Speichertechnologien
Aktuelle Speichertechnologien News
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Samsung-Speicher SOCAMM2 mit LPDDR5X startet, in Zukunft auch mit LPDDR6
Samsung hat kurz vor Jahresende SOCAMM2 offiziell ins Portfolio aufgenommen. Es startet mit LPDDR5X, in Zukunft gibt es aber auch LPDDR6.
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Speicherpreise Preissteigerungen bei OEMs fallen bislang noch moderat aus
Acers Chef erklärte in Taiwan, dass die Preise für Speicher in fertigen Notebooks bisher nur geringfügig gestiegen seien.
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Höchste DRAM-Preise Auch Micron verdient in Kürze mehr mit DRAM als mit HBM
Micron war stets transparent, was die hohen Kosten von HBM angeht. Diese führen nun dazu, dass man mit DRAM schon bald mehr Gewinn einfährt.
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DDR5, LPDDR5X, GDDR7 Samsungs DRAM hat doppelt so hohe Margen gegenüber HBM
Zuletzt schon vermeldet untermauern weitere Medienberichte dies nun: Samsung wird viel mehr DRAM fertigen, weil die Margen sehr hoch sind.
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Speicherproduktion fährt hoch SK Hynix und Samsung entdecken DRAM neben HBM neu
SK Hynix ist aktuell Marktführer bei HBM, doch die Konkurrenz holt auf. Eine gute Zeit, die DRAM-Produktion wieder hochzufahren.
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Unberechenbare Speicherpreise Samsung schließt selbst intern keine Jahresverträge mehr ab
Samsungs Chipsparte hat angeblich einen geplanten Jahresvertrag der eigenen Smartphone-Sparte mit Anfrage nach Speicher abgelehnt.
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HDDs und SSDs Wie viel Speicherplatz welcher Art habt ihr im PC verbaut?
Auf welche Schnittstellen und NAND-Typen setzt ihr beim PC-Massenspeicher? Wie hoch ist das tägliche Schreibaufkommen auf den SSDs?
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Seagate HAMR Die Basis für 70-TB-HDDs steht schon im Labor
In Japan hat Seagate über die Zukunft der HDD-Technologie referiert. Im Labor werden nach eigenen Angaben schon 7 TB pro Platter erreicht.
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Speicherforschung Samsung will beim 5-Bit-NAND 96 Prozent Energie sparen
Forscher von Samsungs Halbleitersparte arbeiten an einem „Ultra-Low Power NAND-Flash“ mit bis zu 5 Bit pro Zelle.
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Fast 5 GB pro mm² Sandisk und Kioxia kommen mit höchster Bitdichte zum ISSCC
Im Bereich NAND-Flash-Speicher wollen die Partner Kioxia und Sandisk die Messlatte bei der Flächendichte noch einmal deutlich höher legen.
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7-Eleven × SK Hynix Essbare HBM-Chips schmecken nach Honig-Banane
SK Hynix und 7-Eleven haben in Südkorea „HBM-Chips“ auf den Markt gebracht. Sie schmecken nach Honig-Banane.
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Im größten Boom Micron verschiebt Speicherfabriken um Jahre
Microns Mega-Projekt für den Fabrikbau in der Nähe von New York verzögert sich. Die erste Fabrik wird zwei Jahre später online kommen.
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HBM5(e), (LP)DDR6, GDDR8 SK Hynix zeigt neue Speicher-Roadmap für 2029 bis 2031
SK Hynix hat im Rahmen des AI Summit 2025 eine Speicherroadmap gezeigt, auch HBM5(e), DDR6 und GDDR8 sind darauf zu finden.
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Rekorde bei SK Hynix HBM, DRAM und NAND sind für 2026 komplett ausverkauft
SK Hynix wird auch 2026 jeden HBM-Chip verkaufen, der gefertigt wird – das vierte Jahr in Folge. Bei DRAM und NAND wird es auch so kommen.
