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NewsPenta-Level Cell: Solidigm demonstriert erste SSD mit 5 Bit pro Zelle
Solidigm, die neue Marke hinter dem von Intel an SK Hynix verkauften SSD-Geschäft, hat zum Flash Memory Summit 2022 den Prototypen einer SSD mit ganz besonderem Speicher demonstriert: Die SSD basiert erstmals auf NAND-Flash mit 5 Bit pro Speicherzelle (Penta Level Cell, PLC). Wann dieser den Markt erreicht, bleibt aber offen.
Mit PLC verbinde ich was anderes: SPS
Aber bei dem Begriff läuft mir generell schon die Schauer über den Rücken runter.
Das wird dann bei SSDs nicht anders sein
Hmm... in der letzten News von PLC hatte das noch Stickstoff-Kühlung gebraucht, wenn ich mich richtig erinnere.
Ob der gezeigte Prototyp wohl bei Raumtemperatur funktionsfähig ist?
Wenn kein Datum genannt wird heißt das ja wohl, dass man da vor 2025 keinenfalls mit Produkten auf dem Markt rechnen muss, eher (deutlich?) später.
Weiß wer zufällig, wie viel von der Forschung an neuen Zellen-Formen für PLC sich dann für bessers QLC und TLC nutzen lässt? Oder sind die von den Anforderungen verschieden genug, dass das keinen Sinn macht?
Cool wäre es ja, wenn eine SSD fragmentiert wird.
Dann könnte man 256 - 512 GB als TLC und 1.024 - 2.048 GB als PLC NAN vorhanden sein.
Ein Teil der Daten schreibt man eh nicht ewig hin und her. Und für Fotos etc. reicht auch PLC
Cool wäre es ja, wenn eine SSD fragmentiert wird.
Dann könnte man 256 - 512 GB als TLC und 1.024 - 2.048 GB als PLC NAN vorhanden sein.
Ein Teil der Daten schreibt man eh nicht ewig hin und her. Und für Fotos etc. reicht auch PLC
Neben dem DRAM Cache gibt es dann einen mehrere Gigabyte großen SLC Cache. Selbst moderne TLC SSDs haben diesen SLC Cache, ansonsten könnten die Leistungswerte kaum erreicht werden.
Also ich habe QLC in meinem NAS und muss sagen von fehlender Leistung sehe ich nichts. 300 GB mit 1,1 GB/s drauf schieben ist kein Problem. Haltbarkeit habe ich bis jetzt auch kein Problem laut SMART Werten habe ich noch 99% Lebenszeit. Im Einsatz sind 5x 860 QVO und 1x 870 QVO.
Viele moderne TLC SSD haben auch nur den "SLC-Modus", heißt in einer TLC-Zelle wird nur ein Bit gespeichert und wenn es langsam knapp mit den TLC-Zellen wird, bricht dann auch die Leistung ein!
Ich verstehe aber nicht, warum man nach jedem Schritt nicht auch das Doppelte an Speicherkapazität hat? Gemäß der Tabelle sind das nur 25% mehr gegenüber QLC... Kann mit das jemand erklären?
Ich meine, wir haben ja jedes Mal die doppelte Anzahl an Bits pro Zelle - sind die nicht benutzbar?
Neben dem DRAM Cache gibt es dann einen mehrere Gigabyte großen SLC Cache. Selbst moderne TLC SSDs haben diesen SLC Cache, ansonsten könnten die Leistungswerte kaum erreicht werden.
Nein, fast alle haben einen SLC-Cache, was nichts anderes ist, als ein Teil der Kapaziät, der in einem schnellen Modus beschrieben werden kann. Es sind aber die gleichen Nands.
Bei einer Mischbestückung hätte man TLC und bspw. PLC verbaut. Ich glaube nicht, dass das sinnvoll ist, denn wenn ich mich nicht irre, müssten dann auch 2 Controller verbaut werden ...
Oder können die Controller mit allen Nand-Typen umgehen?
Ich hab ne Verständnisfrage zur Speichermenge pro Zelle. Klar sind 5 bit nur 25% mehr im Vergleich zu 4 Bit. Aber das weitere bit verdoppelt doch meine Speichermenge (2^4 vs 2^5 Zustände), oder hab ich hier nen Logikfehler?
Am Ende hab ich doppelt so viele Spannungszustände und damit doppelt so viel "Speicher"
Edit: Ich glaub ich häng mich zu arg an dem "Bitdichte" auf, das hat ja auf die Realität quasi keinen Einfluss, damit wäre aber auch die Argumentationslogik der Tabelle hinfällig. Am Ende verdoppelt jedes Bit die Speicherkapazität und benötigt aber doppelt so viel Aufwand ==> Skaliert also wunderbar linear. Das Problem ist nur, dass die vielen Spannungszustände halt deutlich mehr Aufwand benötigen sauber getrennt zu werden
Der Name sagt es doch PLC, Penta Level Cell, 5 Bit pro Zelle
Wenn du von 4 auf 5 Bits pro Zelle gehst, wieviel % kannst du mehr pro Zelle speichern?
MLC - 2 Bits
00
01
10
11
4 Zustände, aber man sieht auch, wir arbeiten nur mit zwei Bits, nur mit zwei Spalten
Wir können noch Spannungen dazu malen, aber nur vereinfacht^^
00 = 0V
01 = 1V
10 = 2V
11 = 3V
Misst man an der Zelle 0V, dann hat dein erstes und zweites Bit 0
Misst man 1V, ist das Bit erste Spalte 0, zweite Spalte 1
2V = Bit erste Spalte 1, zweite Spalte 0
3V = Bit erste Spalte 1, zweite Spalte 1
Ich hab ne Verständnisfrage zur Speichermenge pro Zelle. Klar sind 5 bit nur 25% mehr im Vergleich zu 4 Bit. Aber das weitere bit verdoppelt doch meine Speichermenge (2^4 vs 2^5 Zustände), oder hab ich hier nen Logikfehler?
Am Ende hab ich doppelt so viele Spannungszustände und damit doppelt so viel "Speicher"
Also ich habe QLC in meinem NAS und muss sagen von fehlender Leistung sehe ich nichts. 300 GB mit 1,1 GB/s drauf schieben ist kein Problem. Haltbarkeit habe ich bis jetzt auch kein Problem laut SMART Werten habe ich noch 99% Lebenszeit. Im Einsatz sind 5x 860 QVO und 1x 870 QVO.
Ja im Raid. Dann ist das kein Kunstück, QLC ist nach wie vor, wenn überhaupt, als Datengrab brauchbar. Von der Leistung her ist man da indiskutabel unterwegs.
Sehe ich nicht so. Selbst bei einer einzel SSD hat man im Fall von 860 bzw. 870 QVO 72 GB die Highspeed sind. Das langt für 99% der Verbraucher völlig aus.
@Cool Master
Kommt auf den Anwender an, 72 GB sind, zumindest bei mir, quasi nichts. Schiebe hier oft mehrere TB. QLC wird bei mir wegen Leistung und auch Lebenserwartung nie zum Einsatz kommen
