News Intels Chipsätze ab 2008 in 65 nm

[Voyager10]

Die Zeiten kommen also wieder wo der Chipsatz noch keinen Kühlkörper benötigte

@GollumTx :
Das Problem wird wohl sein das dir, bei der Schreibschwäche, keiner abkaufen wird das bzw. ob du von irgendwas Plan hast.

 

[FabianX2]

Zu #1 kann man nur sagen das ein solcher Post vieleicht auf mehr Aktzeptanz stoßen würde wäre er nicht so schäbig Formuliert. Ncihts gegen umgangssprachliche ausdrucksweißen aber muss es den so wulgär sein? Recht mag er ja haben, im lauf des tages werden die ganzen stromfanatiker ihren Senf dazu geben. Für ein Laptop ja das seh ich ein, tolle sache. Aber ich seh den forteil in den neuen chipssätzen nicht in der spaarsamkeit, jedenfalls nicht was desktop systeme angeht. Viel interessanter ist die geringere Hitzentwicklung wen ich einen blick über neue mainboards schweifen lassen sehe ich gigantische heat pipe konstruktionen und verhältnismäßig große aktive lösungen. Aber das beste ist das höhere übertaktungspotential. Ja da wird #1 wieder das lachen anfangen aber es ist tatsache das mein system nicht durch eine zu heiße cpu oder den arbeitsspeciher instabiel wird, es ist der chipsatz der das glühen anfäng. Alles in allem kann man intel nur beglückwünschen. Werde dan wohl auch noch eine weile warten ...

 

[Crazy-Chief]

Jetzt werden Grafikkarten und Chipsätze auch schon in 65nm produziert bzw bald. Das ist eine sehr gute Sache, nur frage ich mich grade wie es danach weiter geht. Ok, nach 65nm kommen 45nm und danach dann 32nm und darauf soll dann wiederum 22nm folgen. Nun meine Frage, was kommt nach 22nm, rein rechnerisch wär es 16nm-->11nm-->8nm-->6nm-->4nm-->3nm-->2nm-->1,5-->usw., nur hab ich nach 22nm nix mehr gehört von weiteren Shrinks. Wie geht es nach 22nm weiter, lassen sich die heutigen Materialien noch weiter minimieren, oder muss dann ein anderes Material her, z.B. Nanoröhrchen oder ähnliches????

Also Jungs und Mädels, macht mich jetzt nicht so an, weil es nicht so richtig zum Thema gehört, gebt mir ein paar Anworten, oder spinnt/träumt mit mir ein bisschen die relativ nahe Zukunft, ich möchte einfach nur mal so wissen wie es in 10 Jahren oder so aussehen kann. Wer hätte gedacht das die Entwicklung so schnell/weit voran geht, wenn man bedenkt das der Pentium noch in 800nm (0,8µm) produziert wurde, ist das schon fast Wahnsinn. Mit jeder zweiten Generation wurden die Strukturen halbiert,

800nm-->600nm-->350nm-->250nm-->180nm-->130nm-->90nm-->65nm-->45nm-->32nm-->22nm-->????

Finde ich schon verrückt wie das von statten geht. Was kommt nach 22nm????

 

[Nova1984]

Wieder 350W Netzteile nutzen können?
Welcher PC braucht mehr als 350W? (Quad-Sli oder G80/R600 mal außen vor gelassen)

Mit einem X2 3600+, M2N-E und 7600GT komme ich auf ~110W @Vollast (ohne Bildschirm)
Selbst mit C2D E6700 + 7900GT dürfte man locker unter 150W liegen, nur für absolute High-End Systeme braucht man >350W

Das die Chipsätze bald in 65nm gefertigt werden sollte keinen überraschen, warum sollte die beim alten Prozess bleiben wenn der neue rentabler ist? War doch schon immer so...
Das die Teile dadurch wesentlich Stromsparender werden glaube ich nicht, wir sind schon sehr nahe an der physikalischen Grenze wodurch die Stromspar-Effekte eines Shrinks wohl immer kleiner werden... (lediglich die Ausbeute steigt) Hinzu kommt der höhere FSB sodass der Stromverbrauch eventuell noch ansteigen wird.

