Präsenation RAM

mat1010

Cadet 2nd Year
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Hallo,

für die Schule muss ich eine Präsentation über RAM vorbereiten. Das sind meine Teilaufgaben der Präsentation:


● Statisches / Dynamisches RAM
● Speicherhierarchien / Speichertypen / Bauformen
● Aktuelle Kennzahlen / Typen / Hersteller


Die Ausarbeitung sollte nur (!) 2 Seiten betragen, was ich aber sehr knapp finde. Könnt ihr euch das mal anschauen und mir sagen, ob das vom Inhalt her stimmt? Über Verbesserungsvorschläge würde ich mich freuen.

Ram-Typen


RAM ( Random Access Memory ) oder auch „Speicher mit wahlfreiem Zugriff“, kann man in 2 Verschiedene Hauptgruppen Einteilen.

Flüchtige Speicher ( volatil )

VRAM

SRAM ( Static Random Access Memory ) ist ein RAM, welcher hauptsächlich als cache im Computer verwendet wird. Sein Inhalt bleibt nicht dauerhaft gespeichert, d.h. bei Spannungsverlust geht der Inhalt verloren.
Aufgrund dessen, dass die Information durch Zustandsänderung von bistabilen-Kippstufen gespeichert werden ist das SRAM sehr schnell, jedoch verhältnismäßig Groß und auch verbraucht auch relativ viel Strom.

Neben dem SRAM gibt es auch das DRAM ( Dynamic Random Access Memory ), welches in Computer als Arbeitsspeicher verwendet wird, weil es im Vergleich zum DRAM sehr günstig ist. Der Inhalt des DRAM´s ist auch flüchtig, kann jedoch aufgrund der Kondensatoren etwas länger erhalten bleiben und auch noch nach Verlust der Spannung für kurze Zeit erhalten bleiben. Die Informationen werden durch Ladezustände des Kondensators gespeichert. Dies macht das DRAM zwar sehr klein, jedoch entlädt sich der Kondensator durch auftretende Leckströhme ziemlich schnell, was heißt dass die Informationen immer wieder erneuert werden müssen.

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) ist eine Version des DRAM, welche mit dem CPU synchronisiert, d.h. der Takt wird durch den Systembus vorgegeben.

Nicht flüchtige Speicher ( non volatil )

NVRAM


FRAM ( Ferroelectric Random Access Memory ) ist ein nicht flüchtiger Speichetyp, welcher wie das DRAM aufgebaut ist. Der Unterschied zum DRAM ist jedoch, dass das Dielektrikum der Kondensatoren Ferroelektrisch. Dadurch wird der Speicher "non volatil". Das FRAM wird oft zum ergänzen des Arbeitsspeichers verwendet.

- die Daten bleiben über 10 Jahre erhalten, auch bei starken Temperaturschwankungen
- garantiert 10 mrd. mal beschreibbar


MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory ) ist ein RAM, bei dem die Informationen nicht mit elektrischen, sondern mit magnetischen Ladungselementen gespeichert werden. Mit MRAM´s können elektrische Geräte so gebaut werden, dass sie direkt nach dem Einschalten betriebsbereit sind. Diese Art von RAM kann beliebig oft beschrieben werden, nicht so wie andere nicht flüchtige Speichermedien, z.B. Flash.


Die Bezeichnung z.B. PC3200 gibt die Übertragungsrate des RAM an. Bei 3200 - 3,2 GB/s. Im Dual Channel Betrieb ist diese doppelt so hoch. Man kann die Übertragungsrate anhand des Tatsächlichen Taktes berechnen. Z.B:

Takt: 200Mhz
Prefetch: 2Bit bei DDR 4Bit bei DDR2 und 8Bit bei DDR3
Bitbreite: 64Bit

(200*2*64) /8 = 3200kb/s

Der Dual Channel Betrieb ist nur möglich, wenn der Speicherkontroller die Fähigkeit besitzt, zwei gleiche RAM parallel zu betreiben.


