News TDK stellt MRAM-Prototyp vor

Silvio_

Ensign
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Der Speicherhersteller TDK präsentiert mit einem Prototyp der „Spin-Torque“-MRAM-Module einen Speicher, der die guten Eigenschaften flüchtiger und nichtflüchtiger Speicher vereinen soll. So soll eine hohe Geschwindigkeit mit einer langfristigen Speicherung ohne permanent anliegende Spannung kombiniert werden.

Zur News: TDK stellt MRAM-Prototyp vor
 

desnatavo

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Ich wusste nicht mal, dass es TDK noch gibt. Gott ist das lange her, von denen noch Rohlinge damals gekauft :D

Ontopic: Schön, dass auch lang erforschte Technologien endlich mal auf den Markt kommen.
 

-Ps-Y-cO-

Commodore
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Chache speichern? Wt?
Cache???
 

drago-museweni

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Zwar produziert die TDK-Tocher Headway Technologie bereits 8 Zoll große MRAM-Wafer, Headway besitzt allerdings nicht die nötigen Kapazitäten für eine Massenproduktion
Das Kontingent wird halt für Militär etz. warscheinlich gebraucht könnte ich mir gut vorstellen.

Interessant allemal dann gehts in Zukunft Flott weiter mit der Geschwindigkeit nur wie sieht es bei der möglichen Größe aus nicht das man am Anfang wieder mit 128GB (kleinere GB habe ich mal weg gelassen) rummeiern darf da alles Andere nicht gibt oder unbezahlbar ist
 

Wurschti

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Ich wusste nicht mal, dass es TDK noch gibt. Gott ist das lange her, von denen noch Rohlinge damals gekauft :D

Ontopic: Schön, dass auch lang erforschte Technologien endlich mal auf den Markt kommen.
Klar, die sind nach wie vor ein riesiges Unternehmen. Ich bin derzeit bei TDK-EPC angestellt. Die meisten kennen TDK für ihre Speichermedien, aber mittlerweile leben die hauptsächlich von der Herstellung von elektronischen Bauteilen wie Piezoelementen, MLVs, usw. ;)
 

Voyager10

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Das klingt fast wie Quantenebene mit den Elektronen die sich auf Distanz identisch verhalten.

Aber Serienreife in 10 Jahren ist dochn Witz oder ? In 10 Jahren brauchen wir das dann nichtmehr.
 

oemmes

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Serienreife in 10 Jahren.....

bis dahin gibt es vermutlich 3D-NANDs oder sonstwas mit ähnlichen Attributen. Auf aktuellen Sockel 2011-3 Mobos kannste jetzt schon 128GB RAM verbauen - da läßt sich schon mal ne fette RAM-Disk anlegen.

Dinge die die Welt nicht braucht und in 10 Jahren vermutlich bereits in der Mülltonne der Entwicklung liegen.
 

andr_gin

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Dass das keine Technologie statt normalem Flash Speicher ist, sollte klar sein. Da ist in erster Linie Preis/Kapazität ausschlaggebend. Die Technologie ist ein Ersatz für den SLC Cache in SSDs. Hier reicht 1GB schon voll aus. Normaler RAM scheidet hier aus, da er flüchtig ist und bei einem Stromausfall Daten verloren gehen können und Flash Speicher ist eben als Cache gleich eine Kategorie langsamer, selbst SLC Speicher und hat auch nur eine bestimmt Anzahl an Schreibzyklen, was für einen Cache tödlich ist.

Ich denke diese Technologie würde die Komplexität der SSD Controller deutlich reduzieren, die Performance erhöhen und eventuell auch den Energiebedarf beim Lesen/Schreiben senken.
 

vcTommy

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Klar, die sind nach wie vor ein riesiges Unternehmen. Ich bin derzeit bei TDK-EPC angestellt. Die meisten kennen TDK für ihre Speichermedien, aber mittlerweile leben die hauptsächlich von der Herstellung von elektronischen Bauteilen wie Piezoelementen, MLVs, usw. ;)
TDK macht gute Kassetten für meinen Hi8 Camcorder, Top! :daumen:

Habe immer ein paar in Reserve.
 

ilovecb

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Vor 10 jahre habe ich gehört, in 10 jahren ist es so weit. Die kommen einfach net voran, die jungs. Traurig.
 