@23: Ein Silizium-Atom ist ca.2nm groß, d.h. bei 2nm ist auf jeden fall Ende mit der aktuellen Technik, aber schon früher beginnen Quanteneffekte und Leckströme enorme Probleme zu machen (außerdem wird die Hitzeabfuhr ein Problem), vielleicht gibts noch 16nm aber viel kleiner gehts vermutlich nicht mehr.


Gruß
Nova

 

[Crazy-Chief]

Danke, so etwas in der Art hab ich auch schon gehört, von wegen Physikalische Grenze erreicht, ok, dann sind vielleicht noch 16nm mit Silizium drin, aber was ist danach, ich weiß blöde Frage, aber vielleicht hat jemand doch noch ne Anwort. Ich hatte vor ein paar Tage nen Link gesehen, ich glaub ZDNet war das, wo was von Nanoröhrchen stand und das damit noch etwas kleinere und vor allem leckstromgeringere CPU gebaut werden können. So ganz verstanden hab ich das aber nicht, war auch nicht sehr lang der Artikel.

 

[Mike Lowrey]

Schön, immer weiter runter mit dem Stromverbrauch, so und nicht anders will ich das sehen.

 

[ed123]

@23: Ein Silizium-Atom ist ca.2nm groß, d.h. bei 2nm ist auf jeden fall Ende mit der aktuellen Technik, aber schon früher beginnen Quanteneffekte und Leckströme enorme Probleme zu machen (außerdem wird die Hitzeabfuhr ein Problem), vielleicht gibts noch 16nm aber viel kleiner gehts vermutlich nicht mehr.
Nova

Ein Si-Atom ist ca 0,2 nm groß und nicht 2nm
also zur Zeit noch viel Platz für weitere Shrinks.

 

[Voyager10]

Die Strukturgrößen beziehen sich auf den Abstand der Leiterbahnen auf dem SI-Chip und soweit ich weiss ist da bei 22nm Abstandsbreite von Leiterbahn zu Leiterbahn wirklich Schluss , warum wurde schon genannt.

 

[ich3k]

Naja da bei FETs die einzig wirklich relevante größe die Gatelänge ist, denke ich mal das die 65nm etc. sich auf die Gatelänge beziehen. Das heist die Anschlüsse der Transistoren können durchaus kleiner sein.
Das mit der Größe der Abstand der Leiterbahnen beschrieben wird, halte ich für sehr unwahrscheinlich, da dies einer der am uninteresanntesten Teile in einer Mikroschaltung ist.

 

[Voyager10]

Es ist aber so , die bekannten Strukturgrößen 110nm , 90nm, 65nm von CPUs GPUs sind alles Leiterbahnabstände.

 

[ed123]

Die nm Angaben bzgl. eines Fertigungsprozesses beziehen sich immer auf die minimal mögliche Gatelänge für ein Transistor, d.h. bei 45nm Technologie befinden sich Drain und Source 45 nm voneinander. Die Leiterbahnabstände haben mit diesen angaben nicht viel zutun.
Die 22 nm werden als Grenze gesehen, da es nicht mehr möglich diese Strukturgößen mit 'normalen' optischen Verfahren zu belichten (wobei schon heute es nur mit Tricks möglich ist 65 nm zu belichten) Unter dieser Strukturgrößen müssen halt Röntgenstrahlen her, jedoch sind die Verfahren um Größenordnung teuerer im Vergleich zu heute.

 

[Keita]

Die Strukturgrößen beziehen sich auf die kleinste realisierbare Abmessung, bei einem MOS-Transistor also auf die Länge der Gate-Elektrode. Derzeit lassen sich Strukturgrößen von 45 nm in Stückzahlen realisieren, mit der herkömmlichen Lithografie wird aber bei 13,5 nm das Ende der Fahnenstange erreicht sein.

greetings, Keita

 

[Aral]

Also ich stimm GollumTx teilweise zu. Muss auch immer viel lachen. Ich glaub ich könnte von allen regelmäßigen Postern hier das Alter auf +-1 Jahre schätzen

 

[Thaquanwyn]

... na, dann bin ich mal gespannt - du darfst bei mir anfangen ...

