Speichertechnologien (Seite 2)
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Für Rubin und Feynman Update SK Hynix, Samsung und Micron zeigen HBM4E mit bis zu 64 GB
Zur GTC 2025 haben die großen SK Hynix, Samsung und Micron HBM in diversen Ausbaustufen einschließlich 48 GB HBM4 und 64 GB HBM4E mit dabei.
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Speicherforschung SanDisk 3D Matrix Memory soll die Memory Wall einreißen
SanDisks DRAM-Alternative 3D Matrix Memory besitze Potenzial für die vierfache Speicherkapazität bei halbierten Kosten.
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High Bandwidth Flash SanDisk plant Riesenspeicher für KI-Beschleuniger
SanDisk wird nach der Abspaltung von Western Digital bald wieder eigenständig und hat große Pläne. Einer davon ist der High Bandwidth Flash.
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HBM-Absatzzahlen Nvidia vor Google und Amazon, AMD klein, Intel irrelevant
Eine interne Samsung-Roadmap zeigt die erwarteten Zuweisungen von HBM bis Ende 2026. Nvidia dominiert, Google folgt auf Rang 2.
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Quartalszahlen von SK Hynix 4 Mrd. USD Umsatz mit HBM (für Nvidia) bringen neue Rekorde
Als Nummer 1 im HBM-Geschäft und ohne echte Schwächen in anderen Bereichen profitiert nun auch SK Hynix vom AI-Boom.
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Speicher für AI Micron investiert 7 Mrd. USD in HBM-Packaging-Komplex
Jeder moderne AI-Beschleuniger setzt auf HBM. Die Kapazitäten sind knapp, Micron baut deshalb einen neuen Komplex in Singapur.
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Grafikspeicher für Nvidia Samsung ist bei GDDR7 top, HBM3e macht weiter Probleme
GDDR7 von Samsung kommt auf der RTX 5090 zum Einsatz, doch HBM3e mit 12 Stacks benötigt ein weiteres Redesign, um genutzt werden zu können.
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RAM-OC-Rekorde G.Skill zeigt DDR5-10600 mit AMD Ryzen auf Asus X870E Apex
Mit dem neuen Asus ROG X870E Apex fallen Speicherrekorde bei AMD: DDR5-10600 ist möglich, aber auch DDR5-6800 im 1:1-Modus.
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3D DRAM Kioxia verrät etwas mehr über den sparsamen OCTRAM
Wie zuvor angekündigt, hat Kioxia auf dem diesjährigen IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) über den neuen OCTRAM gesprochen.
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Grafikspeicher Samsung und SK Hynix sprechen über GDDR7 mit 42 Gbit/s
Nächstes Jahr geht der neue GDDR7-Speicher an den Start. Anfangs mit rund 30 Gbit/s erwartet, sind auf der ISSCC schon 42 Gbit/s ein Thema.
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Magneto-Electric Disk Huawei entwickelt Tape-SSD-Hybrid-Laufwerke
Huawei entwickelt die sogenannte Magneto-Electric Disk. Die Festplattenalternative beherbergt einen Bandspeicher samt Motor und eine SSD.
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HBM3E 16-High SK Hynix präsentiert Stapelspeicher mit 16 Lagen
Der aus übereinander gestapelten DRAM-Dies bestehende High Bandwidth Memory (HBM) erhält weitere Schichten.
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DDR5-12000+ Update CUDIMM von Kingston und G.Skill überschreitet 12.000 MT/s
DDR5 als „Clocked UDIMM“ („CUDIMM“) verspricht noch höhere Taktraten möglich zu machen: Übertakter haben erste Fakten geschaffen.
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Anfrage bei SKHynix Nvidia will früher auf HBM4-Chips mit 1,6 TB/s setzen können
Nvidia möchte HBM4-Speicher sechs Monate früher nutzen können, als ihn Hersteller SKHynix bis dato auf der Roadmap hatte.