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RAM-Preise explodieren DDR4 und DDR5 erzielen bald höhere Margen als HBM
Der Anstieg der Speicherpreise nimmt Fahrt auf: Bald sind die Margen bei DRAM höher als bei HBM. 2026 könnte teuer werden.
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Arbeitsspeicher Wie viel RAM habt ihr im PC und kauft ihr schnell noch mehr?
Die Preise für DRAM-Speicherchips steigen? Wie viel Arbeitsspeicher habt ihr aktuell verbaut und werdet ihr zeitnah noch aufrüsten?
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Schneller AI-Speicher HBM4 wird wohl noch teurer als bisher erwartet
HBM3e ist zuletzt teurer geworden, aber HBM4 wird das wohl deutlich toppen. 60 Prozent Aufpreis sind nun gegenüber HBM3e wieder im Gespräch.
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Bis zu 10,8 GB/s JEDEC kündigt neuen UFS-5.0-Standard an
Der neue UFS-Standard wurde von der JEDEC finalisiert und verspricht eine nahezu verdoppelte Bandbreite gegenüber UFS 4.0.
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Chinas Speicherhersteller YMTC plant mit DRAM und HBM, HBM3 von CXMT verzögert
Bisher ist YMTC Chinas bester NAND-Hersteller, nun will er auch DRAM und HBM fertigen. Bei HBM3 von CXMT klemmt es hingegen weiterhin.
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Samsungs HBM-Probleme Mehr Umsatz mit DRAM als HBM und in Summe hinter SK Hynix
Laut einer eigenen Studie verdient Samsung mit klassischem Arbeitsspeicher mehr als mit HBM. Und SK Hynix übertrifft beides.
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Rekordpreise an der Börse DDR4 ist jetzt mehr als dreimal so teuer, kein Ende in Sicht
Trotz der angekündigten Produktionsverlängerungen durch fast alle DRAM-Fertiger steigen die Preise für DDR4 weiter zum Teil stark an.
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Gen2 statt Gen1 Nvidia setzt bei DGX Station direkt auf SOCAMM 2
SOCAMM feierte als neue Spezial-RAM-Lösung erst im Frühjahr Premiere. Nun könnte es ganz schnell ein Update geben, welches auch Nvidia will.
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Speicher für KI-Beschleuniger Kioxia will Nvidia eine 100-Millionen-IOPS-SSD liefern
Kioxia arbeitet an einer SSD für Nvidias KI-Beschleuniger, die direkt an der GPU rund 100 Millionen IOPS über PCIe 7.0 erreichen soll.
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DDR4-Speicher boomt (noch) Samsung und SK Hynix zögern Produktionsende hinaus
Samsung und SK Hynix sollen das Produktionsende von DDR4 nach hinten verschoben haben. Dabei geht es aber nur um Monate.
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Mit 5 TB und 64 GB/s Kioxia interpretiert High-Bandwidth Flash als Modul
Es geht schnell voran beim Thema High-Bandwidth Flash (HBF). Kioxia zeigt nun ein erstes Modul mit 5 TB und 64 GB/s.
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Z-NAND Samsungs High-Speed-Flash soll für KI zurückkehren
Um Samsungs Z-NAND ist es ruhig geworden. Doch laut einem Bericht wird der auf Höchstleistung getrimmte NAND-Flash-Speicher zurückkehren.
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Größter Flaschenhals für AI China will Ausnahmen für HBM mit den USA neu verhandeln
Chinas AI-Beschleuniger werden stetig besser, doch ein großer Flaschenhals bleibt: HBM. Hier will das Land nun mit den USA neu verhandeln.
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High Bandwidth Flash SanDisk holt SK Hynix mit ins Boot
Zusammen mit dem Marktführer bei High Bandwidth Memory will SanDisk die Spezifikation für den neuen High Bandwidth Flash (HBF) entwickeln.
