<LORD> schrieb:
Also jetzt geht es dann doch langsam an die Grenzen des mit den derzeitigen technischen Mittel phyisikalisch umsetzbaren.
Bei 45nm dürften ja nicht mehr allzu viele Atome als Isolator vorhanden sein.
Es gab ja schonmal das SND-Syndrom bei dem Elektronen in alle Leiterbahnen gesprungen sind und so die CPU durch nen kurzen vernichtet wurde. Zum Glück damals nur bei erhöhter Spannung. Aber wenn es dieses Syndrom schon im 130nm Prozess gab, wird es sehr schwer werden diesen bei 45nm zu verhindern.
Hoffen wir dass sie sich etwas einfallen lassen dazu.
Im übrigen genau der richtige Schritt von Intel, bei dem derzeit doch recht derben Stromverbrauch wird es bei 45nm wenigstens möglich sein den jetzigen Stand zu halten. Ob sie tiefer gehen können ist die frage, bei dem doch hoffentlich mal wieder zu erwartenden Fortschritt. Vor allem mit DCore.
Schade finde ich dass AMD hier so hinterherhängt, liegt wohl einzig und allein am Geld. Forschung kostet ohne Ende. Wenigstens wird der 65nm mit der Fab36 eingeführt. 45nm werden die aber wohl frühestens 2008/9 schaffen denke ich. Vll werden sies aber auch früher gar nicht nötig haben.
Langfristig ist der Abschied vom Silizium unumgänglich
Für die Probleme mit dem ausgereizten Pentium 4-Design scheint Intel mit dem Umstieg auf Dual Core-Architekturen zunächst einmal einen Ausweg gefunden zu haben. Um die Leistung auch in den nächsten Jahren zu steigern, reichen Verbesserungen der Architektur jedoch nicht mehr aus. Welche Maßnahmen bei der Chip-Herstellung getroffen werden müssen, erklärten Intel-Ingenieure auf einer Veranstaltung im der Firmenzentrale des Unternehmens.
So müsse man die Eigenschaften der heute verwendeten Silizium-Transistoren mittelfristig verbessern und sich langfristig ganz von diesem Material verabschieden. "Im Jahr 2010 sollten wir wissen, was nach CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) kommt", so Paolo Gargini, Director of Technology Strategy bei Intel.
Im Jahr 2014 könnten Chips Transistoren enthalten, die aus Karbon-Nanoröhrchen oder Silizium-Nanodrähten gefertigt werden. Bis zum Jahr 2020 müssen den Intel-Ingenieuren zufolge jedoch noch tiefgreifendere Änderungen vollzogen werden.
Doch bis es soweit ist, müssen erst einmal die nächsten Entwicklungsstufen in trockenen Tüchern sein. Intel will in dem für 2007 geplanten 45-Nanometer-Prozess das bislang in Silzium gefertigte Gate durch eine entsprechende Konstruktion aus Metall ersetzen. Auch das Gate Oxide, das den Fluss von Elektronen in einem Transistor regelt, soll künftig nicht mehr aus Silizium hergestellt werden. Diese Maßnahmen sollen auch die Realisierung der 22-Nanometer-Fertigung sicherstellen, die derzeit für das Jahr 2011 oder 2012 geplant ist.
Im Jahr 2015 seien dann weitere Maßnahmen nötig, um die Leistung von Halbleitern zu verbessern. Geht es nach den Plänen von Intel, soll das Gate dann durch Konstruktionen aus Karbon-Nanoröhrchen oder Silizium-Nanodrähten ersetzt werden.
http://www.zdnet.de/news/hardware/0,39023109,39127197,00.htm
