Quartalsbericht: Microns Fahrplan für DDR5, 128-Layer-NAND und HBM

Das zweite Quartal in Microns Geschäftsjahr 2020 lieferte solide Zahlen angesichts globaler Krisen. Der Speicherhersteller sprach nicht nur über Finanzen, sondern auch über kommende Technologien wie etwa DDR5-RAM, High Bandwidth Memory oder die erste eigene 3D-NAND-Generation nach der Trennung von Intel.

Solides Quartalsergebnis in Krisenzeiten

Der Earnings Call zum zweiten Fiskalquartal 2020 stand bei Micron wenig überraschend unter dem Schatten des Coronavirus. Maßnahmen zum Schutz der mehr als 37.000 Mitarbeiter wurden ebenso thematisiert wie die Versorgung mit Materialien zur Produktion. Die Einschränkungen haben sich aber noch nicht wesentlich negativ auf die Quartalszahlen ausgewirkt, Micron übertraf mit 4,8 Milliarden US-Dollar Umsatz und 405 Millionen US-Dollar Nettogewinn sogar die Erwartungen von Analysten.

CEO Sanjay Mehrotra sprach von einem soliden Ergebnis. Der Ausblick auf geschätzte 4,6 Milliarden bis 5,2 Milliarden US-Dollar Umsatz im laufenden Quartal stimmte Anleger positiv, sodass der Aktienkurs zwischenzeitlich um 3,5 Prozent zulegen konnte.

DDR5 und 1Z-Fertigung

Das Hauptgeschäft mit DRAM wird weiter auf neue, feinere Herstellungsverfahren umgestellt. Bis zum Sommer 2020 will Micron mehr als die Hälfte des DRAM in den jüngeren Prozessen 1Y und 1Z herstellen. Es gibt zwar keine klare Definition für die Strukturbreite eines 1Z-Verfahrens, doch rühmt sich Micron damit, beim Start der Serienfertigung von 1Z-DRAM Erster gewesen zu sein. In diesem Verfahren stellt Micron etwa neuen LPDDR5-Arbeitsspeicher für Smartphones der Oberklasse her.

Bei regulärem DDR5-Arbeitsspeicher für PC und Server ist Micron noch nicht so weit und hat erst im vergangenen Quartal mit der Bemusterung (Sampling) von DDR5-Modulen mit Speicherchips aus dem 1Z-Prozess begonnen. Zum Jahresbeginn hatte Micron die Auslieferung von Test-Samples neuer DDR5-RDIMMs für Server verkündet. Da bis heute noch keine Server-Plattform mit DDR5-Speicher umgehen kann, ist aber keine Eile geboten. Derzeit geht man davon aus, dass bei Intel frühestens im kommenden Jahr mit Sapphire Rapids DDR5 unterstützt wird. Bei AMD wird dies für Genoa mit Zen-4-Architektur erwartet, die Anfang 2022 bereitstehen soll.

Erst kürzlich wurde bekannt, dass Samsung DDR5-RAM im kommenden Jahr in einem Prozess mit EUV-Belichtung fertigen will. Die ersten LPDDR5-Chips von Samsung werden aber wie bei Micron mit herkömmlicher Lithografie produziert.

Microns erste eigene 3D-NAND-Generation

Seit Ende Oktober gehen Micron und Intel, die lange Zeit als Joint Venture IM Flash Technologies (IMFT) gemeinsam NAND-Flash-Speicher wie auch den Phasenwechselspeicher 3D XPoint (3DXP) entwickelt und produziert haben, getrennte Wege. Während Micron zum alleinigen Hersteller von 3DXP wurde, ist Intel nun der einzige Kunde und kauft den Speicher für seine Optane-Produkte.

Beim NAND-Flash werden die Ex-Partner dieses Jahr ihre jeweils erste unabhängig voneinander entwickelte Generation 3D-NAND vorstellen. Intel hatte bereits QLC-3D-NAND mit 144-Layer-Architektur in Aussicht gestellt. Bei Micron steht ein kompletter Design-Umbruch an, denn vom Floating-Gate-Prinzip bei IMFT wird auf Charge-Trap-Flash-Technik mit Replacement Gate (RG) Technology umgesattelt.

Micron hatte selbst von einem „einzigartigen Design“ gesprochen, das über 128 Layer verfügen soll. Micron hat jetzt angekündigt, mit der Produktion des RG-NAND im Laufe des aktuellen Quartals zu beginnen. Umsatzrelevante Auslieferungen werden aber erst für das vierte Fiskalquartal 2020, also Juni bis August, erwartet.

Nachzügler: High Bandwidth Memory von Micron

Vor allem bei Profigrafikkarten kommt statt GDDR-Speicher auch der sogenannte High Bandwidth Memory (HBM) zum Einsatz. Dieser wird von Samsung und SK Hynix hergestellt, die schon an der nächsten Generation HBM2 arbeiten.

Micron produziert bisher keinen HBM und hat sich stattdessen auf den massentauglicheren GDDR6 konzentriert, der bei Consumer-Grafikkarten der aktuellen Generation vorherrscht. Ohnehin hatte Micron HBM vor einigen Jahren noch als schlechte Kopie des eigenen Konzepts Hybrid Memory Cube gesehen.

Dennoch will Micron noch spät auf den HBM-Zug aufspringen, der Speicher hat sich längst als JEDEC-Standard etabliert. Im Zuge des jüngsten Earnings Call hat Micron die Vorstellung des eigenen High Bandwidth Memory für das Kalenderjahr 2020 in Aussicht gestellt. Details zum HBM-Debüt von Micron stehen aber noch aus.