Abwarten, über die maximale Taktung der 90nm-Parts haben wir ja noch nicht soooo viel erfahren, theoretisch sollte da ein wenig Potential sein...wenn der Core denn nicht wieder so ein Designflop wie der TB-A ist...
Zur Verlustleistung: mal wieder ist die Spannung etwas hoch...1.4V...puhhh...offenbar geht da wer yield-mäßig noch auf Nummer sicher. Immerhin verträgt der S939 min. 89W TDP, also braucht AMD auch nicht unbedingt darunter bleiben. Mit 84 mm² ist der Winchester auf jeden Fall in der Lage, den Markt in großen Stückzahlen zu erreich - das erste Mal für den K8!
Transition 90>65nm: wird weniger ein Problem, denn das kritische Kriterium für Leckströme - die Dicke des Gateoxids - ist bereits bei 90nm mit ca. 5 Atomlagen an der Grenze für SiO2 angekommen. Darunter geht nichts. Ergo, auch ein oberflächlich auf 65er Größe geshrinkter Transistor wird nicht mehr Leckströme haben als ein 90er. Das Ganze unter der Voraussetzung, das jetzige CMOS-Transistordesign wird nicht zu sehr verändert .
Zur Verlustleistung: mal wieder ist die Spannung etwas hoch...1.4V...puhhh...offenbar geht da wer yield-mäßig noch auf Nummer sicher. Immerhin verträgt der S939 min. 89W TDP, also braucht AMD auch nicht unbedingt darunter bleiben. Mit 84 mm² ist der Winchester auf jeden Fall in der Lage, den Markt in großen Stückzahlen zu erreich - das erste Mal für den K8!
Transition 90>65nm: wird weniger ein Problem, denn das kritische Kriterium für Leckströme - die Dicke des Gateoxids - ist bereits bei 90nm mit ca. 5 Atomlagen an der Grenze für SiO2 angekommen. Darunter geht nichts. Ergo, auch ein oberflächlich auf 65er Größe geshrinkter Transistor wird nicht mehr Leckströme haben als ein 90er. Das Ganze unter der Voraussetzung, das jetzige CMOS-Transistordesign wird nicht zu sehr verändert .