News Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1y-nm-Fertigung sind schneller

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#2
HBM 3 ? Die kommen ja momentan nichtmal bei der 2. Gen von HBM vorwärts bzw. hatten offenbar extreme schwierigkeiten
- ob sich das lohnt ? HBM 2 dürfte gegen GDDR6 leicht hinten liegen
 

Tzunamik

Lt. Commander
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#3
Wo siehst du bitte das HBM2 hinter GDDR6 liegen dürfte?

​Bindest du dann den GDDR6 mit 512Bit an? Duw eißt das HBM2 bis 8192Bit gehe kann und wir nur Produkte bis maximal 4096 bisher gesehen haben? Und die 4096er PRodukte ziehen ordentlich davon!
 
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#4
Busbreite ist ja nicht alles. Bandbreite = Busbreite x Takt. Und bei der Taktfreudigkeit hapert es bei HBM bekanntlich erheblich. Es kommt natürlich letztlich auf den Anwendungsbereich an, aber in Sachen reiner "Datenpumperei" könnte GDDR6 in der Tat HBM2 hinter sich lassen.
 

Hejo

Lieutenant
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#5
In der höchsten Ausbaustufe sollte GDDR6 zu HBM2 aufschließen: GDDR 6 - 1024 GB/sec (8000 MHz DDR / 512 Bit SI) zu HBM2 - 1024 GB/sec (1000 MHz DDR / 4096 Bit SI).
 
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#6
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eSportWarrior

Lt. Junior Grade
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#7

curious

Lt. Junior Grade
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#9
Den gibt es eigentlich schon seit einem halben Jahr: 8Gbit C-die
Wird allerdings bisher nur auf Samsungs hauseigenen Riegeln verbaut.
Was hier angekündigt wird, sind schon 8Gbit D-die.
 
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#10
Klasse News, danke!
Es ist zu hoffen, dass auch bald die vor einiger Zeit vorgestellten UFS Speicherkarten von Samsung ebenfalls auf den Markt kommen.
Echte SSD Leistung in microSD Kartengröße wäre echt ein Grund wieder eine externe Karte im Smartphone zu betreiben.
 
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