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High Bandwidth Flash SanDisk gründet technischen Beirat mit Raja Koduri
Um die Entwicklung des High Bandwidth Flash (HBF) zu unterstützen, hat SanDisk einen technischen Beirat gegründet, dem Raja Koduri angehört.
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Speicherfertigung CXMT macht rasante Fortschritte – Nanya-Niveau erreicht
Auch Rückschläge halten CXMT nicht auf: Die eigene DDR4-Speicherfertigung soll das Niveau von Nanya erreicht haben, DDR5 startet Ende 2025.
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Umsatzanstieg Nanya profitiert vom DDR4-Ausstieg der großen Konkurrenten
Nanya zeigt im aktuellen Quartalsbericht, dass es sich auszahlen kann, nicht immer erster zu sein: DDR4-Verkäufe zogen massiv an.
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RTX 50 Auch Micron liefert endlich GDDR7 für Nvidia Blackwell
Nach Samsung und SK Hynix soll jetzt auch endlich Micron in der Lage sein, GDDR7 für Nvidia GeForce RTX 5000 zu liefern.
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Massive Preissteigerungen RAM von DDR3 bis DDR5 sowie GDDR6 soll bis zu 45 % teurer werden
RAM wird wieder teurer, das ist nicht erst seit gestern sichtbar. Im aktuellen dritten Quartal sollen die Preise aller Varianten anziehen.
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Cerabyte Roadmap Glas-Keramik-Speicher soll 2030 100 PB pro Rack liefern
Spätestens 2030 will das Startup Cerabyte seinen keramischen Archivspeicher mit 100 Petabyte pro Rack anbieten.
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Vor Apple und Co Huawei soll als Erster auf HBM in Smartphones setzen
Huawei soll als erster Hersteller auf schnellen, 3D-gestapelten HBM-DRAM in künftigen Smartphones setzen – vor Apple und Samsung.
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Preise zu stark gestiegen DDR4 ist so teuer, dass sich länger produzieren doch lohnt
Das System von Angebot und Nachfrage funktioniert. Die DDR4-Preise sind explodiert, weil er ausläuft, also wird er jetzt länger produziert.
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CAMM2-Formfaktor Update Im Desktop-PC ist der neue RAM bisher ein Fehlschlag
Keine Boards, kein RAM. Kein RAM, auch keine Mainboards. Der Speicherstandard CAMM2 kommt im Desktop-PC überhaupt nicht an.
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Rolle Rückwärts Ohne Nvidia als Kunden halbiert Samsung die HBM-Fertigung
Es ist das eingetreten, was nicht passieren sollte: Samsung muss die HBM3-Produktion drosseln, weil Nvidia als Kunde nicht verfügbar ist.
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Rekordumsätze Microns HBM-Zug nimmt Fahrt auf und hat viel Geld geladen
Micron ist im HBM-Geschäft angekommen. Chips für Nvidia Blackwell und AMD Instinct spülen Geld in die Kassen des Speicherriesen.
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Verknappung beginnt Update DDR4-Speicherpreise in acht Wochen fast verdreifacht
DDR4 ist nun teurer als DDR5. Zuletzt schossen die Preise von DDR4 nach oben, da viele Hersteller gleichzeitig die Produktion zurückfahren.
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DDR5 vs. DDR5-CUDIMM Der neue schnellere RAM für Intel (und bald auch AMD)
Clocked UDIMM (CUDIMM) wird erstmals von Core Ultra, aber auch bald von AMD Ryzen unterstützt. Der neue DDR5-Standard im Test.
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Technologie-Roadmap „Kim's Law“-Professor liefert Vision vom Weg bis HBM8
Wie könnte die Entwicklung von HBM3e bis HBM8 im Jahr 2038 aussehen? Eine Technologie-Roadmap zeichnet eine irre Entwicklung.
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HBM3 für Nvidia Zertifizierung von Samsung HBM3E 12Hi auf Q4 verschoben
Samsung bekommt es nicht hin, fortschrittlicher HBM3E wird nicht fertig. Erneut soll eine Verschiebung anberaumt sein, heißt es.
