Fortschrittlicher DRAM: SK Hynix startet 1α mit EUV in Serie

Volker Rißka
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Fortschrittlicher DRAM: SK Hynix startet 1α mit EUV in Serie
Bild: SK Hynix

SK Hynix startet offensiv den neuen Fertigungsprozess 1α (auch 1-alpha – oder 1a-DRAM genannt) für DRAM-Chips. Mittels EUV-Lithografie wird dieser auch für LPDDR4 genutzt und soll bereits im zweiten Halbjahr in Form von Produkten ersten Partnern zur Verfügung stehen.

Auf 1x, 1y und 1z folgt in der DRAM-Evolutionsstufe die Fertigung 1α. Es sind die Nanometer-Schritte, wie sie bei TSMC, Samsung und Intel in der Bulk-Fertigung 14, 10, 7, 5 und 3 nm heißen, bei DRAM sind sie jedoch noch in der 10-nm-Größe zugegen.

Alle großen Hersteller von Speicherchips gehen diesen Weg, jedoch mit unterschiedlichen Ansätzen. SK Hynix versucht, dies offensiv anzugehen und setzt direkt auf die EUV-Fertigung und erhofft sich so einen Vorteil gegenüber den starken Mitbewerbern. Denn das es anders geht, zeigt Micron kürzlich. Vor zwei Wochen überraschte der Branchenriese beim Verkauf seiner 3D-XPoint-Fabrik und den parallel vermeldeten Quartalszahlen mit der Aussage, dass der Hersteller erst jetzt Bestellungen bei ASML für EUV-Belichtungsmaschinen aufgegeben hat und groß ab dem Jahr 2024 auf EUV setzen wird (PDF-Dokument). Bis dahin will und muss man auf die klassische Lithografie vertrauen.

Rein technologisch gesehen ist der Schritt von 1α gegenüber dem Vorgänger 1z ein regulärer, Hersteller versprachen beispielsweise 15 bis 20 Prozent weniger Energiebedarf bei gleicher Geschwindigkeit, die kleinere Nanometer-Größe soll zudem die Ausbeute verbessern. Es werden bis zu 25 Prozent mehr Chips vom Wafer kommen, was die Wirtschaftlichkeit deutlich stärkt und die hohe Nachfrage befriedigen soll. Zusammen mit EUV soll zudem die Lernkurve für spätere Prozesse hier ansetzen.

SK Hynix beginnt deshalb heute auch ganz vorsichtig, 8 Gigabit große LPDDR4-Chips sind etwas, das regulär seit Jahren verfügbar ist, bei 1α mit EUV bedeutet das jedoch Neuland. Nach dem Standard LPDDR4-4266 sollen erste Chip in Serie vom Band laufen. DRAM für DDR5-Module soll im folgenden Jahr mit der neuen Technologie erscheinen, die ersten Chips dafür setzen noch auf die Vorgänger-Fertigungsstufe.