hemema schrieb:
Wie sieht es eigentlich mit meinem Ram aus?
G.Skill Trident Z RGB DIMM Kit 32GB
Diese hat CL17-19-19-39 doch was genau bedeutet das? Lese hin und wieder das jemand CL14-14-14 nehmen soll doch was ist da der Unterschied und merkt man diesen?
Eine vereinfachte Veranschaulichung:
Die Taktrate/Schrittgeschwindigkeit (z.B. 3200
MT/s) gibt Auskunft darüber, wieviele Operationen der RAM pro Sekunde ausführen kann (in Taktzyklen oder
Mega
Transfers pro
Sekunde).
Die Timings besagen wieviele Taktzyklen davon benötigt werden, um bestimmte Operationsketten auszuführen.
Z. B. die
CAS
Latency (
CL; der erste Wert bei den Timing Angaben) ist die Verzögerung in Taktzyklen, die der Speicherbaustein braucht, um die gelieferten Daten zu verarbeiten bis neue Daten in den Speicher geschrieben werden können. In Deinem Fall also 17 der 3,6 Milliarden Taktzyklen pro Sekunde.
Auf den RAM Modulen (DDR4-3000+) werden immer die gleichen Chips/Speicherbausteine verbaut (Samsung B-die, Hynix MFR, Hynix AFR). Diese Chips haben recht eng umrissene physikalische Fähigkeiten.
Nimmt man einen bestimmten Speicherchip (z.B. Samsung B-die), so kann man ihn mit 3200 CL15 betreiben oder mit 3600 CL17. Die Zeit, die dem Speicher für den CAS eingeräumt wird, bleibt dabei ungefähr gleich (vereinfacht 15/3200=4,69ns; 17/3600=4,72ns). Respektive sind das bei 3200 CL14 4,38ns und bei 3600 CL16 4,44ns.
Du siehst, dass die für die CAS benötigte Zeit in den verschiedenen Takt-Timing-Verhältnissen ungefähr gleich ist.
Sowohl die Taktrate als auch die Timings kann man manuell festlegen. Überschreitet man jedoch die Fähigkeiten der Speicherbausteine, wird der RAM instabil, da es ihm physikalisch nicht mehr möglich ist, in der vorgegebenen Zeit die Operationsketten auszuführen, was in Folge zu Fehlern führt. Bei 3600 MT/s und CL14 würden beispielsweise 3,89ns vom RAM verlangt. Das ist auch für B-die nicht zu schaffen.
Man kann die Eigenschaften der Speicherbausteine verbessern, indem man die Spannung erhöht und damit die Stromzufuhr steigert. Aber natürlich sind auch hier physikalische Grenzen gesetzt. Je höher die Spannung desto höher die Hitzeentwicklung, desto höher der Verschleiß.
Innerhalb einer Speicherchipfamilie gibt es jedoch auch Unterschiede in der Güte der Chips. Die Strukturen innerhalb eines Chips bemessen sich in Nanometern (millionstel Millimeter). Auf dieser mikroskopischen Ebene bleibt es nicht aus, dass es Unterschiede in der "Verarbeitungsqualität" gibt. Ein nicht unerheblicher Teil der Chips muss schon zu Beginn als ungenügend aussortiert werden. Der Rest wird über eine Selektion - das sogenannte binning - nach seinen Eigenschaften sortiert. Die besten Chips halten Einzug auf den am höchsten gelabelten Speichermodulen. Sie zeichnen sich entweder dadurch aus, dass sie besonders hohe Spannungen vertragen oder aber besonders gute Taktraten/Timings bei niedriger Spannung erzielen können.
Wie schnell der Arbeitsspeicher arbeitet, misst sich allerdings nicht allein am RAM selbst, sondern auch am Memory Controller (
IMC oder
Integrated
Memory
Controller). Das ist der Chip, der den Datenaustausch zwischen RAM und Prozessor steuert.
Wenn der IMC nicht mit der Geschwindigkeit des RAMs Schritt halten kann, hilft auch der beste RAM nicht weiter.
Das Beschriebene ist eine grobe Vereinfachung der Sachverhalte. Es spielen noch viele Faktoren und Interdependenzen eine Rolle.
Als Schlussfolgerung lässt sich festhalten, dass es relativ egal ist, ob Du DDR4-3200 C14 kaufst oder DDR4-3600 C17. Auf diesen Modulen sind immer Samsung B-die Chips verlötet. Mit der Möglichkeit die Taktrate und die Timings manuell festzulegen, kannst Du steuern, ob mehr Gewicht auf Taktrate oder Timings gelegt wird.
Zumindest was Ryzen anbelangt, sind hier der IMC bzw. die Spannungsregulation (VRM) der Mainboards der limitierende Faktor für Taktrate und Timings von B-die RAM.
Wie das auf aktuellen Intel Systemen aussieht kann ich nicht beantworten. Seit Ivy Bridge ich hab ich mich nicht mehr wirklich mit Intel auseinandergesetzt.