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Arbeitsspeicher Welchen RAM habt ihr, wie schnell ist er und hat er RGB?
Diesen Sonntag dreht sich alles um RAM: Reicht euch euer Arbeitsspeicher aus, von welchem Hersteller ist der und was war kaufentscheidend?
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Speicherforschung Kioxia spricht über OCTRAM, 64-Gbit-MRAM und neuen 3D-Flash
Auf dem diesjährigen IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) will Kioxia neue Speichertechnologien vorstellen.
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24-Gbit-GDDR7 mit über 40 Gbps Samsung bringt Next-Gen-(AI)-Grafikspeicher für 2025 auf den Weg
Schon lange erwartet, macht Samsung nun den Weg frei für 24-Gbit-GDDR7 mit 40 Gbps, der als Next-Gen-Grafikspeicher Anfang 2025 erscheint.
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Was ist CUDIMM? Das steckt hinter den neuen DDR5-Modulen für Arrow Lake-S
Intels Core Ultra 200 alias Arrow Lake-S unterstützt neben DDR5 als UDIMM auch CUDIMM. Was steckt hinter dem neuen Arbeitsspeicher-Standard?
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IEEE Storage Roadmaps Vierfache SSD-Kapazität bis Höhenflug bei HDD und Tape
Der Berufsverband IEEE hat Prognosen für die Weiterentwicklung bei Massenspeicher wie NAND, HDD und Tape in Form von Roadmaps abgegeben.
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Micron „Wir starten in das Geschäftsjahr 2025 mit der besten Wettbewerbsposition“
Bei Micron läuft es rund und zwar in allen Bereichen. Das sorgt für Umsatzrekorde und einen mehr als rosigen Ausblick.
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Gläserner Superman-Speicher Das menschliche Erbgut wurde im 5D Memory Crystal gespeichert
Es gibt wieder ein Lebenszeichen vom 5D Optical Storage alias 5D Memory Crystal respektive dem gläsernen Superman-Speicher.
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Schnellerer Speicher für AI Rambus liefert Spezifikationen für neue HBM4-Controller
Rambus liefert die erste „IP“ für HBM4-Controller an Kundschaft aus. Diese können nun starten, ihre Chips damit zu entwerfen.
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DRAM von SK Hynix DDR5-Chips der Generation 1c sind fertig entwickelt
SK Hynix schreibt sich den Sieg um das Wettrennen beim sogenannten „1c“ DRAM auf die Fahne. Die neuen DDR5-Chips sollen bald in Serie gehen.
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SK Hynix 3D DRAM soll Kosten der EUV-Fertigung halbieren
Die DRAM-Fertigung mit EUV-Lithografie ist kostspielig. Der kommende 3D DRAM mit mehreren Speicherebenen soll die Kosten senken.
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Schneller Grafikspeicher SK Hynix produziert demnächst GDDR7 für Grafikkarten und AI
SK Hynix will einmal mehr Samsung nicht als Erster die Bühne überlassen und kündigt GDDR7 an, der aber erst in vielen Monaten erscheint.
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JEDEC Spezifikationen von HBM4 rücken näher
Die für Speicherstandards zuständige Organisation JEDEC hat mitgeteilt, dass sich die Finalisierung des HBM4-Standards nähert.
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Intel-Lunar-Lake-Modelle Neun CPUs unterscheiden Takt, GPU, NPU, RAM und vPro
Neun Prozessoren werden für Intels Lunar Lake benannt. Das sieht viel aus, richtet sich effektiv aber nach Takt, RAM und vPro-Features aus.
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Grafikspeicher GDDR7 Micron legt Grundstein für 1,5 TB/s auf Grafikkarten
Der neue Grafikkartenspeicher steht in den Startlöchern. Micron lässt seine ersten GDDR7-Chips bemustern.
