News Samsung stellt ersten DDR4-DRAM fertig

[F]L4SH schrieb:
Die Latenzen sind mit sichehreit jenseits von gut und Böse!
Bei DDR hatten wir noch CL2 und co. mit DDR2 war CL4 gut und bei DDR3 galt CL7 anfangs als die Speerspitze. CL10+ eher CL12 bei DDR4 nehme ich an. Aber bei solchen Taktraten ist das absolut egal. Man stelle sich das mal vor: Ein RAM mit 3000mhz und 1,3V oder so. Wahnsinn. Ich denke als LPDDR4 können wir dann für Tablets und Telefone RAM mit 0,8V sehen. Schöne Entwicklung. DDR4 würde ja auch schnell über seinen Industriestandard hinauswachsen. Am Anfang hatten wir DDR3 Module (S775 Zeit) mit 1,8V und 1600Mhz bei CL9. Jetzt 1,35V bei 1600 mit CL7.
Das hängt wohl damit zusammen, dass man die absolute Zugriffszeit eben nicht so deutlich vergeringter bekommt, warum auch immer. Bei höhren Frequenzen muß man eben mehr Takte warten, bis die Zeit um ist.

estros schrieb:
Ich denke es muss auch vorher geklärt werden, ob die Dual-/Triple-/Quad-Channel Technik überhaupt weiter fortgeführt wird. Aus Marketing-Sicht der Ram-Hertselelr macht es natürlich Sinn...
Irgendwie verstehe ich jetzt nicht, was die Technik des RAM Moduls mit der Anzahl der Speicherkanäle des Controllers zu tun haben soll. Wer sollte denn die CPU Hersteller hindern, zwei solche Module als Dual Channel zu betreiben, oder 3 als Tripple?
Das einzige was von den Modulen unterstützt werden muß, ist die Zahl der DIMMs pro Channel, aber da reicht eines bei entsprechend viele Channels ja auch locker aus und ist sowieso schneller. Mir wären Quad-Channel Controller viel lieber als die üblichen Dual-Channel mit zwei Modulen pro Channel.

dorndi schrieb:
Ich bin der Meinung, dass man auch sehr schnelle DDR3 Chips mit niedriger Spannung entwickeln könnte.
Wozu ist also DDR4 nötig?
Soviel ich weiß kann man die DDR3 Chips hauptsächlich aufgrund der kleineren Fertigung höher takten und mit niedrigerer Spannung betreiben als DDR2.
Auch mir ist der Vorteil von DDR4 gegenüber DDR3 nicht nicht einsichtig. Vielleicht auch, weil bisher so wenig Details bekannt sind. Viele der Verbesserungen wäre sicher auch mit DDR3 zu erreichen gewesen, ggf. unter Verzicht bestehender Fetures wie zwei DIMS pro Kanal. Ein noch weitere Erhöhung der Prefetches dürfte sehe ich auch nicht als großen Vorteil, da die Compiler die Anwendungen darauf optimieren müßten, denn nicht jedes Programm braucht immer gleich große Datenblöcke.
 
Unabhängig von dem Takt und der Energieeinsparung, wird man denn auch einen Leistungsgewinn spüren?
Den Unterschied von DDR2 zu 3 kann man vielleicht noch messen, aber spüren tut eigentlich kein Anwender da einen Unterschied.
Wäre schön wenn da wieder ein echter Leistungssprung wie von SD zu DDR Speicher drinstecken würden.
Aber mir kommt das eher nach einer neuen Bauform vor, die lediglich einen höheren Takt ermöglicht und ansonsten technisch identisch mit den Vorgängergenerationen bleibt.
 
andre-sebastian schrieb:
Kann es sein, dass sich hier genau der gleiche Fehlerteufel eingeschlichen hat, wie auch bei dem golem Artikel?

Laut Wikipedia konnte schon DDR-266 2,1GBit/s. Bei den DDR3 Datenraten bei 1600MHz kann ich mir gut vorstellen, dass hier für DDR4 GByte/s statt GBit/s gemeint sind.
Ne, das ist die Datenrate pro Pin, diese entspricht der "effektiven Taktrate". Das dürfte auf allen Newsseiten so stehen, da es so in Samsungs Pressemitteilung steht. Haben alle nur abgepinnt ohne sich gedanken zu machen.

Weltenspinner schrieb:
DDR4-3200: (200 MHz × 64 Bit × 16) /8 = 25.600 MB/s (24.414 MiB/s) = 25,6 GB/s
Gilt für Dual Channel! Single Channel die Hälfte, Quad Channel das Doppelte.
Also ein Speicherkanal ist 64bit breit. Dualchannel mit 128bit wären dann über 50GB/s. ;)

r0Xus schrieb:
Verstehe nicht warum sich zusammen mit den Speicherchips auch die Riegelgröße verkleinert.
Tut sie doch. Zumindest teilweise. Die Riegel die ich letztens bei nem Kollegen eingebaut hatte, hatten nur noch 2/3 der Höhe von meinen etwas älteren. (Jeweils ohne Heatspreader, nur PCB)

Wobei die PCBs immer noch extrem kahl sind. Mittlererweile sind die Chips so klein, dass man selbst im Desktopbereich problemlos auf SO-DIMM umsteigen könnte. Wäre zumindest für µATX und vor allem mini-ITX nur von Vorteil.

miagi schrieb:
dem ddr4 droht aber keine pleite wie dem Grafikkarte DDR4 Ram ?
Nein. GDDR4 hat mit DDR4 eigentlich nichts zu tun.
 
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