Speichertechnologien (Seite 6)
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3D XPoint Intels Speicher-Novität als PCIe-Karte oder RAM-Modul
Die neue Speichertechnik soll zunächst Server-Plattformen bedienen und entweder als PCIe-Karte oder RAM-Riegel eingesetzt werden.
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Speichertechnologie Toshiba stapelt 16 NAND-Dies mit TSV übereinander
Toshiba nutzt die etwa von Stacked DRAM bekannte TSV-Technik, um 16 gestapelte NAND-Dies miteinander zu verbinden.
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Intel / Micron 3D Xpoint 1.000 Mal schneller und haltbarer als NAND
Die 3D-XPoint- oder auch Crosspoint-Technologie soll NAND-Flash bei Geschwindigkeit und Haltbarkeit um den Faktor 1.000 übertreffen.
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DDR4-RAM Patriot Viper 4 Kit mit bis zu 128 GByte für Haswell-E(P)
Mit Patriot kündigt ein weiterer RAM-Hersteller noch für dieses Jahr die Verfügbarkeit eines DDR4-RAM-Kits mit einer Kapazität von 128 GB an.
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Hybrid-Speichermodule JEDEC unterstützt nichtflüchtiges NVDIMM
Arbeitsspeicher war in der Vergangenheit immer flüchtiger Speicher, der ohne Strom keine Daten behielt. NVDIMMs sollen dies in Zukunft ändern.
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Samsung ePoP SoC, DRAM und Flash unter einem Dach
Samsungs ePoP-Speicher vereint 3 GB Arbeitsspeicher und 32 GB Flash-Speicher samt Controller in einem Chip, der direkt auf einen SoC aufsetzbar ist.
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Speicher der Zukunft Neue ReRAM-Prototypen von Crossbar und Micron
Crossbar und Micron zeigen zur Fachmesse IEDM 2014 neue Prototypen von ReRAM, einem Kandidaten des Speichers der Zukunft.
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Festplatten-Roadmap Die Branche träumt von 100 TB im Jahr 2025
Laut einer Roadmap wird sich die Datendichte von Festplatten im Jahr 2025 verzehnfacht haben – HDDs mit 100 TB wären somit denkbar.
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Grafikkartenspeicher 8 GHz GDDR5 und HBM von SK Hynix verfügbar
SK Hynix gibt die Verfügbarkeit der ersten Generation des High Bandwidth Memory (HBM) und von GDDR5-Speicher mit effektiv 8 GHz bekannt.
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NVDIMM von SK Hynix Erste DDR4-Module mit 16 GB ohne Datenverlust
NVDIMM vereint die Geschwindigkeit von flüchtigem DRAM mit der Datenbeständigkeit von Flash-Speicher. DDR4 mit 16 GB kommt im Jahr 2015.
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Samsung Massenfertigung von 3D-NAND mit 3 Bit gestartet
Samsung kündigt den Beginn der Massenproduktion von 3D-NAND mit 3 Bit pro Speicherzelle (TLC) an. Als erstes Produkt wird die 850 Evo vermutet.
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MRAM TDK stellt potentiellen Nachfolger von Flash vor
TDK präsentiert einen Prototyp des Speichers MRAM, der die guten Eigenschaften flüchtiger und nichtflüchtiger Speicher vereinen soll.
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High Bandwidth Memory Schnellerer Speicher für Grafikkarten noch 2014
High Bandwidth Memory (HBM) ist gestapelter DRAM-Speicher mit hoher Bandbreite. Eine Roadmap besagt, dass er noch dieses Jahr marktreif sein wird.
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3D-NAND Baubeginn der Fabrik von Toshiba und SanDisk
Im Laufe der Woche wurde mit dem Bau der „Fab 2“ in Toshibas NAND-Flash-Produktionsstätte Yokkaichi Operations für den Umstieg auf 3D-NAND begonnen.
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News Update HGST: Schnellste SSD der Welt mit Phasenwechselspeicher
Auch bei Western Digitals Tochterunternehmen HGST rückt Flash-Speicher immer mehr in den Fokus. Anlässlich des Flash Memory Summit stellt HGST neue …
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News DDR3-RAM-Module mit 16 GB für Consumer-PCs
Arbeitsspeicher mit einer Kapazität von 16 Gigabyte je Modul ist von Intelligent Memory erstmals für den Konsumentenmarkt vorgestellt worden. Somit …
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News Mehr SLC-NAND-Flash für den Automobileinsatz
Die in Taiwan ansässigen Halbleiterhersteller Macronix International und Winbond Electronics haben mit der Massenproduktion von exklusiven …
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News Synology stellt Patch für Heartbleed-Bug bereit
Zur Behebung der als Heartbleed-Bug bekannten folgenschwere Open-SSL-Sicherheitslücke hat Synology die Aktualisierung DSM 5.0-4458 Update 2 …
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News DDR4-RAM mit 128 Gigabyte bei SK Hynix in Arbeit
SK Hynix verkündet die Entwicklung erster DDR4-Speichermodule mit einer Kapazität von 128 Gigabyte. Durch die gegenüber den bisher größten …
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News Apacer drückt mit SSDs auf den europäischen Markt
Mit Apacer sucht ein weiterer Hersteller von NAND-Flashspeicher-Laufwerken den Expansionskurs in den europäischen Markt. Laut eigenen Angaben will …
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News Erste 20-nm-DDR3-DRAM-Chips von Samsung
Nach der jüngsten Verlautbarung, die 25-nm-DDR3-DRAM-Produktion deutlich steigern zu wollen, gibt Samsung nun einen weiteren „Meilenstein“ bekannt: …
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News Archival Disc soll künftig ein Terabyte an Daten archivieren
Das Zeitalter der optischen Datenträger ist längst nicht vorbei. Sony und Panasonic präsentieren mit der „Archival Disc“ einen neuen Standard, der …
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News JEDEC erweitert DDR3-DRAM-Spezifikationen
Die JEDEC-Kommission hat mit der Erweiterung 6 (SPD4_01_02_11) den DDR3-Standard ausgebaut. Dieser beinhaltet neue Serial-Presence-Detect-Profile …
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News Samsung kurbelt Speicherchip-Produktion in 25 nm an
Marktbeobachter in Asien gehen davon aus, dass Samsung die Fertigung von DRAM-Bausteinen in 25 nm deutlich hochfahren wird. Dies wird als Zeichen …
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News Forscher des KIT speichern ein Bit mit einem Atom
Forschern des Karlsruher Institut für Technologie (KIT) ist es gemeinsam mit Kollegen aus Halle gelungen, das magnetische Moment einzelner Atome …