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Q&A mit Jensen Huang RTX 5000 ist „aufregend“, Samsungs HBM3e „keine Story“
In einer Q&A-Session auf der Computex hat Nvidias CEO Jensen Huang auch Fragen zu RTX 5000 und HBM3e-Problemen beantworten müssen.
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Computex 2024 Team Group lockt mit DDR5-10000 und LPCAMM2
Zur Computex legt Team Group die Messlatte für den DDR5-Durchsatz noch höher. Bis zu 10.000 MT/s sollen die neuen Speicherriegel erreichen.
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Kapazitätsausbau Microns DRAM-Fab in Japan wird teurer und kommt später
Microns neue/aufgerüstete DRAM-Fabrik in Japan wird mit EUV-Belichtern ausgestattet, geht nun aber erst 2027 in die Massenproduktion.
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Zu viel Strom und Wärme? Samsung dementiert Berichte über mangelhafte HBM-Chips
Seit Wochen kursieren Gerüchte, dass bei Samsungs neuen HBM-Chips noch Optimierungen für den Einsatz bei Nvidia nötig seien.
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3D DRAM Samsung plant mit 16 Layern für 2030
Laut einem Bericht aus Südkorea rechnet Samsung mit dem Jahr 2030 für einen kommerziellen Start von 3D DRAM mit 16 Layern.
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LPDDR6 CAMM2 Die Zukunft bringt wechselbaren Speicher mit bis zu 14,4 GT/s
Im Zuge des JEDEC-Workshops und der Möglichkeiten bei DDR6 und LPDDR6 war auch CAMM2 ein Thema. Dort geht es weiter hoch hinaus.
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Arbeitsspeicher DDR6 und LPDDR6 werden noch schneller als gedacht
Die Vorbereitungen für die nächste Speichergeneration laufen. Für DDR6 und LPDDR6 werden jetzt noch höhere Durchsatzraten anvisiert.
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LPCAMM2 im Handel Update 64 GB LPCAMM2 LPDDR5X-7500 kosten bei Crucial 330 USD
LPCAMM2 als wechselbarer Notebook-RAM der Zukunft kommt in den Handel. Zum Start ist dieser erwartungsgemäß nicht günstig, aber einzigartig.
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Technologie-Kooperation SK Hynix sucht TSMCs Hilfe bei HBM4 und Packaging
HBM schwimmt dank AI auf der Erfolgswelle. Marktführer SK Hynix sucht nun TSMCs Nähe, um auch in Zukunft vorne mitzuspielen.
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Neuer Phase Change Memory Mit Nano-Filament statt Elektrode soll es diesmal klappen
Südkoreanische Forscher haben einen neuen Ansatz für Phasenwechselspeicher vorgestellt, der deutlich sparsamer und zugleich günstiger sei.
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LPDDR5X-10666 in 32-GB-Chips Samsungs Speicher für Next-Gen-SoCs, Smartphones und AI
Der schnellste LPDDR5X kommt wieder von Samsung, und größer wird er auch: 32 GByte LPDDR5X-10666 sind das neue Aushängeschild.
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Advanced Packaging SK Hynix bestätigt neue US-Fab für HBM in Indiana
Gefertigt werden soll am neuen Standort von SK Hynix unter anderem die nächste Generation High Bandwidth Memory (HBM) für neue AI-Systeme.
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Erster HBM3E in Serie? SK Hynix ignoriert Micron einfach mal komplett
Wer ist denn nun erster bei der neuen Speichergeneration HBM3E? SK Hynix will das heute sein, doch war Microns Ankündigung schneller.
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4 × 64 GB DDR5 per BIOS-Update ASRock, Asus und MSI bieten 256 GB RAM für Intel und AMD
ASRock, MSI und Asus haben neue BIOS-Versionen veröffentlicht, mit denen Mainboards mit Intels Sockel LGA 1700 256 GB DDR5 unterstützen.
