News Micron B58R mit 232 Layern: Der fortschrittlichste 3D-NAND geht in Serie und beeindruckt

Von thermischen Umständen war da aber jetzt nirgends die Rede. Verwunderlich, denn höher Dichte der Kondensatoren bedeutet idR auch höher Stromdichte und somit mehr Abwärme / Verlustleistung. Warten wir also auf konkrete Produkte...
 
andi_sco schrieb:
Wo war Micron/Crucial denn langsam?
Also so, das man es auch merkt
Sequentielles schreiben und IOPS waren messbar deutlich schlechter. Der NAND wurde nur in Budget SSDs eingesetzt. In den high-end Modellen war ausschließlich Toshiba BiCS3 zu finden. Wie viel man davon merkt sei dahingestellt, kommt ja wie immer auf das Anwendungsgebiet an. Der 0815 User wird auch gut mit QLC klar kommen, auch wenn es immer verteufelt wird. ;)
 
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232 Layer? Was hat denn der Wafer für eine Durchlaufzeit in der Fertigung? Misst man die noch in Monaten oder schon in Jahren?
 
hübie schrieb:
Von thermischen Umständen war da aber jetzt nirgends die Rede. Verwunderlich, denn höher Dichte der Kondensatoren bedeutet idR auch höher Stromdichte und somit mehr Abwärme / Verlustleistung. Warten wir also auf konkrete Produkte...
Würde mich auch interessieren wie man die Hitze aus den 232 Layern bekommt. Wo positioniert man in so einem Chip den Temperatursensor?
 
Zugegeben, die Werte sind beeindruckend, aber ich benötige vor allem viel preiswerten Speicherplatz. Dabei würde mir eine Geschwindigkeit von 1 bis 2 Gbyte/s völlig ausreichen. Gern auch zum doppelten Harddisk-Preis.
 
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Steini1990 schrieb:
232 Layer? Was hat denn der Wafer für eine Durchlaufzeit in der Fertigung? Misst man die noch in Monaten oder schon in Jahren?
Die Herstellungszeit steigt nicht linear mit der Anzahl der Schichten. Man muss natürlich die Schichten selbst einzeln aufbringen. Das geht aber recht schnell und einfach, da sie nicht belichtet werden müssen.

Die einzelnen Speicherzellen werden dann auf einmal durch alle Schichten hindurch geätzt. Das macht das Verfahren auch so billig, sonst würden SSD eher so viel wie RAM kosten.
Ergänzung ()

@MichaG Wäre es möglich der Vergleichstabelle die Anzahl der Layer-Türme hinzuzufügen? Für jeden Layer-Turm müssen die Speicherzellen einzeln hergestellt werden. Die beiden 116 hohen Türme einfach zusammenzuzählen ist also recht gewagt und scheint eher aus dem Marketing zu kommen.
 
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wern001 schrieb:
Ist irgendwie schon witzig das stapeln.
Wenn man Festplattenscheiben auch so schön stapeln könnte :evillol:
Damit meine ich nicht nur 10 stück sondern gleich 100
Du bist lustig, mir macht bei Festplqtten schon alles über 3 Platten Angst, dass die beim Hinsehen crashed.
Selbst wenn ich die 20 TB ständig spiegle oder gar backuppe ist das ein Haufen Arbeit
 
@Markus2 Gute Idee, schaue ich nacher mal. Muss da etwas tiefer graben. Ich meine, es gab auch schon 3 Türme (vielleicht irre ich mich).

Soweit ich weiß kann man sich bei den kombinierten Türmen Logik sparen die dann nur einmal vorhanden ist und es geht alles auf ein Wafer. Wenn es ohne übermäßigen Aufwand möglich wäre würde der Hersteller natürlich gern alle Schichten auf einmal herstellen.
 
Ja. Nur YMTC macht es ganz anders und produziert Speicherzellen und Logik auf zwei unterschiedlichen Wafern (Xtacking Architektur).

Ich habe jetzt in der Tabelle die Zahl der Layer-Türme ergänzt, soweit möglich. SK Hynix setzt schon seit 72-Layer auf Double-Stack, Samsung erst seit V7. Zum V8 fehlen noch genaue Infos.
 
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wern001 schrieb:
ich weiß ich meine in die richtung von 3 stellig nicht nur 10 oder 12
100 Platten in einem normalen HDD gehäuse :-)
kannst ja mehrere Festplatten übereinander stapeln..

in ein smartphone passt eine Festplatte sowieso nicht, also Größe egal ;)
 
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