 

[katanaseiko]

@23: Rein theoretisch kommt man auf 0.51 nm runter... Das ist die Kristallgittergröße von Silicium...

@32: Nicht ganz, man muss im Grunde die Wellenlänge der eingesetzten Strahlung und deren Frequenz bearbeiten... Ist technisch eine Herausforderung, aber ich glaube nicht, dass bei 13,5 nm das Ende erreicht ist, das Kristallgitter wird eher das Ende sein...

Ein gutes hat das Ganze, je näher man der Kristallgittergröße kommt, desto geringer muss der Stromeinsatz werden, sich immer mehr in Richtung Millivolt bewegen... Wer weiß, vielleicht arbeiten die Prozessoren irgendwann mit 200mV, wie derzeit SATA?

 

[Keita]

IIRC ist bei rund 13,5 nm die Grenze erreicht, unterhalb derer keine transparenten Materialien existieren, so daß die herkömmliche Lithografie auch mit Wellenlängen unterhalb von EUV (< 13,5 nm) nicht mehr weiterkommt.

greetings, Keita

 

[silent-efficiency]

Dank Keita weiß ich jetzt, dass man mit herkömmlicher Lithografie nicht unterhalb von 13,5nm kommt.
Allerdings bleibt die Aussage korrekt, dass eher die Atomgröße oder Gitterkonstante und die Probleme mit der wachsenden Leckströmen/Quanteneffekten die Grenze darstellt. Denn man muss ja nicht bei der herkömmlichen Lithografie bleiben!

Habe aber noch eine Frage zur Lithografiegrenze. Es gibt keine transparenten Materialien für Wellenlänge unterhalb von 13,5 nm. Was ich jetzt einfach mal so glaube. Aber muss dies wirklich das Ende der Lithografie bedeuten? Das kann man sicher noch irgendwie überlisten. Das ist ja genau so wie jetzt. Man bildet mit einem Licht einer größeren Wellenlänge etwas ab, was kleiner als die Wellenlänge ist. Die Wellenlänge kann man ja zunächst auch als Grenze ansehen, aber man kann diese Grenze doch durch "Tricks" WEIT herabsetzen. Warum sollte man also mit einem Licht, dass eine Wellenlänge von 13,5 hat, eben wieder durch ähnliche "Tricks" etwas nicht abbilden können, was kleiner als diese Wellenlänge ist?!

 

[Keita]

Die Grenze für transparente Materialien liegt bei rund 13 nm, in meinem Alter fällt es zunehmend schwerer mehr als eine Zahl zu merken...
Nach derzeitigem Kenntnisstand werden 10 nm als minimale Strukturgröße bei der Halbleiter-Lithografie angesehen, danach geht es dann wohl mit Kohlenstroff-Nanoröhrchen weiter, eine kurze Meldung von der ISSCC gab es Anfang des Jahres im Heise-Ticker unter dem Titel ISSCC: Was kommt nach CMOS?.

greetings, Keita

 

[Crazy-Chief]

Danke, genau da wollte ich drauf hinaus. Der Link ist sogar noch ein bisschen genauer, wenn man da überhaupt von genau reden kann. Damit wären erst mal meine Fragen beantwortet, und ich bin sehr zufrieden mit den Antworten die hier kamen.


[Fazit]

Die miniaturisierung geht noch eine ganze lange Zeit weiter, wenn die eine Technik erschöpft ist wird halt mit einem anderen Verfahren weiter gemacht. Ich vermute mal das die jetztige Entwicklung noch gut 5-8 Jahre so weiter geht, bis denn ein neues Fertigungsverfahren kommt und das Spiel von neuem beginnt. Rosige Aussichten...

 

[kisser]

@23: Ein Silizium-Atom ist ca.2nm groß,

Nein, da liegst du um den Faktor 10 daneben, es sind etwa 0.11 nm (kovalenter Radius).

http://de.wikipedia.org/wiki/Silicium

/edit: i seh gerade, dass das schon erwaehnt wurde....