ukulele

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@ilovecb: Tja, so ist das, wenn man etwas erforscht, was es noch nicht gibt. Da kommen unzählige Probleme auf einen zu. Das fängt an bei der Suche nach geeigneten Materialien, die muss man dann noch in ausreichender Menge und Qualität bekommen, dann muss man herausfinden wie man sie am verarbeiten kann, immer wieder Fehler suchen, finden und beheben etc. Und am Ende kannst du dann 1kB auf einem MRAM speichern :D

@die vor mir: Doch, MRAM hat schon Vorteile, die Flash nicht hat und nach derzeitiger Aussicht auch nie haben wird. Wie das dann aussieht, falls MRAM mal marktreif sein sollte, ist aber wieder eine andere Frage. Einfach mal hier reinschauen.
MRAM ist ja wie PRAM/PCRAM (phase change RAM) und FRAM/FeRAM (ferroelectric RAM) eine der Hoffnungen auf die nächste große Generation von nichtflüchtigem "Flash"-Speicher. Und da keiner weiß, welche Technologie mal die beste sein wird, erforscht man einfach alle parallel :p Finde ich gut! Flash von heute ist zwar auch schon gut, aber "nur" die Strukturen verkleinern ist doch auf Dauer auch langweilig :)
 

Holt

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Als Ersatz für das Flash NAND wird so eine Technologie noch lange viel zu teuer sein, aber als Ersatz für das DRAM in den SSDs wäre das optimal, dann kann man die Verwaltungsdaten, die sich ja laufend ändern, einfach dort lassen und muss sie nicht laufend auf das NAND zurückschreiben. Damit braucht man dann prakktisch keine Pufferkondensatoren mehr, weil ja auch der Schreibcache dann nicht flüchtig wäre. Das Verhältnis RAM zu NAND liegt bei den SSDs meist irgendwo zwischen 1:500 und 1:2000, die Mehrkosten wären also überschaubar.
 

Limit

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Serienreife in 10 Jahren.....

bis dahin gibt es vermutlich 3D-NANDs oder sonstwas mit ähnlichen Attributen.
Das ist sehr, sehr unwahrscheinlich. MRAM hat deutlich mehr Potential als NAND Flash-Speicher. Stromverbrauch pro geschriebenen Bit (Faktor 10^3 bis 10^5 besser), Zugriffszeit (Faktor 10^4 bis 10^5 besser), Schreibzyklen (Faktor 10^10 besser). Solche Verbesserungen sind für NAND basierte Flash-Speicher nicht möglich, egal ob 3D V-NAND oder nicht.

Dass das keine Technologie statt normalem Flash Speicher ist, sollte klar sein. Da ist in erster Linie Preis/Kapazität ausschlaggebend. Die Technologie ist ein Ersatz für den SLC Cache in SSDs. Hier reicht 1GB schon voll aus. Normaler RAM scheidet hier aus, da er flüchtig ist und bei einem Stromausfall Daten verloren gehen können und Flash Speicher ist eben als Cache gleich eine Kategorie langsamer, selbst SLC Speicher und hat auch nur eine bestimmt Anzahl an Schreibzyklen, was für einen Cache tödlich ist.
Das ist richtig für klassischen MRAM wegen der relativ hohen Zellgröße. Die auch erwähte Variante STTRAM hat allerdings potentiell die gleiche Zellgröße und MLC-Möglichkeiten wie Flash-Speicher. Diese könnte dann auf jeden Fall Flash komplett ersetzen und DRAM evtl. gleich mit.
 

LamaMitHut

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@Limit:
und was ist mit der datendichte? in 10 jahren wird es wohl 32TB SSDs im 50-100€ bereich geben, wie soll MRAM da mithalten können? besonders wenn man bedenkt, dass das betriebssystem auf solchen SSDs wohl in ~5 sekunden startklar ist, wird wohl kaum ein konsument dazu bereit sein, deutlich mehr für einen datenträger auszugeben, welcher etwas schneller ist.

natürlich lasse ich mich gerne eines besseren belehren, wenn MRAM tatsächlich so viel potenzial hat, dann blicken wir einer wirklich rosigen zukunft entgegen.
 

Deadlock

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Sorry fürs klugscheißen, aber:
- Ein Elektron ist bis an die Grenzen aktueller Mess(un)genauigkeit punktförmig. Es gibt kein "im" Elektron.
- Der Spin ist ein nichtklassischer Drehimpuls, ist ein reiner Quanteneffekt und hat nichts mit "irgendwas dreht sich" zu tun.
 

