News Intel Core Quadro mit 4 Kernen Anfang 2007

ACK denn der Spass ist uralt.
 
der itanium ist ne andere architektur ;D die hat gegen x86 gar nix zu sagen genau wie umgekehrt ;)
von daher ist das nen vergleich von äpfel und birnen ;D

der itanium kann nur in einem sehr langsamen modus x86er befehle entegegennehmen und umsetzen!
 
955 XE wird vom 965 XE (3,73) abgelöst,
der wenige Monate später vom Conroe XE 3,33,
dann der Quad-Core 'Kentsfield',
dann der Quad-Shrink auf 45nm,
Dann Octa-Core ...

Kein Wunder, daß Intel seine XE nur in kleinen Mengen und mit langer Lieferzeit unters Volk bringt (s. geizhals.net) ist da dauernd am veralten.
AMD wird FX-Cores mit marginal anderen /Verminderten Leistungswerten bringen, dafür kundenfreundlich auch im Regal.

Wie immer, Intel propagiert die grandiose Zukunft (dann wird auch SpeedStep bei D9xx gehen), während die Gegenwart aus Produkten mit vielen Kompromissen besteht.

Wann hat Intel eigentlich die Umstellung 90nm auf 65nm beendet ?
Gemäß http://www.hkepc.com/bbs/viewthread.php?tid=554804 plant Intel auch für das Win Vista Zeitalter noch einen Mix aus FSB800/ 2M-Conroe, 2M-Prescott und Smithfield.
Das sieht nach einer technisch grauen und warmen Winterkollektion bei Intel noch in 2006 aus. AMD hingegen mixt nur 89/65/35 Watt Selektionen (65 Watt bis X2 4800, 35 Watt bis X2 3800+) für den Socket AM2 - je nach Kundenwunsch und lower power wohl per Aufpreis.
 
Zuletzt bearbeitet:
rkinet schrieb:
AMD wird FX-Cores mit marginal anderen /Verminderten Leistungswerten bringen, dafür kundenfreundlich auch im Regal.
Schön für AMD wenigsten die Prozessoren ausreichend liefern zu können nach der die geringste Nachfrage herrscht.:evillol:
 
Project-X schrieb:
@ MountWalker
Dir ist es sicherlich auch bekannt das Intel / AMD andere TDP Werten haben.
ja, darauf habe ich gestern Mittag selbst irgendwo hingewiesen. ;)
Project-X schrieb:
Und deswegen denke ich das Intel gut 200 Watt TDP erreichen könnten, siehe allein die Dual Core Intel CPU's an.
Ich wollte damit ausdrücklich sagen, dass der Stromverbrauch von Netburst-DC deutlich zu hoch dafür ist, weil er eben bereits außerhalb der von mir gemutmaßten Grenze steht. Das gilt auch nicht nur für Desktops, sondern auch für Workstations - solcehn mit "Quietcase" von Dell. Mal zum Vergleich: In meinem PC werkelt ein Athlon XP 2600+ (eigentlich genau 2 GHz, aber 2400+ hat dabei standardmäßig nen FSB mit 133 MHz, ich hab ihn auf 166 MHz erhöht), ein GiB DDR333, Radeon9700, zwei festplatten und brauche in meinem übermäßig gedämmten Tower (Chieftec Scorpio Big, mit allem drin und dran 35 kg, das Gehäuse allein ohne Dämmung würde knapp unter 20 kg wiegen, denn ich hab es seinerzeit mit der Post bestellt) brauche ich 130 m³ Luftausstoß um die Wärme bei Dauerbetrieb (der ist auch bei Workstations am 8-Stunden-Arbeitstag sicherlich bedeutsam) hinreichend abführen zu können, diese 130m³ bekomme ich noch "silent" hin, weils ein Big-Tower ist, in Midi-Tower wäre das etwas schwieriger (beim richtigen Tower aber auch möglich, notfalls muss man zur Metallsäge greifen). Dell-Workstations mit Quietcase sind immer in Midi-Towern (ich glaube Big-Tower gibts OEM gar nicht mehr) und wenn man sich überlegt was zwei aktuelle DC-Netburst-Xeons verbrauchen darf daran gezweifelt werden, dass eine Dell-Dual-DualCore-Xeon-Workstation mit Quietcase wirklich noch so leise ist wie mein PC. ;) (wenn auch heutzutage die überholte Regel Workstations dürften so laut sein wie sie wollen noch gelten würde hätte Dell kein Quietcase, das es bei Dell ausschließlich für Workstations gibt) ;)

