosselung (Dynamic Thermal Guard) verlängern beziehungsweise die bis zur Drosselung mögliche Datentransfermenge steigern. Dass sich die Maßnahme als effektiv erweist, bestätigten die Messungen mit der 960 Pro.

950 Pro 960 Evo 960 Pro
Transfergröße bis Drosselung Seq. Lesen 158 GByte 253 GB 333 GByte
Zeit bis Drosselung Seq. Lesen 63 Sek. 79 Sek. 95 Sek.
Herstellerangaben

Technische Eckdaten

Samsung SSD 960 Evo
Samsung SSD 960 Pro
Samsung SSD 850 Evo
Controller: Samsung Polaris, 8 NAND-Channel
Samsung MGX, 4 NAND-Channel
Variante
Samsung MEX, 8 NAND-Channel
Variante
Samsung MHX, 8 NAND-Channel
DRAM-Cache:
512 MB LPDDR3-1866
Variante
1.024 MB LPDDR3-1866
512 MB LPDDR3-1866
Variante
1.024 MB LPDDR3-1866
Variante
2.048 MB LPDDR3-1866
256 MB LPDDR2
Variante
512 MB LPDDR2
Variante
1.024 MB LPDDR2
Variante
2.048 MB LPDDR3
Variante
4.096 MB LPDDR3
Variante
512 MB LPDDR3
Variante
1.024 MB LPDDR3
Speicherkapazität: 250 / 500 / 1.000 GB 512 / 1.024 / 2.048 GB 120 / 250 / 500 / 1.000 / 2.000 / 4.000 GB
Speicherchips: Samsung ? Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 48 Lagen) NAND, 128 / 256 Gbit Samsung ? Toggle DDR 2.0 MLC (3D, 48 Lagen) NAND, 256 Gbit
Samsung 40 nm Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 32 Lagen) NAND, 128 Gbit
Variante
Samsung Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 48 Lagen) NAND, 256 Gbit
Formfaktor: M.2 (80 mm) 2,5 Zoll (7 mm)
Interface: PCIe 3.0 x4 SATA 6 Gb/s
seq. Lesen: 3.200 MB/s 3.500 MB/s 540 MB/s
seq. Schreiben:
1.500 MB/s
Variante
1.800 MB/s
Variante
1.900 MB/s
2.100 MB/s 520 MB/s
4K Random Read:
330.000 IOPS
Variante
380.000 IOPS
330.000 IOPS
Variante
440.000 IOPS
94.000 IOPS
Variante
97.000 IOPS
Variante
98.000 IOPS
4K Random Write:
300.000 IOPS
Variante
330.000 IOPS
Variante
360.000 IOPS
330.000 IOPS
Variante
360.000 IOPS
88.000 IOPS
Variante
90.000 IOPS
Leistungsaufnahme Aktivität (typ.):
5,300 W
Variante
5,400 W
Variante
5,700 W
5,100 W
Variante
5,300 W
Variante
5,800 W
k. A.
Leistungsaufnahme Aktivität (max.): ?
4,40 W
Variante
4,70 W
Variante
3,60 W
Leistungsaufnahme Leerlauf: 1.200,0 mW
50,0 mW
Variante
60,0 mW
Variante
70,0 mW
Leistungsaufnahme DevSleep: kein DevSleep
2,00 mW
Variante
4,00 mW
Variante
5,00 mW
Variante
10,00 mW
Leistungsaufnahme L1.2: 5,0 mW
5,0 mW
Variante
8,0 mW
kein L1.2
Funktionen: NVMe, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection AHCI, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection, DevSleep
Verschlüsselung: AES 256 AES 256, IEEE-1667, TCG Opal 2.0, Windows eDrive
Total Bytes Written (TBW):
100,00 Terabyte
Variante
200,00 Terabyte
Variante
400,00 Terabyte
400,00 Terabyte
Variante
800,00 Terabyte
Variante
1.200,00 Terabyte
75,00 Terabyte
Variante
150,00 Terabyte
Variante
300,00 Terabyte
Garantie: 3 Jahre 5 Jahre
Preis: ab 122 € / ab 233 € / ab 428 € ab 307 € / ab 592 € / ab 1.187 € ab 78 € / ab 94 € / ab 161 € / ab 319 € / ab 619 € / ab 1.365 €
Preis je GB: € 0,49 / € 0,47 / € 0,43 € 0,60 / € 0,58 € 0,65 / € 0,38 / € 0,32 / € 0,31 / € 0,34

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