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Magdeburg wieder im Rennen FMC will in Deutschland Halbleiterwerk für DRAM+ bauen
Aus Regierungskreisen wird berichtet, dass die Dresdener Ferro Electric Company (FMC) eine Chipfabrik in Deutschland bauen will.
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Verträge vor Unterzeichnung SK Hynix liefert HBM4 für Nvidias Next-Gen-Lösung Rubin
Die finalen Verträge stehen vor der Unterzeichnung: SK Hynix wird Nvidias Rubin-Beschleuniger mit dem notwendigen HBM4 bestücken.
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Speicher aus China CXMT plant mit HBM3, während DDR5 noch Probleme macht
ChangXin Memory Technologies (CXMT) als aufstrebender Speicherhersteller aus China soll Ende des Jahres HBM3 an den Start bringen.
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HBM3E für Nvidia Samsung produziert ohne Zertifizierung große Mengen vor
Samsung produziert bereits große Mengen an HBM3E, doch die Zertifizierung von Nvidia lässt weiterhin auf sich warten. Ein gewagtes Spiel.
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CUDIMMs AMDs nächste CPU unterstützt schnelleren Speicher
Schon jetzt können AMD-Mainboards CUDIMMs im Bypass-Modus arbeiten lassen, mit den nächsten CPUs geht es dann vollständig.
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3D X-DRAM Speicherkonzept will 16-mal mehr als 2D-DRAM speichern
Beim X-DRAM mit 3D-Aufbau geht es nun weiter. Neuerdings soll dieser sogar 512 Gbit speichern. Belege gibt es dafür noch nicht.
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Zu viel fehlerhafter HBM Update Nvidia nimmt nur noch getestete Chips von Zulieferern ab
HBM war zwischenzeitlich und ist zum Teil noch bis heute das Zünglein an der Waage für Nvidias AI-Chips. Neue Abnahmeregeln sollen gelten.
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Produktabnahme von Nvidia Samsungs HBM3E soll qualifiziert werden – schon wieder
Im Juni könnte Samsungs HBM3E endlich von Nvidia qualifiziert werden. Diese Story klingt wie eine Wiederholung der Computex vor einem Jahr.
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SK Hynix steigert Gewinn HBM für Nvidia spült weiterhin viel Geld in die Kassen
Bei klassischem RAM und NAND passiert wenig, HBM ist und bleibt das Zugpferd für Speicherhersteller, allen voran SK Hynix.
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Speicher aus Deutschland FMC macht aus Qimondas Erbe den ferroelektrischen DRAM+
Die Unternehmen FMC und Neumonda wollen wieder Halbleiter-Speicher aus Deutschland etablieren. Dafür auserkoren wurde der „DRAM+“.
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Neuer Prototyp Update Kioxias optische Breitband-SSD erhält PCIe 5.0
In Kooperation mit AIO Core und Kyocera präsentiert Kioxia den neuen Prototyp seiner Breitband-SSD, die eine optische Schnittstelle nutzt.
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Gewinn verdoppelt Micron knackt Milliardenmarke beim Quartalsumsatz mit HBM
Micron ist erfolgreich auf den HBM-Zug gesprungen. Im letzten Quartal wurde erstmals die Milliardenmarke beim Umsatz mit HBM übertroffen.
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Samsung im Krisenmodus HBM für Blackwell Ultra erwartet, 1-nm-Chips nicht eingestellt
Für Nvidia Blackwell Ultra eröffnet sich für Samsung die Chance, HBM zu liefern. Die letzten ließ man nach großen Ankündigungen platzen.
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SOCAMM Update LPDDR5X-basierte RAM-Riegel für hohe Kapazität und Bandbreite
Zur GTC 2025 bringen die Speicherhersteller auch erste SOCAMM-Riegel mit. Nvidia wird sie in Zukunft auch im HPC-Segment einsetzen.