Dass die Nach-Netburst-Intels völlig anders sind ist aber nun nicht erst seit gestern hinreichend bewiesen (ich muss jetzt hoffentlich nicht erklähren was "hinreichend" bedeutet), nicht zuletzt weil der Apple-CEO und -Chef-Propagandasprecher Steve Jobs einen regelrechten "Performance-Per-Watt-Hype" in Gang gesetzt hat und mit einem Verhältnis von 70:15 "Intel 2007" eben beim Thema Performance per Watt (virtuell getestet, dh. ncht reell, sondern lediglich theoretisch berechnet was sein müsste/könnte wurde reine Intergerleistung, nicht sehr sinnreich, aber für den Hype maßgeblich) einen extremen Vorsprung gegenüber "PPC 2007" bescheinigte. Wie jeder der sich für G5-Tests interessiert weiß, war schon der erste Presskot schlechter beim Thema Performance per Watt als der schon schlechte G5, auch spätere Tests der Netburst-Intel-Mac-DevKits bestätigten das und würde ein entgültiger Intel-Mac genauso eine Verschlechterung beim Thema Performance per Watt sein wie ein Netburst wäre das Lostreten des Performance-Per-Watt-Hypes extrem geschäftsschädigend für Apple, es darf aber bezweifelt werden, dass Apple dämlich ist. ;)

Und der von mir weiter oben angesproche Dual-DualCore-Sossaman-Server den Intel vor ein paar Monaten vorstellte (und der eigentlich noch vor Woodcrest auf den Markt soll, im Prinzip ein Yonah für Workstations), war zwar nicht überlegen schnell, verbrauchte aber deutlich weniger als eine Dual-SC-Opteron-Workstation und ließ diese deutlich hinter sich. Sicher kein vergleich von gleichzeitig am Markt befindlichen Produkten, aber doch wohl ein hinreichender Beweis dafür, dass Nach-Netburst nicht mehr Heizungsersatz wie Netburst ist. ;)

Und da es hier ja in der News nicht um einen Netburst-Quad-Core geht, sondern um einen Quad-Core als Woodcrest-Derivat kann man eben sagen, dass es zumindest extrem unwarscheinlich ist dieser würde Strom in Netburstmanier verbrauchen. ;)

Für extremen Stromverbrauch für Leistung um jeden Preis hat Intel Itanium und wird Itanium auch behalten, allerdings hat Intel eingesehen, dass sowas nur dorthin gehört wo Lautstärke wirklich keine Rolle spielt und eine Workstation an einem Arbeitsplatz gehört, seit bekannt ist, dass Lärm Stress erzeugt und dieser die Produktivität deutlich senkt, nicht mehr dazu. ;)

P.S.
Die Vorstellung von Sossaman liegt schon deutlich länger zurück als ich vermutete, mittlerweile gibts schon die passenden Mainboards auf dem Markt - der erste Fuß ist also schon aus der Netburst-Pfütze raus. (Hatte ich nicht mitbekommen, da hab ich glaube ich Urlaub auf Balkonien gemacht und die CB nicht besucht)
 
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Ycon schrieb:
Die CPU wird maximal 120-140W haben.
Aktuell wird der Dual-Core Woodcrest mit 80 Watt (typ. Mittelwert max.) gehandelt - s. http://www.heise.de/newsticker/meldung/63203
Etwas Selektion und obige Werte könnten passen.

Allerdings dürften die Cores dann signifikant unterhalb von 3 GHz takten, schließlich wird der Conroe XE mit 95 Watt gehandelt.