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LPDDR6 Neue Generation des Mobile-RAM im 3. Quartal abgesegnet
Die JEDEC hat angekündigt, dass die Spezifikationen für LPDDR6, die nächste Stufe des Low-Power-DRAM, im 3. Quartal erscheinen.
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GDDR7 jetzt JEDEC-Standard Neuer Grafikspeicher mit bis zu 48 Gbit/s verabschiedet
Freie Fahrt für eine neue Generation Grafikspeicher: Die JEDEC hat die Spezifikationen für GDDR7 verabschiedet und veröffentlicht.
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Schneller Speicher für AI 12-fach gestapelter HBM3E hat auch bei Samsung 36 GByte
Einen Tag nach Microns Ankündigung zur Serienfertigung von HBM3E schießt Samsung zurück: Der Wettlauf bei HBM geht nun erst richtig los.
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Arbeitsspeicher GDDR7, HBM3E und LPDDR5X werden weiter beschleunigt
Zu den Themen der diesjährigen ISSCC gehören Neuheiten aus dem DRAM-Bereich. Bei GDDR7, LPDDR5 und HBM3E gibt es Fortschritte.
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28,5 Gbit/mm² Samsungs 280-Layer-NAND schlägt bei Flächendichte alles
Auf der ISSCC 2024 wird Samsung neuen Flash-Speicher vorstellen, der mit 28,5 Gbit/mm² die mit Abstand größte Flächendichte bietet.
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Neues Konzept Der Flash Memory Summit dreht sich nicht mehr nur um Flash
Die Fachkonferenz Flash Memory Summit (FMS) startet dieses Jahr ein neues Konzept, das auch andere Speichertypen umfasst.
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Flüssiger RAM Forscher entwickeln Liquid Metal Memory
Inspiriert von Vorgängen im menschlichen Gehirn haben Forscher einen Flüssigmetallspeicher entwickelt.
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SOT-MRAM TSMC hilft bei Entwicklung des möglichen SRAM-Nachfolgers
Bei der Entwicklung der nichtflüchtigen Speichertechnik SOT-MRAM will TSMC in Taiwan mitmischen. Auch in Europa wird daran geforscht.
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HBM-Kapazitätsausbau Samsung will Investitionen um zwei Mal Faktor 2,5 steigern
Samsung entwickelt zwar schon länger HBM, aber nicht so fokussiert wie SK Hynix. Nun dreht der Branchenriese die Investitionshahn auf.
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Neues RAM-Format Micron liefert potenziellen SO-DIMM-Nachfolger LPCAMM2 aus
Nach über einem Vierteljahrhundert der Ära des SO-DIMM-Formats für mobilen Arbeitsspeicher kommt 2024 die potenzielle Ablösung.
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Krise vorbei Micron ist mit DRAM und HBM zurück im Geschäft
DRAM und HBM ziehen Micron aus dem Loch. Letztere Technologie ist bereits für das ganze Jahr 2024 ausverkauft. Bei NAND dauert es noch.
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Starke Preissteigerungen Mobiler DRAM und NAND soll 2024 deutlich teurer werden
Bereits seit einiger Zeit ist es sichtbar: Die Talsohle der Preise für DRAM und NAND ist durchschritten. Nun geht es steil bergauf.
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CAMM2 Neuer RAM-Standard ist nicht verlötet und dennoch flach
Die JEDEC hat die Spezifikation JESD 318 veröffentlicht, die den neuen Arbeitsspeicherstandard CAMM2 definiert. Ein Überblick.
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Neues Design-Konzept SK Hynix will HBM und GPU zu einem Chip vereinen
Nicht mehr nur nahe am Prozessor, sondern direkt über diesem in einem Chipgehäuse vereint, soll HBM künftig eingesetzt werden.
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Micron-Roadmap Pläne für HBM4, MRDIMMs, CXL3 und LPCAMM dargelegt
Micron hat eine neue Roadmap mit kommenden Speicherprodukten veröffentlicht. Darunter sind HBM4(e), MRDIMMs und LPCAMM2.