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Für Rubin und Feynman Update SK Hynix, Samsung und Micron zeigen HBM4E mit bis zu 64 GB
Zur GTC 2025 haben die großen SK Hynix, Samsung und Micron HBM in diversen Ausbaustufen einschließlich 48 GB HBM4 und 64 GB HBM4E mit dabei.
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Speicherforschung SanDisk 3D Matrix Memory soll die Memory Wall einreißen
SanDisks DRAM-Alternative 3D Matrix Memory besitze Potenzial für die vierfache Speicherkapazität bei halbierten Kosten.
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High Bandwidth Flash SanDisk plant Riesenspeicher für KI-Beschleuniger
SanDisk wird nach der Abspaltung von Western Digital bald wieder eigenständig und hat große Pläne. Einer davon ist der High Bandwidth Flash.
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HBM-Absatzzahlen Nvidia vor Google und Amazon, AMD klein, Intel irrelevant
Eine interne Samsung-Roadmap zeigt die erwarteten Zuweisungen von HBM bis Ende 2026. Nvidia dominiert, Google folgt auf Rang 2.
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Quartalszahlen von SK Hynix 4 Mrd. USD Umsatz mit HBM (für Nvidia) bringen neue Rekorde
Als Nummer 1 im HBM-Geschäft und ohne echte Schwächen in anderen Bereichen profitiert nun auch SK Hynix vom AI-Boom.
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Speicher für AI Micron investiert 7 Mrd. USD in HBM-Packaging-Komplex
Jeder moderne AI-Beschleuniger setzt auf HBM. Die Kapazitäten sind knapp, Micron baut deshalb einen neuen Komplex in Singapur.
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Grafikspeicher für Nvidia Samsung ist bei GDDR7 top, HBM3e macht weiter Probleme
GDDR7 von Samsung kommt auf der RTX 5090 zum Einsatz, doch HBM3e mit 12 Stacks benötigt ein weiteres Redesign, um genutzt werden zu können.
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RAM-OC-Rekorde G.Skill zeigt DDR5-10600 mit AMD Ryzen auf Asus X870E Apex
Mit dem neuen Asus ROG X870E Apex fallen Speicherrekorde bei AMD: DDR5-10600 ist möglich, aber auch DDR5-6800 im 1:1-Modus.
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3D DRAM Kioxia verrät etwas mehr über den sparsamen OCTRAM
Wie zuvor angekündigt, hat Kioxia auf dem diesjährigen IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) über den neuen OCTRAM gesprochen.
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Grafikspeicher Samsung und SK Hynix sprechen über GDDR7 mit 42 Gbit/s
Nächstes Jahr geht der neue GDDR7-Speicher an den Start. Anfangs mit rund 30 Gbit/s erwartet, sind auf der ISSCC schon 42 Gbit/s ein Thema.
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Magneto-Electric Disk Huawei entwickelt Tape-SSD-Hybrid-Laufwerke
Huawei entwickelt die sogenannte Magneto-Electric Disk. Die Festplattenalternative beherbergt einen Bandspeicher samt Motor und eine SSD.
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HBM3E 16-High SK Hynix präsentiert Stapelspeicher mit 16 Lagen
Der aus übereinander gestapelten DRAM-Dies bestehende High Bandwidth Memory (HBM) erhält weitere Schichten.
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DDR5-12000+ Update CUDIMM von Kingston und G.Skill überschreitet 12.000 MT/s
DDR5 als „Clocked UDIMM“ („CUDIMM“) verspricht noch höhere Taktraten möglich zu machen: Übertakter haben erste Fakten geschaffen.
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Anfrage bei SKHynix Nvidia will früher auf HBM4-Chips mit 1,6 TB/s setzen können
Nvidia möchte HBM4-Speicher sechs Monate früher nutzen können, als ihn Hersteller SKHynix bis dato auf der Roadmap hatte.
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Arbeitsspeicher Welchen RAM habt ihr, wie schnell ist er und hat er RGB?