DDR400 // Der vom Hersteller angegebene effektive Takt.
10 ns - 10 ns - 10 ns - 25 ns // Die Zeit in Nanosekunden, welche benötigt wird um z.B. Daten bereit zu stellen.
CL2-2-2-5 // Die Zyklen die z.B. zum Bereitstellen der Daten benötigt werden.

DDR500
12 ns - 12 ns - 8 ns - 32 ns
CL3-3-2-8

DDR777
14 ns - 14 ns - 6 ns - 46 ns
CL2-3-2-9

DDR2-667
15 ns - 15 ns - 15 ns - 45 ns
CL5-5-5-15

DDR2-800
10 ns - 10 ns - 10 ns - 30 ns
CL4-4-4-12

DDR2-800
12,5 ns - 12,5 ns - 12,5 ns - 37,5 ns
CL5-5-5-15

DDR2-1066
7,5 ns - 7,5 ns - 7,5 ns - 22,5 ns
CL4-4-4-12

DDR2-1066
9,38 ns - 9,38 ns - 9,38 ns - 28,13 ns
CL5-5-5-15

DDR3-1333
12 ns - 12 ns - 12 ns
CL8-8-8

DDR3-1600
8,75 ns - 8,75 ns - 8,75 ns
CL7-7-7

DDR3-1600
11,25 ns - 11,25 ns - 11,25 ns
CL9-9-9



PS: Könnt ihr mir eine Seite nennen, auf der ich etwas über Speicherhirachien bei RAM erfahren kann?



Vielen Dank schonmal im voraus

Mat1010
 
ließt sich wie nen wikipedia artikel über RAM xD

Wenn ich das richtig lese fehlen noch bauformen oder?
 
Klingt nicht schlecht, ich finde es aber ein bisschen oberflächlich. Letztendlich nur eine kurze Zusammenstellung verschiedener Daten. Womit wir auch schon beim nächsten Thema sind: DDR777 - ist der wirklich nach JEDEC spezifiziert? Ich kenne als schnellsten DDR1-Typus DDR600.

Wie Hanni2K schon sagte, wären die Bauformen sinnvoll zu erwähnen ebenso die Bedeutung der Latenzen (wenigsten die vier ersten). Schmückt die Sache noch ein bisschen aus.

Für welche Schule machst du das, wenn ich mal fragen darf?
 
Danke schonmal für die vielen Antworten.

sinnvoll zu erwähnen ebenso die Bedeutung der Latenzen (wenigsten die vier ersten)

Da hast du allerdings recht, bisher habe ich mich noch gesträubt da was zuzuschreiben, weil ich es selber noch nicht so ganz verstehe :-D

Diese CAS-tRCD-tRP-tRAS sind doch die Zeiten, die verstreichen müssen bevor der nächste vorgang z.B. schreiben geschehen kann oder?

Für welche Schule machst du das, wenn ich mal fragen darf?

Ja darfst du. Für die Beruffschule.
 
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die Zugriffszeit auf RAM-Speicherzellen erfolgt über eine Zeilen und eine Spaltenadresse:

RAS to CAS Delay (tRCD) - Die Ansteuerung einer Speicherzelle erfolgt über eine Zeilen- und eine Spaltenadresse. Um Anschlüsse einzusparen werden beide Adressen heutzutage hintereinander über die gleichen Leitungen des Adressbusses übermittelt: zunächst dioe Zeilenadresse, dann die Spaltenadresse. Beide Adressen liegen einiige Zaktzyklen auseinander, um sie eindeutig voneinander unterscheiden zu können

CAS Latency (CL) - Nach der Übermittlung der Zeilen- und Spaltenadressse vergehen weitere Taktzyklen, der Inhalt der entsprechenden Speicherzelle an den Datenleitungen anliegt.

Precharge Delay (tRAS) - Bevor der nächste Lesezyklus beginnen kann, benötigt der Baustein eine Erholzeit von weiteren Takten

RAS = Row Adress Strope, Zeilenadresse
CAS = Column Adress Strope, Spaltenadresse
 
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