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ChangXin Xinqiao China stampft neuen DRAM-Hersteller mit 20-Mrd.-Fab aus dem Boden
China braucht weiterhin eine eigene moderne Chip-Fertigung und wagt sich deshalb an ein weiteres DRAM-Projekt – mit viel Geld.
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HBM-Speicherchips Das große Rennen um das hoffentlich lukrative Geschäft
Fast 60 Prozent Wachstum in diesem Jahr und 2024 noch einmal 30 Prozent: HBM liegt hoch im Kurs, aber was bringt es den Herstellern?
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SK Hynix Quartalszahlen Ausverkauft bei HBM3e bis 2025 und dennoch hohe Verluste
HBM3e bekommt man als Kunde von SK Hynix frühestens 2025 wieder, doch diese Marktnische rettet den Konzern nicht über die Linie.
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LPDDR5T-9600 SK Hynix und Micron treiben Snapdragon 8 Gen 3 an
Der Snapdragon 8 Gen 3 ist für die nächste Generation von Flaggschiff-Smartphones mit Next-Gen-Speicher von SK Hynix und Micron ausgelegt.
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High Bandwidth Memory (HBM) Update Samsung bemustert HBM3E in Kürze, bis 2025 kommt HBM4
Schneller Speicher wie HBM gewinnt immer mehr an Bedeutung. Samsung weist nun auf die neuen Generationen hin.
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Update zu Project Silica Update Microsofts Cloud-Speicher der Zukunft setzt auf Glas
Nach Jahren der Forschung liefert Microsoft Research wieder ein Lebenszeichen vom gläsernen „Superman-Speicher“ alias Project Silica.
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RAM 20 Prozent teurer Preise für DDR4 und DDR5 steigen im deutschen Handel
Seit 3 Monaten in Aussicht gestellt, ist es nun eingetreten: Die Preise für RAM steigen wieder. Noch fällt der Anstieg nicht dramatisch aus.
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Speicherkrise Micron sucht das Glück nach hohem Verlust bei HBM
Tief in den roten Zahlen und ein Ausblick, der ebenfalls weitere Verluste ankündigt, mochten Analysten nach den Quartalszahlen gar nicht.
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LPCAMM als SO-DIMM-Nachfolger LPDDR-basierte Module für Notebooks, Desktops und Server
Der neue Standard „Low Power Compression Attached Memory Module“ (LPCAMM) setzt auf LPDDR auf und soll 2024 erscheinen.
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MCR-DIMMs Schnellere RAM-Module zollen dem Netzteil Tribut
Schnelle MCR-DIMMs sind zur Innovation allgegenwärtig, aber immer nur zusammen mit Granite Rapids zu sehen. Das könnte am Verbrauch liegen.
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In-Memory Processing SK Hynix demonstriert seinen GDDR6-AiM-Beschleuniger
SK Hynix hat den Prototypen seines AiM-Beschleunigers vorgeführt. Dabei werden bestimmte Berechnungen direkt im GDDR6-Speicher durchgeführt.
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UltraRAM Entwickler erhalten Innovations-Award
Nicht nur aus Sicht der Erfinder ist die neue Speichertechnik UltraRAM vielversprechend. Auf der Speichermesse FMS 2023 gab es einen Award.
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SK Hynix 24 GB LPDDR5X fürs Smartphone gehen in Serie
Nachdem bereits die ersten Smartphones mit 24 GB RAM in Aussicht gestellt wurden, liefert SK Hynix nun den passenden Speicher in Serie.
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GH200 Grace Hopper Superchip Nvidia setzt als erster Anbieter auf HBM3e mit 5 TB/s
Zur SIGGRAPH hatte Nvidia eine aufgebohrte Variante des Grace Hopper Superchips mit jetzt 141 GB HBM3e anstelle von 96 GB HBM3 im Gepäck.