Diesen Sonntag dreht sich alles um RAM: Reicht euch euer Arbeitsspeicher aus, von welchem Hersteller ist der und was war kaufentscheidend?
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Speicherforschung Kioxia spricht über OCTRAM, 64-Gbit-MRAM und neuen 3D-Flash
Auf dem diesjährigen IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) will Kioxia neue Speichertechnologien vorstellen.
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24-Gbit-GDDR7 mit über 40 Gbps Samsung bringt Next-Gen-(AI)-Grafikspeicher für 2025 auf den Weg
Schon lange erwartet, macht Samsung nun den Weg frei für 24-Gbit-GDDR7 mit 40 Gbps, der als Next-Gen-Grafikspeicher Anfang 2025 erscheint.
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Was ist CUDIMM? Das steckt hinter den neuen DDR5-Modulen für Arrow Lake-S
Intels Core Ultra 200 alias Arrow Lake-S unterstützt neben DDR5 als UDIMM auch CUDIMM. Was steckt hinter dem neuen Arbeitsspeicher-Standard?
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IEEE Storage Roadmaps Vierfache SSD-Kapazität bis Höhenflug bei HDD und Tape
Der Berufsverband IEEE hat Prognosen für die Weiterentwicklung bei Massenspeicher wie NAND, HDD und Tape in Form von Roadmaps abgegeben.
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Micron „Wir starten in das Geschäftsjahr 2025 mit der besten Wettbewerbsposition“
Bei Micron läuft es rund und zwar in allen Bereichen. Das sorgt für Umsatzrekorde und einen mehr als rosigen Ausblick.
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Gläserner Superman-Speicher Das menschliche Erbgut wurde im 5D Memory Crystal gespeichert
Es gibt wieder ein Lebenszeichen vom 5D Optical Storage alias 5D Memory Crystal respektive dem gläsernen Superman-Speicher.
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Schnellerer Speicher für AI Rambus liefert Spezifikationen für neue HBM4-Controller
Rambus liefert die erste „IP“ für HBM4-Controller an Kundschaft aus. Diese können nun starten, ihre Chips damit zu entwerfen.
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DRAM von SK Hynix DDR5-Chips der Generation 1c sind fertig entwickelt
SK Hynix schreibt sich den Sieg um das Wettrennen beim sogenannten „1c“ DRAM auf die Fahne. Die neuen DDR5-Chips sollen bald in Serie gehen.
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SK Hynix 3D DRAM soll Kosten der EUV-Fertigung halbieren
Die DRAM-Fertigung mit EUV-Lithografie ist kostspielig. Der kommende 3D DRAM mit mehreren Speicherebenen soll die Kosten senken.
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Schneller Grafikspeicher SK Hynix produziert demnächst GDDR7 für Grafikkarten und AI
SK Hynix will einmal mehr Samsung nicht als Erster die Bühne überlassen und kündigt GDDR7 an, der aber erst in vielen Monaten erscheint.
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JEDEC Spezifikationen von HBM4 rücken näher
Die für Speicherstandards zuständige Organisation JEDEC hat mitgeteilt, dass sich die Finalisierung des HBM4-Standards nähert.
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Intel-Lunar-Lake-Modelle Neun CPUs unterscheiden Takt, GPU, NPU, RAM und vPro
Neun Prozessoren werden für Intels Lunar Lake benannt. Das sieht viel aus, richtet sich effektiv aber nach Takt, RAM und vPro-Features aus.
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Grafikspeicher GDDR7 Micron legt Grundstein für 1,5 TB/s auf Grafikkarten
Der neue Grafikkartenspeicher steht in den Startlöchern. Micron lässt seine ersten GDDR7-Chips bemustern.
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Q&A mit Jensen Huang RTX 5000 ist „aufregend“, Samsungs HBM3e „keine Story“
In einer Q&A-Session auf der Computex hat Nvidias CEO Jensen Huang auch Fragen zu RTX 5000 und HBM3e-Problemen beantworten müssen.
