News Elektronenstrahllithografie für die Massenfertigung?

Jetzt ist nur wider das Alte Problem im Labor gehts aber der Altag eben.

Das spiel kennt man schon von den unendlich gepimpten glasfaser kabeln^^

Bringt ja niy wense unter labor bedingung gute rates haben und ordentliche yield rates.

Die industrie kann nicht nach jedem waver 2 tage neu justieren.
So was geht vlt bei super rechnern wo ein Prozzi 58 000 Euro kostet.

Denk ma am ende wird für den massen markt wider was "einfacheres" herhallten müssen!
 
Echt gut wenn man mal schon weit ist damit man mal unter 10nm produzieren kann, den es war noch nicht lange her wo wir bei 65nm oder 55nm warten jetzt sind wir in Flashspeichersektpr schon bei 20nm. Und 10nm sind jetzt nicht mehr weit.

Bin ja mal gespannt wie die erste Massenproduktion anlaufen wird bei CPU oder GPU mit Elektronenstrahllithografie.
 
@Mister79
Naja, das verbessert möglicherweise in gewissem Maße die Fertigung solch kleiner Strukturen, ändert aber nichts an der Tatsache, dass der Tunnel- und andere quantenmechanische Effekte eine immer größere Rolle spielen!
 
Vielen Dank für diesen informativen Artikel!

Ich würde mir mehr Inhalte dieser Art wünschen.

Ständig Werbun.. ähh - ich mein natürlich "Produktvorstellungen" zB. des
26. "FatalityBulls*it!!!11-Sport-Gamer-Supreme-Headsets"
(welches sich von sonstigen Geräten des Marktes nur durch noch gigantischere optische Abartigkeit auszeichnet... ) nerven und sind sehr schade, da es Leser über 15 doch eher zu Heise und Konsorten treibt und das Niveau hier zunehmend sinkt.
 
Shaav schrieb:
Mir ist es jetzt schon ein Rätsel wie man mit Wellenlängen von weit über 100nm Strukturen herstellen kann die nur ein Bruchteil dessen groß sind. Krass!
Die Tricks heißen u.a.:


Aber zugegeben: es ist trotzdem seltsam, dass es möglich ist :D
 
Es ist einfach wahnsinn. Den ganzen Prozess der Mirkochipherstellung intressiert mich sehr aber ich kann es mir immer noch nicht vorstellen wie man soo feine Strukturen herstellen kann.
Ich will eigendlich garnicht warten. Ab in die Zeitmaschinen und 100 in die Zukunft. Zurück kommt man mit nem Terminator. Zum Glück ich bin noch jung ....

***Ironie on: "mmh 2012 geht die Welt unter, mist" Ironie off***
 
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Mit obiger Formel erhält man unter Einbeziehung relativistischer Effekte z.B eine Wellenlänge von 12.3 pm bei 10kV und 2.5pm bei 200kV Beschleunigungsspannung.

Bleibt nur noch das Problem, dass der Abstand zwischen den Silizium Atomen 543 pm ist. Und der wird für herkömmliche Halbleitertechnik das limit darstellen. Da kann die Lithografie machen was sie will.
Schneller wird es dann nur über andere Materialsysteme (die bislang deutlich teurer sind) oder eine andere Art der Strukturierung (Nanodrähte, Quanteneffekte) gehen.
Aber bis dahin ist ja noch etwas Zeit, damit sich die Wissenschaft etwas einfallen lassen kann.

Soweit ich weiß war die Wellenlänge der EUV Belichter im Bereich 12.5 nm. Und die kämpfen immer noch mit vielen Problemen (günstiges Material der reflektierenden Spiegel, Defekte, Dosiskonstanz, ...). Wenn das so weiter geht ist EUV schon überholt, bevor es überhaupt in der Massenfertigung richtig angekommen ist.

Zum Artikel:
Je weniger Elektronen zur „Belichtung“ der Elektronenstrahl-empfindlichen Schicht (Resist) benötigt werden, desto schneller kann der Strahl sich bewegen.
Das finde ich im Zusammenhang mit der Bemerkung:
Das in den Experimenten der MIT-Forscher genutzte Resist sei für den praktischen Einsatz allerdings zu empfindlich
interessant. Denn wenn der Resist schon empfindlich genug ist, kann man eben auch die Strahlenergie erhöhen und so den sweet spot treffen...

Summa summarum: Komme was wolle, Moore wird immer Recht behalten :)
 
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