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Micron-Roadmap 32 Gbit DDR5, GDDR7, HBM3 und sein Nachfolger
Parallel zur Vorstellung des ersten High Bandwidth Memory (HBM) hat Micron eine Roadmap inklusive weiterer Speicherneuheiten veröffentlicht.
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HBM3 Gen2 Microns erster High Bandwidth Memory ist am schnellsten
Deutlich nach Samsung und SK Hynix steigt Micron in den Markt mit High Bandwidth Memory (HBM) ein, legt beim Durchsatz aber gleich vor.
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Tiefpunkt überwunden SK Hynix klettert mit tiefroten Zahlen aus dem Speicherloch
44 Prozent mehr Umsatz als im ersten Quartal interpretiert SK Hynix als das Herausklettern der Speicherbranche aus dem tiefen Loch.
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High-End-Speicher SK Hynix will HBM4 mit 32 GB pro Chip schon ab 2026 liefern
SK Hynix hat das Produktionsziel für HBM4 erneut auf das Jahr 2026 festgelegt. Im kommenden Jahr wird HBM3E an den Start gehen.
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Samsung Entwicklung von GDDR7 mit 32 Gbps abgeschlossen
Schon lange vorbereitet, startet GDDR7 als nächste Generation Grafikspeicher nun auch offiziell. Samsung bietet GDDR7 mit 32 Gbps an.
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DRAM-Preise erreichen Talsohle RAM-Module könnten bald wieder teurer werden
Darauf haben Hersteller, aber nicht Kunden gewartet: Der Preisverfall bei DRAM kommt zum Erliegen, RAM könnte bald wieder teurer werden.
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Technologiediebstahl Foxconn plante 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung
Es klingt wie ein Spionageroman und kommt dem wohl auch ganz nahe: Foxconn plante eine 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung.
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Micron Nächstes Jahr kommen GDDR7 und HBM3
Micron will 2024 sowohl den ersten GDDR7-Speicher für Grafikkarten präsentieren als auch in das HBM-Geschäft mit HBM3 einsteigen.
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Hohe Nachfrage dank AI SK Hynix will HBM3-Produktion verdoppeln
Die neuen Beschleuniger von Nvidia und AMD brauchen HBM-Speicher, den modernsten seiner Art. SK Hynix will die Produktionslinien verdoppeln.
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Next-Gen-DRAM-Fertigung Japan investiert in Microns EUV-RAM-Herstellung
Ein interessanter Schritt der Zusammenarbeit: Japan investiert in ein Micron-Werk in Hiroshima, in dem der EUV-1γ-Prozess entwickelt wird.
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Samsung und AMD Update 12-nm-DDR5-DRAM für Zen mit bis zu 7.200 MT/s
Samsung schickt für das Jahr 2023 die nächste Speichergeneration auf Basis von DDR5 ins Rennen und wählt auch AMD als Partner.
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Samsung CXL 2.0 Memory Expander Die zweite Generation bietet erst einmal 128 statt 512 GByte
Bereits vor zwei Jahren das erste Mal mit CXL 1.1 und 512 GB angekündigt nähert sich nun der erste CXL 2.0 DRAM mit 128 GB der Serienreife.
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Speicherbranche im freien Fall DRAM-Preise geben noch einmal um bis zu 23 Prozent nach
Das Ende des Preisverfalls bei DRAM und NAND ist noch nicht erreicht, im aktuellen Quartal geht es weiterhin steil bergab.
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3D-DRAM Konzepte für gestapelte Speicherzellen wie bei 3D-NAND
Wie bei 3D-NAND könnten bald auch die Speicherzellen von DRAM-Chips in mehreren Ebenen übereinander gestapelt werden.
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SK Hynix HBM3 12 DRAM-Stapel liefern 24 GB in einem Package
Der auf schnelle Datentransfers ausgelegte High Bandwidth Memory (HBM) liefert bei SK Hynix jetzt noch mehr Speicherplatz.