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Computex 2024 Team Group lockt mit DDR5-10000 und LPCAMM2
Zur Computex legt Team Group die Messlatte für den DDR5-Durchsatz noch höher. Bis zu 10.000 MT/s sollen die neuen Speicherriegel erreichen.
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Kapazitätsausbau Microns DRAM-Fab in Japan wird teurer und kommt später
Microns neue/aufgerüstete DRAM-Fabrik in Japan wird mit EUV-Belichtern ausgestattet, geht nun aber erst 2027 in die Massenproduktion.
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Zu viel Strom und Wärme? Samsung dementiert Berichte über mangelhafte HBM-Chips
Seit Wochen kursieren Gerüchte, dass bei Samsungs neuen HBM-Chips noch Optimierungen für den Einsatz bei Nvidia nötig seien.
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3D DRAM Samsung plant mit 16 Layern für 2030
Laut einem Bericht aus Südkorea rechnet Samsung mit dem Jahr 2030 für einen kommerziellen Start von 3D DRAM mit 16 Layern.
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LPDDR6 CAMM2 Die Zukunft bringt wechselbaren Speicher mit bis zu 14,4 GT/s
Im Zuge des JEDEC-Workshops und der Möglichkeiten bei DDR6 und LPDDR6 war auch CAMM2 ein Thema. Dort geht es weiter hoch hinaus.
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Arbeitsspeicher DDR6 und LPDDR6 werden noch schneller als gedacht
Die Vorbereitungen für die nächste Speichergeneration laufen. Für DDR6 und LPDDR6 werden jetzt noch höhere Durchsatzraten anvisiert.
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LPCAMM2 im Handel Update 64 GB LPCAMM2 LPDDR5X-7500 kosten bei Crucial 330 USD
LPCAMM2 als wechselbarer Notebook-RAM der Zukunft kommt in den Handel. Zum Start ist dieser erwartungsgemäß nicht günstig, aber einzigartig.
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Technologie-Kooperation SK Hynix sucht TSMCs Hilfe bei HBM4 und Packaging
HBM schwimmt dank AI auf der Erfolgswelle. Marktführer SK Hynix sucht nun TSMCs Nähe, um auch in Zukunft vorne mitzuspielen.
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Neuer Phase Change Memory Mit Nano-Filament statt Elektrode soll es diesmal klappen
Südkoreanische Forscher haben einen neuen Ansatz für Phasenwechselspeicher vorgestellt, der deutlich sparsamer und zugleich günstiger sei.
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LPDDR5X-10666 in 32-GB-Chips Samsungs Speicher für Next-Gen-SoCs, Smartphones und AI
Der schnellste LPDDR5X kommt wieder von Samsung, und größer wird er auch: 32 GByte LPDDR5X-10666 sind das neue Aushängeschild.
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Advanced Packaging SK Hynix bestätigt neue US-Fab für HBM in Indiana
Gefertigt werden soll am neuen Standort von SK Hynix unter anderem die nächste Generation High Bandwidth Memory (HBM) für neue AI-Systeme.
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Erster HBM3E in Serie? SK Hynix ignoriert Micron einfach mal komplett
Wer ist denn nun erster bei der neuen Speichergeneration HBM3E? SK Hynix will das heute sein, doch war Microns Ankündigung schneller.
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4 × 64 GB DDR5 per BIOS-Update ASRock, Asus und MSI bieten 256 GB RAM für Intel und AMD
ASRock, MSI und Asus haben neue BIOS-Versionen veröffentlicht, mit denen Mainboards mit Intels Sockel LGA 1700 256 GB DDR5 unterstützen.
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LPDDR6 Neue Generation des Mobile-RAM im 3. Quartal abgesegnet
Die JEDEC hat angekündigt, dass die Spezifikationen für LPDDR6, die nächste Stufe des Low-Power-DRAM, im 3. Quartal erscheinen.
