News XL-Flash: Doppelte Speicherdichte von 3DXP und Z-NAND

MichaG

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Die multibit Speicher sind ideal zum kosten senken, dafür sinkt die Leistungsfähigkeit.
Das ist natürlich nicht für alle Anwendungen schön. Deshalb gut dass SLC Speicher auch weiterentwickelt wird. Teuer wirds sicherlich, aber das spielt im angepeilten Umfeld keine Rolle
 
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Spannend, ja. Aber Flash bleibt nunmal Flash.
Immerhin versucht man hier auch mal andere Wege zu gehen.
 
Ob man getuntes NAND Flash zu Gattung Storage Class Memory zählen kann, halte ich mal für gewagt und eher vom Marketing als den Technikern geboren. Storage Class Memory sollte eigentlich wahlfreien Zugriff erlauben, NAND erlaubt aber nur den Zugriff auf immer über mindestens eine Page, also Blockzugriff.
 
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Klar über den Begriff lässt sich streiten und sicher ist XL-Flash mehr Storage als Memory, wo wiederum 3D XPoint dichter dran ist. Trotzdem erwägt auch Toshiba den Einsatz als RAM-Ergänzung/Ersatz (NVDIMM) für gewisse Anwendungen: https://pc.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/1201/578/html/photo007_o.jpg.html

Dort wo die Leistung genügt, ist es eben zigmal günstiger als DRAM und es sind auch größere Kapazitäten pro Riegel möglich. Aber ganz ohne DRAM geht es dann auch nicht.
 
An der Regel ist was dran, aber wie immer gibt es Ausnahmen: Eine Suchmaschine sagt mir, dass Goke Micro in China gegründet wurden, dort ihren Firmensitz haben und an der chinesischen Börse Shenzhen gehandelt werden. :p Wobei Japan in der Tat besser zu Kioxia gepasst hätte.
 
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