Neue NAND-Roadmap: Sandisk spricht über BiCS9, BiCS10 und BiCS11
Sandisk hat jüngst weitere Details über die beiden neuen NAND-Generationen BiCS9 und BiCS10 verraten und zieht Vergleiche mit dem Vorgänger BiCS8. Zudem wurde eine neue Roadmap gezeigt, die erstmals BiCS11 nennt. Sandisk erwähnt aber auch schon BiCS12 und BiCS13 ganz am Rande.
BiCS11 wird augenscheinlich kein Technik-Hybrid
Bei den Roadmaps sorgten die Flash-Partner Sandisk und Kioxia schon so manches Mal für Verwirrung. Früher war dies der Fall, als ein Sprung von BiCS6 auf BiCS8 erfolgte und BiCS7 somit ausgelassen wurde. Dann musste sich erst klären, dass sich hinter BiCS9 ein hybrider Ansatz mit einem Mix aus alter mit neuer Technik verbirgt, während der parallel vorgestellte BiCS10 die Fortsetzung der „traditionellen“ Roadmap bedeutet.
Wie Sandisk auf dem jüngsten Investor Day angekündigt hat, wird BiCS11 wieder ein regulärer Schritt. Laut der gezeigten Roadmap dürfte hier also sowohl beim Speicherbereich als auch den Logikschaltkreisen neue Technik zum Einsatz kommen.
Die große Frage bleibt nun aber, welchen Namen die „Future BiCS Technology“ bekommen soll, die neben BiCS9 als nächster Technik-Hybrid kommen wird. Bei BiCS9 kommen Speicherzellen der BiCS8-Generation in Verbindung mit dem neuen Interface von BiCS10 zum Einsatz. Möglich macht dies die „CBA“-Technik, bei der Speicherbereich und Logik auf separaten Wafern hergestellt und anschließend via Waferbonden zu einem Chip vereint werden.
Dieses Upgrade älterer Technik soll Kostenvorteile bieten. Fortan ist BiCS9 für Consumer-Produkte bestimmt, während der teurere BiCS10 mit höchster Speicherdichte und Leistung voraussichtlich dem Enterprise-Sektor vorbehalten ist.
Dass nach BiCS11 die Generationen BiCS12 und BiCS13 geplant sind, verrät eine weitere Folie, auch wenn nichts anderes erwartet wurde. Zudem wird stolz die Skalierung der NAND-Technik veranschaulicht: Binnen 25 Jahren ging es vom planaren MLC-NAND mit 1 Gbit Speicherkapazität bis zum heutigen BiCS10 QLC-3D-NAND mit 2 Tbit. Die Bits pro Wafer will Sandisk gemeinsam mit Kioxia auch künftig bei jeder Generation deutlich steigern. Ausgenommen sind hier aber Zwischenschritte wie BiCS9.
Mehr Details zu BiCS9 und BiCS10
Sandisk hat außerdem weitere Informationen für den BiCS9-Flash parat. Demnach soll die erst kürzlich vorgestellte QLC-Variante (BiCS9 QLC mit 2 Tbit) um satte 150 Prozent beim Schreibdurchsatz und um 75 Prozent beim Lesen gegenüber BiCS8 QLC mit 2 Tbit zulegen. Was dies genau bedeutet, bleibt aber offen. Bekanntlich ist die bei BiCS9 genutzte NAND-Schnittstelle mit 4,8 Gbit/s ein Drittel schneller als bei BiCS8.
Große Verbesserungen werden auch im Bereich der Energieeffizienz verkündet, die beim Lesen um 40 Prozent und beim Schreiben um 85 Prozent steigen soll.
Weitere Folien beschreiben die Vorzüge des BiCS10 als TLC- und QLC-Version. In beiden Fällen wird die branchenweit höchste Speicherdichte geboten. Gut erkennbar ist auf einer Abbildung das neue 6-Plane-Design beim BiCS10 QLC, der deutlich kleiner als BiCS8 QLC ausfällt.
Noch keine Termine zur Verfügbarkeit
Was Kioxia und Sandisk bei ihren jüngsten Mitteilungen aber missen lassen, sind konkrete Zeitpläne für den Start der Massenfertigung. Die ersten Chips der Generationen BiCS9 und BiCS10 werden zumindest seit Juli bemustert.
Fabian