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Speicherkrise Update 4 Samsung verliert Milliarden im DRAM-Geschäft
Nun zieht es auch den Marktführer in den Abwärtsstrudel des Speichermarktes. Laut Insidern in Südkorea wird das erste Quartal vernichtend.
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DDR5-Arbeitsspeicher G.Skills neue 24- und 48-GB-Modul-Kits gehen bis DDR5-8200
G.Skill hat neue Arbeitsspeicher-Kits mit Modulgrößen von 24 GB und 48 GB sowie einer Frequenz von bis zu DDR5-8200 angekündigt.
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Quartalszahlen Micron schreibt größten Verlust der Firmengeschichte
Aus 2,3 Milliarden US-Dollar Gewinn vor einem Jahr wurden nun binnen 3 Monaten 2,3 Milliarden US-Dollar Verlust und markieren die Misere.
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Speicherpreise 20 bis 40 Prozent Nachlass im ersten Halbjahr 2023 anvisiert
In einem abgekühlten Markt kollabieren die Preise für DDR4, DDR5 und Grafikspeicher weiter. Der prozentuale Rückgang ist deutlich.
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3D-NAND Intel und SK Hynix setzen neue Maßstäbe bei der Flächendichte
Intel und SK Hynix stellen NAND-Chips in Aussicht, die erstmals eine Flächendichte von über 20 Gbit/mm² aufweisen sollen.
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Absatz im freien Fall Update DRAM-Verkäufe geben um über 30 Prozent nach
Viele Zahlen deuteten es bereits an, nun gibt es die Bestätigung: Der DRAM-Markt ist im letzten Quartal um über 30 Prozent eingebrochen.
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LPDDR5T SK Hynix zündet den Low-Power-DRAM-Turbo
Auf X folgt T. SK Hynix beschleunigt den LPDDR5-Speicher auf 9.600 MT/s und nennt diesen nicht mehr LPDDR5X sondern LPDDR5T.
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Tape Embedded Drive Western Digital erwägt Bandspeicher im HDD-Format
In mehreren Patenten beschreibt Western Digital die Idee eines Laufwerks, das Bandspeicher (Tape) und Lese-/Schreibeinheit in sich vereint.
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Neuer DDR5-Weltrekord Gigabyte erreicht mehr als 11.000 MT/s mit Aorus-RAM
Gigabyte und der Extrem-Overclocker „Hicookie“ haben mit 11.1136 MT/s einen neuen Weltrekord für DDR5-Arbeitsspeicher aufstellen können.
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Arbeitsspeicher Dells CAMM wird JEDEC-Standard für Notebook-RAM
Das von Dell im letzten Jahr vorgestellte RAM-Riegel-Format CAMM soll jetzt ein offizieller JEDEC-Standard werden.
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Polaris RGB und EVO V GeILs DDR5-8000CL38 setzt auf winzige Lüfter zur Kühlung
Die RAM-Kits der Serien GeIL Polaris RGB und EVO V RGB sind mit bis zu 64 GB DDR5-8000 erhältlich und werden teils aktiv gekühlt.
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Galax HOF Extreme & HOF Pro SSDs mit bis zu 10 GB/s und DDR5 mit bis zu 8.000 MT/s
Galax hat im Vorfeld der CES 2023 neue SSDs und DDR5-Speicherkits vorgestellt, welche bis zu 10 GB/s respektive 8.000 MT/s erreichen sollen.
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214 Tage Inventar Micron versinkt im Speicher und verschiebt EUV
Micron macht auch zum Jahresende nicht vor bösen Überraschungen halt. Der Hersteller versinkt im Speicher und korrigiert die Aussichten.
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DDR5-8000 CL38 Netac Z-RGB-Serie erreicht 8.000 MT/s dank Hynix A-Dies
Der chinesische Speicherhersteller Netac erreicht mit seiner Speicherserie Z-RGB dank Hynix A-Dies bis zu DDR5-8000 CL38.