AMD dürfte per 65nm Shrink und eSiGe Technik wohl 4 Cores mit den Verbrauch von zwei 90nm realisieren können bei gleichem Takt. Wäre also 4* 2,6 GHz bei 95 Watt (typ. DC-Opteron) oder 4* 3,0 GHz bei rund 125 Watt (etwa So.F max. Definition) denkbar.

Im Prinzip müßte AMD also beim Quad weiter vorne liegen, wobei zusätzlich Intel die bisher schwache Core <> Core Kommunikation etwa auf AMD-Niveau bringen müßte.
 
MountWalker schrieb:
Selbst XP Home ist seit SP2 uneingeschränkt multiprocessingfähig, es bleibt eben nur beschränkt auf einen Sockel. ;)

So siehts aus, da die meisten "Core Duo"-Komplettsysteme mit XP Home daherkommen, wäre alles andere sonst recht unsinnig.

Ich stelle mir gerade die ersten Power Macs mit "Core Quadro" vor (kann ich schonmal anfangen mit dem Sparen) spätestens bis dessen Erscheinung wird sich die Intel-Plattform dann auch bei Apple-Systemen etabliert haben.
 
Und ich sage es ist eine Schande was heute an Rechenleistung einfach so verpufft durch die schlechte Programierung und es wird immer schlimmer denkt mal an den C64 zurück und an den AMIGA 500 , die Jungs konnten noch Programmieren !

Ok heute ist die sache vieleicht nicht ganz so einfach wie damals aber alleine wenn ich mir das billig Game BF2 ankucke wie kann das über 1 GB ram verbrauchen ? Und mit Windows Vista und 64 Bit wird es nicht besser.

C64 und AMiga 500 waren ein festes System, so wie eine Konsolle. ;-)

Der PC ist aber ein Mischprodukt (Hardware und Software) , um die breite Masse abzudecken kann man net sauberer Programmieren, ausserdem hat sich die Datenmenge um ein extremes vielfaches erhöht. Bei Konsolen sieht man was man aus einen festen system raushohlen kann.
 
Wenn du schon den Beitrag von Zock zitierst, solltest du den entsprechenden Abschnitt auch kenntlich machen. Sonst weiß keiner, welcher der Satz in deinem Beitrag von dir stammt. ;)
 
Tiu schrieb:
Schön für AMD wenigsten die Prozessoren ausreichend liefern zu können nach der die geringste Nachfrage herrscht.:evillol:
Die lahmen Dinger ...
Intel-Fans werden zur Bank laufen sich eine Kleinkredit besorgen und eben heiliges Intelsilicium ordern.

Nimmt man mal 125 Watt als Limit für Quad-Core, könnte AMD schon im Desktop Stepping F bis zu 4* 2,4 GHz liefern.
Intel packt die 125 Watt in 65nm 4* 2,13 bis 4* 2,33, wenn man mal die Conroe Werte zugrunde legt.
Lediglich der Wechsel auf 65nm würde AMD schon eine haushohe Überlegenheit bringen.

Der Vergleich Turion vs. Merom ist noch nicht möglich, da beide Designs ja noch verfügbar sind. Aber auch hier könnte AMDs 90nm schon gleichauf mit Intels 65nm werden, auch hier natürlich noch großen Potential mit dem Shrink in 2007.

Kann man Intel nur Erfolg mit 45nm wünschen, das ist schon 2007 dringend nötig.
 
lol.

Dafür könnte Intel locker schon jetzt nen Octa-Core mit 8x2,16 GHz = 125 Watt auf Yonah DC Basis oder 16-Core x1,66 GHz mit Yonah DC Low-Voltage bringen.
Beim Merom dann auch mit 64-Bit.

