Fertigungsverfahren und Atomdicke

[kaigue]

Da hast du vollkommen recht.
Im mikroskopischen (wenn es um nur ein paar Atome bzw. Elektronen geht), kann man das Rechnen mit dem ohmschen Gesetz usw. tatächlich vergessen.

Und auch mit dem Atommodell muss ich dir recht geben. Wenn ihr euch ein Atom so vorstellt, als würde da irgendwelche Elektronen um einen Kern fliegen, dann habt ihr euch tatsächlich geschnitten. Das ist nicht so.

Solche Effekte sind z.B.die Quantisierung der Energien der
Ladungsträger in der Inversionsschicht bei Oxiddicken kleiner
als 5nm oder die Abnahme der Streuung beim Ladungstransport im Kanal für Längen
unter 100 nm. Der Quantisierungseffekt hat dabei seine Ur-
sache in der Vergrößerung des elektrischen Feldes senkrecht
zur Si/SiO2-Grenze (SternandHoward, 1967). Dies hat zur
Folge, dass sich Oberflächenpotenzial erhöht,der Bereich
der Bandverbiegung aber auf wenige Nanomete rverkleinert
wird. In diesem Bereich muss sich das Leitungsband in Sub-
bänder aufspalten und dabei die Bandlücke des Siliziums
effektiv verbreitern .Dadurch verringert sich die Dichte der
Elektronen in der Inversionsschicht gegenüber den Beschrei-
bungen des klassischen Modells (Prégaldinyetal., 2004).

Diese Quanteeffekte kommen natürlich nur in hinreichend kleinen Transistoren - also eben CPUs zu tragen:

http://www.adv-radio-sci.net/7/185/2009/ars-7-185-2009.pdf

Weitere Stichworte also: Quantisierung

 

[Atomic death]

Bald gehts mit der fertigungstechnik eh nichtmehr kleiner weil teilchen im kasten ^^