pmkrefeld schrieb:
TLC Speicher als zuverlässig zu bezeichnen ist etwas gewagt findest du nicht?
Überhaupt nicht, woher kommt diese Ansicht?
pmkrefeld schrieb:
SLC > MLC > TLC
mir ging es eher darum, dass TLC von den verfügbaren Technologien die am wenigsten zuverlässige ist.
TLC wird seid mehr als einem Jahr in der Samsung 840er Reihe verbaut (außer in der Pro) und die ist keineswegs als besonders ausfallanfällig bekannt.
pmkrefeld schrieb:
Ausserdem ist es doch so:
Bei SLC gibt es keinen Leistungseinbruch wenn auf der Platte geschrieben wird.
Bei MLC gibt es einen wenn die Platte mehr als zur Hälfte voll ist.
Bei TLC gibt es 2, den ersten ab 1/3 und den zweiten ab 2/3.
Das ist ebenfalls total falsch, es ist nur so, dass SLC im Prinzip mehr P/E Zyklen verträgt als MLC gleicher Fertigungstechologie und gleicher Qualitätsstufe verträgt. Das gleiche gilt für MLC im Vergleich zu TLC. Es ist aber keineswegs so, dass jedes MLC NAND jedem TLC in der Haltbarkeit überlegen ist, es gibt immer auch Dies bei denen der Fertigungsprozess nicht optimal verlaufen ist und die daher weniger Zyklen vertragen, weniger als gute TLC NANDs und eigentlich nicht für SSDs geeignet sind, aber eben teils trotzdem verbaut werden, was gerade bei OCZ oft der Fall war und bei Serien wie der Petrol oder Octane SII zu sehr hohen Ausfallraten geführt hat.
Zuverlässigkeit ist also keine Frage wie viele Bits pro Zelle gespeichert werden, sonst welche Qualitätsstufe die NANDs haben und natürlich ob der Controller zuverlässig ist und die FW bugfrei.
Die von Dir beschriebenen Leistungseinbrüche treten auch nur auf, wenn man die ersten Bits zuerst beschreibt, was OCZ und Toshiba machen. Das Schreiben des ersten Bits geht deutlich schneller als das Schreiben des zweiten Bits, weshalb dann ein Einbruch der Schreibrate erfolgt. Bei der 840er gab es keinen, aber Schreibrate ist natürlich bei TLC geringer. Bei der Nachfolgeversion 840 Evo hat man daher einen Pseudo-SLC Bereich als Schreibcache eingeführt der TurboWrite genannt wird. Der ist aber fest und wird nur immer mit einem Bit beschrieben, dann werden die Daten in einer Pause sofort in den normalen TLC NAND Bereich kopiert und der Schreibcache wird geleert. Da gibt es also auch nur einen Einbruch der Schreibrate wenn diese TurboWrite Cache einmal voll sein sollte, weil zu viele Daten auf einmal ohne Pause geschrieben werden.