Spätestens mit EUV könnte AMD aussterben, wenn die sich die Produktionsanlagen nicht mehr leisten können. Dann heißt die Konkurrenz nicht mehr Intel, sondern VIA. :lol:
 
ja Bensen, die "every Intel, AMD, nVidia & ATI News" Freakshow...eh, sorry - die "ich bin so'n naiver FanBoy" show :D

@ Bitpower, ich glaube nicht das AMD sich nicht auch um EUV bemüht...wo möglich mit ihrem Partner IBM ;)

Ich hoffe jedoch das die bald das "High-K" finishen können, die fummeln ja schon seit letztem Jahrtausend daran rum. Nur bleibt mir immer wieder die Frage
warum Intel kein SOI, bzw. FP-SOI - von IBM - lizenziert hatte.

naja egal, die neuen Intel CPU's auf P-M & Netburst-Architektur scheinen doch ordentlich was aufm Kasten zu haben.
 
Nein er meint High-K ;) Low-K ist schon längst in der Chipfertigung angekommen.
 
Zuletzt bearbeitet:
ähhh... nur so eine kleine wissens frage.
Soviel ich weis ist Low-K eine Art fertigung für energie arme GPU's, oder liege ich hier schon falsch? Was ist denn High-K oder Medium-K? Oder gibt Medium gar nicht? :D

Und was ist EUV?

Und soviel ich auch noch weis heist SOI -> "Silizium On Die" oder so etwas. Weis auch nur das es eine Art Fertigung ist, aber was ist dann FP-SOI?

Wollte nur mal ein paar wissenslücken stopfen ;)


Und noch was, dachte das Intel die Netburst Architektur verworfen hat, oder hat Sie einfach eine Art Mix Architektur aus Netburst und Pentium M Architektur entwickelt für die Zukunfs CPU's?


@ Bitower
Ich glaube kaum das Octa oder gar 16x Cores auf die heutigen CPU grösse passen, und falls Sie ein überdimensioniertes design machen ala 100 x 100mm passt es wohl in keinen MB's mehr rein, ausser vielleicht Servern.
Und was AMD austirbt finde ich nur lächerlich.
Nur weil Sie nicht immer neues zu vermelden haben heisst es noch lange nicht das Sie bis dahin nicht emhr Konkurenzfähig sei, siehe mal Opteron Server CPU's VS. Intel Xeon CPU's oder auch bei der Desktop Segement.
Wenn eine da ausstirbt dann Intel im verlauf. Der Grund für Ihre grosse Marktanteil ist wohl, das in fast jeder Komplett PC ein Intel CPU werkelt.



Edit: Konnte mir die Frage über EUV selbst beantworten, dank Lexikon :)
Stimmt schon das EUV -> eXtrem Ultra Viollet heisst?
 
Zuletzt bearbeitet:
Bitpower schrieb:
Dafür könnte Intel locker schon jetzt nen Octa-Core mit 8x2,16 GHz = 125 Watt auf Yonah DC Basis oder 16-Core x1,66 GHz mit Yonah DC Low-Voltage bringen.
Beim Merom dann auch mit 64-Bit.

Spätestens mit EUV könnte AMD aussterben, wenn die sich die Produktionsanlagen nicht mehr leisten können. Dann heißt die Konkurrenz nicht mehr Intel, sondern VIA. :lol:
Und dann noch der 125 Watt Celeron, mit 6 von 8 deaktivierten Cores, FSB400 und 2 von 8M L2 ?

Während AMD per 'Manila' und 65nm 'Sparta' sich dem Budget Markt schon gezielt zuwendet, verbrät Intel immer noch viel Silicium durch Deaktivierung viel komplexerer Cores.

Bis Intel bei EUV ist könnte Intels Weltmarktanteil schon nahe 50% abgesunken sein.
Und AMD kooperiert bei 32/22nm (= EUV) mit IBM, die so schnell nicht untergehen.
Zudem buttert Intel ja seine Gewinne in Form der $10 Milliarden Subvention in den Itanium, da bleibt für die x64 Welt nur deutlich reduziert Geld für Investitionen übrig.

