Auftragsfertiger: TSMC forciert Forschung an 2 nm, AMD füllt Huawei-Lücken

Volker Rißka 176 Kommentare
Auftragsfertiger: TSMC forciert Forschung an 2 nm, AMD füllt Huawei-Lücken
Bild: TSMC

TSMC forciert laut Medienberichten aus Asien die Forschung und Entwicklung an dem übernächsten Fertigungsschritt, der die Produktion von 2-nm-Chips anstrebt. Derweil soll AMD die durch den Huawei-Bann freigewordenen Kapazitäten bei der 5-nm-Produktion nutzen und will so Fehler der Vergangenheit vermeiden.

AMD will gleiche Fehler vermeiden

Denn eines von AMDs großen Problemen zum Start von Zen 2 war die Lieferbarkeit vieler 7-nm-Produkte, worauf AMD im Nachgang auch offiziell zu verstehen gab, die Nachfrage unterschätzt und zu wenige Wafer bei TSMC bestellt zu haben.

We did have some shortfalls on chips when we first launched our highest performing Ryzens, and that was simply demand outstripping what we had expected and what we had planned for. That wasn’t a TSMC issue at all.

AMD-CTO Mark Papermaster

Daraus hat AMD allem Anschein nach seine Lehren gezogen und profitiert laut übereinstimmenden Medienberichten nun von der Sperre seitens der USA gegenüber Huawei-Produkten, die sich auf Auftragsfertiger wie TSMC auswirken. Diese nehmen angeblich seit dem 15. Mai keine Bestellungen mehr von Huawei entgegen und machen die bereits gebuchten Kapazitäten frei für andere Hersteller. AMD soll bei 5 nm mit entsprechender Vorliebe zugegriffen haben. Diese könnte sowohl bei einer neuen GPU-Generation als auch CPU-Generation, vermutlich Zen 4, zum Einsatz kommen.

TSMC forciert F&E bei 2 nm: Neue Technologie?

TSMC arbeitet derweil weiter an den kommenden Fertigungstechnologien. Während der Plan für den 3-nm-Fertigungsschritt bereits seit einiger Zeit fest steht, rückt die Nachfolge mit 2 nm mehr in den Fokus. Denn mit dem Start der risk production im kommenden Jahr bei 3 nm und der Serienproduktion einem Jahr später, muss der Fahrplan für 2 nm längst gelegt sein. Zwei zusätzliche EUV-Belichtungssysteme sollen beim Vorantreiben der Forschung und Entwicklung des übernächsten Prozesses helfen, berichten asiatische Medien, bei dem es größere Veränderungen geben dürfte.

Denn während TSMC bei 3 nm noch auf klassische FinFETs setzt und keine neue Technologie einführen wird, also den eher sicheren denn riskanteren Weg geht, strebt Samsung bereits Gate all around (GAA), oder wie der Hersteller es nennt, Multi-Bridge Channel FET (MBCFET), bei 3 nm an. Eine ähnliche Entwicklung wird deshalb auch bei TSMC erwartet, wenngleich sie vor dem Jahr 2023 ohnehin nicht serienreif sein wird.