Frage zur Spannung von Vcore

BenjiESDO

Cadet 2nd Year
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Mai 2012
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16
Guten Morgen!

Wenn ich den Vcore mit mehr Spannung versorge, entsteht dann eine höhre Wärmeentwicklung?

Gruß
BenjiESDO
 
Mit steigernder Spannung steigt auch der Strom und somit auch die Wärmeentwicklung am Verbraucher.
 
Ja, und zwar ganz genau um den Faktor ^2 (Quadrat), d.h. wenn du die Spannung verdoppelst (angenommen, es gibt keinen Prozessor der dies überleben würde) hättest du die vierfache Verlustleistung und damit auch die vierfache Wärmeentwicklung.
 
Die Frage erübrigt sich bei gesundem Menschenverstand oder der Eingabe in Google, ja tut es.
 
@t0x
Proportional zum Takt und Quadratisch zur Spannung - ist schon richtig.
 
@ TheG2mer3d9y wenn du das meinst wirds wohl stimmen ;), ich finde nur man muss das CB Forum nicht mit Fragen voll SPAMMEN die man durch die SUCHE hier im Forum oder Google sich selber hätte beantworten können aber NEIN man muss den Leuten alles 1000 mal vorkauen. Mit dieser Meinung stehe ich mit Sicherheit auch nicht allleine da.
 
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Bei einer ohmschen Last stiege die Leistung quadratisch mit der Spannung.
Die CPU ist aber keine ohmsche Last.
Aber um die Frage zu beantworten: Ja, es gibt eine höhere Wärmeentwicklung.
 
Nagut, da gebe ich dir mal recht.
Es ist halt einfach so das "Neulinge oder Unwissende" erstmal für alles Threads eröffnen und vorallem bei jüngeren Leuten. Vorrallem will jeder genau für seine Fragen eigene Antworten bekommen:D. Somit hoffe ich das sie durch dein Kommentar demnächst erst die Suche oder google benutzen.
 
@ TheG2mer3d9y werden Sie nicht aber ich werde nicht aufgeben :D
 
Halbleiter verhalten sich wie ohmsche Lasten, ihr ohmscher Widerstand ist lediglich vom Arbeitspunkt abhängig.
Und davon gibt es bei Verwendung von Transistoren als Schalter genau 2 Stück: Transistor leitet (r_DS klein bei Mosfets, im Idealfall wäre der Widerstand null) oder der Transistor sperrt (r_DS hochohmig, im Idealfall = unendlich).

Doppelte Spannung führt zu doppeltem Strom, da r_DS konstant (= unabhängig von der Betriebsspannung), also vierfacher Verlustleistung.
 
kisser schrieb:
Halbleiter verhalten sich wie ohmsche Lasten, ihr ohmscher Widerstand ist lediglich vom Arbeitspunkt abhängig.
Und davon gibt es bei Verwendung von Transistoren als Schalter genau 2 Stück: Transistor leitet (r_DS klein bei Mosfets, im Idealfall wäre der Widerstand null) oder der Transistor sperrt (r_DS hochohmig, im Idealfall = unendlich).

Doppelte Spannung führt zu doppeltem Strom, da r_DS konstant (= unabhängig von der Betriebsspannung), also vierfacher Verlustleistung.

Mit diesem Argument kannst du auch behaupten dass die Spule eine ohmsche Last sei, es wäre lediglich von der Frequenz abhängig. Spätestens bei ƒ=0 ist sie ein perfekter ohmscher Widerstand.

Umgekehrt kann man das von einem Halbleiter nicht behaupten. Er zeigt lediglich in einem schmalen Bereich annähernd ohmsche Eigenschaften.

Des weiteren haben Halbleiter einen wesentlich höheren (bzw. negativen) Temperaturkoeffizient, was bei einer CPU enormen Einfluss hat und die Betrachtung als ohmschen Widerstand nicht mehr erlaubt.
 
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Also, U=R*I, wir nehmen an: R (Widerstand) ist fix, und die Leistung ergibt sich aus P=U*I. Da wir I nicht kennen, substituieren wir I mit I=U/R, dauraus folgt dann P=U*U/R, da R wie angenopmmen fix ist ergibt sich bei einer Spannungserhöhung und gleichem Widerstandswert P=U^2, noch fragen??

Ein Halbleiter nach der Begrifflichkeit ist kein Ohmscher Widerstand, richtig, aber der Prozessorhersteller hat ein sehr großes Interesse daran, das die Widerstandsänderungen bei Temperaturänderungen so klein wie möglich sind (rein aus Praktischen Gründen, damit der Prozessor überhaupt noch arbeiten kann, wenn er sich erwärmt). UND wie kisser schon schrieb, arbeiten die Halbleiter im Prozessor mit genau zwei Arbeitspunkten, voll gesperrt oder total leitend. Wenn das nicht der Fall wäre, hätten wir einen analogen Prozessor, gibt es auch, aber nicht als CPU oder GPU, sondern eher als ASIC bei Frequenzabhhängigen arbeiten (Soundbearbeitung).

@eremit: Bei einem nicht auf Temperaturänderungen optimierten Halbleiter gebe ich dir Recht, aber bei einem MOS-FET Transistor gibt es nicht mal im Datenblatt eine Angabe, welchen Temperaturkoeffizienten dieser hat, weil es selbst bei der theoretischen Betrachtung nicht ins Gewicht fällt, denn wenn sich die Temperatur soweit geändert hat, das es wichtig wäre, läuft er nicht mehr in seinen vom Hersteller vorgegebenen Arbeitsbereich und zerstört sich demnächst dann auch selbst! Link
 
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