Beim Blick auf die Intel-Roadmap sieht deren Zukunft toll aus.
Aber Intels Roadmaps und deren tatsächkiche Umsetzung sind aber oft völlig verschieden (Prescott, Foxton)..
Die nahe Zukunft ist mit Launch-Risiko Conroe (der ist noch fertig), den fehlenden genügend 65nm Fab (aktuell 2, bald 3 Fabs, benötigt werden aber 5-6 Fabs) und immer noch Netburst (s. Tulsa) als stromsaufendes Rückgrad für Server.

2006 hat also noch deutlich Vorteile für AMD, erst zum Jahresende könnte es eng werden.
Aber AMD hat eine 65nm Fab in Dresden, die in Wartestellung für 65nm statt 90nm ist.
Ab 65nm /2007 ist AMD wieder haushoch technisch überlegen und erst ab 45nm bei Intel wirds dort wieder interessant ... dann ist aber 2008 schon nahe.
 
@ Pjojekt-X
Wiki EUV-Lithografie schrieb:
EUV-Lithografie (Extreme Ultra Violet), auch XUV (eXtreme Ultra Violet), ist ein Fotolithografie-Verfahren, das Licht mit Wellenlängen im Bereich von nur 13,5 Nanometer (das entspricht ca. 91,82 eV) nutzt. Dies soll es ermöglichen, auch zukünftig die Strukturverkleinerung in der Halbleiterindustrie fortzusetzen, um dem Mooreschen Gesetz treu zu bleiben. Die EUV-Lithografie gilt dafür als aussichtsreichster Kandidat und kann als Weiterführung der optischen Lithografie mit kleineren Wellenlängen angesehen werden.
[Bearbeiten]

Erzeugung

EUV-Strahlung wird bei der Erzeugung von Plasmen frei. Solche Plasmen werden in Gasen durch starke elektrische Entladungen oder durch Fokussierung von Laserstrahlung erzeugt. Je nach Art des Gases liegt ein Teil des emittierten Strahlungsspektrums im gewünschten Bereich. So kann beispielsweise Xenon-Gas durch einen gepulsten Nd:YAG-Laser mit sehr hoher Energiedichte angeregt werden. Das erzeugte Plasma gibt seine Energie in Form von EUV Strahlung ab, wobei hier die stärkste Linie bei λ = 13,5 nm liegt.
[Bearbeiten]

Probleme

Die Verringerung der Wellenlänge bringt allerdings diverse technologische Änderungen mit sich. Denn auf Grund der sehr kurzen Wellenlänge (13,5 nm) wird das Licht schon von der Atmosphäre und von den meisten Materialien vollständig absorbiert. Die mittlere Absorptionslänge in Luft beträgt weniger als einen Millimeter, somit wird die Verwendung von Hochvakuum unumgänglich. Die hohe Absorption bringt es auch mit sich, dass keine refraktive Optiken, z. B. Linsen, verwendet werden können, stattdessen müssen Spiegeloptiken eingesetzt werden. Die Masken müssen ebenfalls stark reflektierende (rund 70%) Oberflächen besitzen und unterscheiden sich somit auch von den konventionellen Belichtungsmasken. Des Weiteren stellt die EUV-Technologie sehr viel höhere Anforderungen an die Oberflächenrauheit (± 0,25 nm) aufgrund der Rayleigh-Streuung sowie an die Formtreue der Masken und der zu belichtenden Materialien.

@rkint
Mal ein Frage wenn ich dich auf die Igniorliste setzte, werden dann deine lächerlichen AMD FanBoy Post unsichtbar?
Es ist ja nicht mehr auszuhalten mit wieviel Halbwahheiten/wissen du hier Prognossen für die Zukunft aufstellst, die alle zu 95% nicht eintretten werden.

EDIT:

Noch zu Low und High-k, das sind keine speziellen Fertigungsverfahren, sondern Dielektrika mit hochen Isolationswiderstände (Low-k) und Dielektrika mit einer hohen Permittivität (High-k).