Limit

Lieutenant
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@Limit:
und was ist mit der datendichte? in 10 jahren wird es wohl 32TB SSDs im 50-100€ bereich geben
Ob es in 10 Jahren 32TB SSDs auf Flash-Basis geben wird wage ich zu bezweifeln, denn man stößt langsam an physikalische und ökonomische Hürden der Halbleiterfertigung. Selbst wenn du von einer Halbierung der Strukturbreiten alle 2 Jahre ausgehst, würde die 32TB SSD in 10 Jahren soviel kosten wie heutige 1TB SSDs und selbst das ist bereits sehr optimistisch.

"Normaler" MRAM hat bei der Datendichte einen entscheidenen Nachteil gegenüber NAND, nämlich den, dass die Zellen etwa 4x größer sind, d.h. bei ansonsten gleichen Voraussetzungen (gleiche Strukturbreite, MLC, Stacking, …) braucht MRAM 4x mehr Platz. Was man aber berücksichtigen muss ist, dass NAND-Speicher was die möglichen Schreibzyklen schon bei den aktuellen Strukturbreiten ziemlich an der Grenze agiert und dass bei zukünftigen Verkleinerungen weitere Verschlechterungen der Haltbarkeit zu erwarten sind. MRAM verträgt von Haus aus bei gleichen Strukturbreiten 10^10 mal mehr Schreibzyklen. Wenn NAND also irgendwann wegen zu geringer Haltbarkeit keinen Nutzen mehr aus kleineren Strukturbreiten ziehen kann, wird MRAM immer noch viel Luft haben.

Mein persönlicher Favorit ist allerdings STTRAM (eine MRAM-Variante). Es hat in etwa die gleiche Zellgröße wie NAND-Speicher und damit das gleiche Kosten/Kapazitäts-Verhältnis, aber bietet trotzdem die gleichen Vorteile wie MRAM bzw. übertrifft dieses sogar noch.

natürlich lasse ich mich gerne eines besseren belehren, wenn MRAM tatsächlich so viel potenzial hat, dann blicken wir einer wirklich rosigen zukunft entgegen.
Wenn MRAM bzw. STTRAM es bis zur Marktreife schaffen, dann wird Flash-Speicher und vermutlich auch DRAM obsolet.
 

LamaMitHut

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erstmal danke für die antwort. aber wo liegen denn genau diese kaum überwindbaren probleme? ich meine, es gibt schon heute SD-karten mit 512GB, und dies ganz ohne V-NAND. :confused_alt:
 
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Irrlicht_01

Lt. Junior Grade
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@Deadlock

das ist kein Klugscheißen, sondern ein korrekter Hinweis! Wenn man schon versucht eine solche Technik zu erklären, dann auch bitte mit dem nötigen Sachverstand.

Auch mit begriffen wie Tunneleffekt wird da hantiert, ohne überhaupt zu erläutern, was das ist. Das ist nämlich auch nicht der gleiche Tunneleffekt, wie wenn man mit 300 km/h über die Autobahn donnert :evillol:
 

Limit

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@LamaMitHut
Das Problem liegt nicht in der reinen Kapazität. Es wäre heute bereits problemlos möglich SSDs mit mehreren TB Speicherplatz anzubieten. Der Haken dabei ist, dass die Herstellungskosten praktisch linear mit der Kapazität steigen, man gewinnt also finanziell nichts dabei eine große statt zwei kleine SSDs zu nehmen.

Das ist bei Festplatten z.B. anders. Die Herstellungskosten bei HDDs bewegen sich unabhängig von der Kapazität in einem engen Fenster. Deswegen sinken dort die Kosten pro TB kontinuierlich mit steigender Kapazität.

Um die Kosten pro GB bei Flash-Speicher zu senken muss man die Datendichte erhöhen. Das kann man machen, indem man "trickst" und z.B. mehrere Bits in eine Zelle schreibt (MLC, TLC statt SLC) oder eben planare Strukturen durch 3D Strukturen ersetzt. Die gängigste Methode zur Erhöhung der Datendichte ist aber das Verkleinern der Strukturbreite. Das hat prinzipiell das größte Potential, ist aber stark von Fortschritten in der Halbleiterherstellung abhängig und diese sind mittlerweile schon sehr teuer und technisch immer problematischer.
 
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