Keks2me
Captain
- Registriert
- Apr. 2008
- Beiträge
- 3.356
allo leute,
könnt ihr mir sagen welchen Speicher ich benötige und wo ich den herbekomme?
Ein direktlink zu mindfactory würde mir enorm weiterhelfen, da es zig millionen verschieden typen gibt.
Das SDRAM sauteuer ist, ist mir schon klar, aber ich benötige umbedingt noch ein mal 2 x 256 MB.
[ DIMM1: Samsung M3 68L3223FTN-CCC ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 68L3223FTN-CCC
Seriennummer 0310458Bh
Herstellungsdatum Woche 22 / 2004
Modulgröße 256 MB (1 rows, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semi...DRAM/index.htm
[ DIMM3: Samsung M3 68L3223FTN-CCC ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 68L3223FTN-CCC
Seriennummer 0301458Ch
Herstellungsdatum Woche 22 / 2004
Modulgröße 256 MB (1 rows, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semi...DRAM/index.htm
könnt ihr mir sagen welchen Speicher ich benötige und wo ich den herbekomme?
Ein direktlink zu mindfactory würde mir enorm weiterhelfen, da es zig millionen verschieden typen gibt.
Das SDRAM sauteuer ist, ist mir schon klar, aber ich benötige umbedingt noch ein mal 2 x 256 MB.
[ DIMM1: Samsung M3 68L3223FTN-CCC ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 68L3223FTN-CCC
Seriennummer 0310458Bh
Herstellungsdatum Woche 22 / 2004
Modulgröße 256 MB (1 rows, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semi...DRAM/index.htm
[ DIMM3: Samsung M3 68L3223FTN-CCC ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 68L3223FTN-CCC
Seriennummer 0301458Ch
Herstellungsdatum Woche 22 / 2004
Modulgröße 256 MB (1 rows, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semi...DRAM/index.htm