Wiki Low-k schrieb:
Mit Low-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnik ein Material bezeichnet, das eine niedrige Dielektrizitätszahl (εr < 3,5 also kleiner der von SiO2) aufweist. Es wird insbesondere als Isolator zwischen elektrischen Leitungen in hochintegrierten Schaltkreisen eingesetzt.

Um die Eigenschaften integrierter Schaltungen zu verbessern, beispielsweise den Stromverbrauch zu verringern oder höhere Schaltgeschwindigkeiten zu erzielen, werden die Strukturen verkleinert. Dadurch rücken z. B. Transistoren enger zusammen und entsprechend nimmt die Dicke der Isolationsschicht zwischen den Transistoren ab. Bei dünner werdenden Isolationsschichten treten zunehmend unerwünschte parasitäre Kapazitäten auf und stören die Funktion des Schaltkreises. Die maximale Schaltgeschwindigkeit verringert sich beispielsweise. Man zieht im allgemeinen Low-k-Dielektrika anderen Isolatoren vor, da bei Low-k-Materialien die isolierende Wirkung stärker und damit die parasitären Kapazitäten zwischen Leitungen geringer sind.
Vergleiche die Kapazität C eines Plattenkondensators:

0e93989c1e73e523abc3269a77455c31.png


Dabei ist d der Plattenabstand, die Materialkonstante εr gibt die relative Permittivität der Isolationsschicht an. Im englischen Sprachraum wird εr gewöhnlich mit k bezeichnet.

Vielfach in der Halbleiterindustrie eingesetzte Low-k-Materialen sind unter anderem mikroporöse SiO- und SiOC-Schichten, die mittels Chemical vapor deposition (CVD) aus der Gasphase abgeschieden werden oder im Rahmen eines spin-on-Verfahrens auf das Substrat aufgebracht werden. Als Basismaterialien dienen organische Siliciumverbindungen, die unter anderem auch im Baustoff- und Coatingsektor in großem Umfang eingesetzt werden. Typische Low-k-Vorstufen sind Tetraethoxysilan (TEOS) – eine großtechnisch hergestellte Organosiliciumverbindung, die bei -77 °C schmilzt und bei 168,5 °C siedet – und die methylsubstituierten Silane Tetramethylsilan, Trimethylsilan und Trimethylsilan.

Silan und funktionalisierte Silane werden insbesondere von den deutschen Firmen Degussa und Wacker-Chemie und von der amerikanischen Dow Corning Inc. hergestellt.

Mikroporöse Low-k-Schichten – Vorbild sind hier die seit den 30er-Jahren bekannten Silicium Airogele – können beispielsweise durch Beimischen von Oxidationsmitteln und Emulgatoren zur Low-k-Vorstufe erzeugt werden.

Andere Low-k-Materialien sind z. B. Kunststoffe, die aber nicht immer die für den Einsatz in der Halbleitertechnik erforderliche mechanische Festigkeit aufweisen.

Im gesamten Bereich der Low-k-Materialien wird derzeit intensiv geforscht und entwickelt. Das Spektrum der diskutierten Low-k-Materialien erweitert sich hierdurch schnell.

Wiki High-k schrieb:
Ein Material aus einem High-k Dielektrikum ist in der Halbleitertechnologie ein Material dessen Dielektrizitätszahl größer ist als die von herkömmlichem Siliziumdioxid (=3,9) oder Oxinitriden (<6). Durch den Einsatz von High-k Materialien kann die Dicke der Isolatorschicht in MOSFETs bei gleichbleibender oder verringerter Kapazität erhöht werden, wobei Leckströme durch den Isolator drastisch verringert werden. Es werden verschiedene Materialsysteme untersucht, wie amorphe Oxide von Metallen wie Al2O3, TaO5 oder Übergangsmetallen z.B. HfO2, ZrO2. Einen weitergehenderen Ansatz stellen kristalline Selten-Erden Oxide wie z.B. Pr2O3, Gd2O3 und Y2O3 dar, die gitterangepasstes Wachstum und somit eine perfekte Grenzfläche zwischen Halbleiter und Isolator ermöglichen.
 
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