News Im Test vor 15 Jahren: DDR500 für RAM OC auf Sockel 754, 939, 940 und 478

ach ja...die gute alte zeit.

damals hat der p4 richtig gut mit schnellem ram skaliert. ← der verlinkte test

wenn ich aber an meinen athlonXP mit multi 10 bei 275 mhz (ddr550) an der kotzgrenze übertaktet denke, muss ich leider über den 2.4ghz p4 ohne HT nur müde lächeln.

selbst mein celeron M hat den auf einem ct479 bei 2ghz zum frühstück verspeißt.

mfg
 
wern001 schrieb:
so ddr4 speicher der bei 1500 MHz CL-2-3-3-5 macht wäre schon was :love:


Der Grund, warum die timings "gestiegen" sind, ist dass die Timings anhand des I/O-Takts bestimmt werden. Wenn also der I/O takt steigt, steigen die Latenzen entsprechend. An den effektiven Latenzen, gemessen in Millisekunden, hat sich allerdings die letzten 20 Jahre fast nichts getan, da sie durch die Distanz der Speicherbausteine zum Riegel nach unten hin begrenzt ist.
 
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lnnz schrieb:
da sie durch die Distanz der Speicherbausteine zum Riegel nach unten hin begrenzt ist.

https://de.wikipedia.org/wiki/DDR-SDRAM

in der tabelle kann man schön sehen, dass von ddr 1 ram zu ddr 4 ram der interne takt gerade mal verdoppelt wurde.

die lächerlichen 400mhz mit denen intern aktuell gearbeitet wird, gehen halt auch mit uralt fabriken....da liegt aber noch viel potential :D

"Die neuen Speichermodule sollen im 30-Nanometer-Verfahren hergestellt werden.[2] ":kotz:

mfg
 
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(-_-) schrieb:
Damals als 466er gehabt, aber heutzutage findet man die nicht mehr auf dem Markt.
War das nicht sogar der erste "RGB"-RAM?
Problem ist das RGB halt beleuchtung ist die alle Farben Abdeckt und die Corsair Pro zeigen ihre Auslastung anhand der Skala an

795684
 
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[wege]mini schrieb:
"Die neuen Speichermodule sollen im 30-Nanometer-Verfahren hergestellt werden.[2] ":kotz:
Die News ist von 2012.
Da kam bei Intel grad der Sprung von Sandy Bridge (32nm) auf Ivy Bridge (22nm).
Die Hersteller sind mittlerweile ein bisschen weiter ;)

@xdevilx Natürlich, darum auch "RGB"
Außerdem fehlt die Farbe Blau.
 
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lnnz schrieb:
An den effektiven Latenzen, gemessen in Millisekunden, hat sich allerdings die letzten 20 Jahre fast nichts getan, da sie durch die Distanz der Speicherbausteine zum Riegel nach unten hin begrenzt ist.
Stimmt, das die internen praktisch gleich geblieben sind, aber da muss man schon Unterscheiden.

Der Abstand vom RAM zur CPU ist gleich....aber die Frequenz mit der übertragen wird ist von typischen 200 auf typische 1600MHz angestiegen..und damit ist die Signallaufzeit gesunken.
Edit:Es war spät gestern;)...ich meinte nicht direkt die Signallaufzeit im Kabel...diese sollte nicht direkt Frequenzabhängig sein....höchstens indirekt über Temperaturen.
Die Frequenz bestimmt zwar "nur" wie viel Bits auf die Leitung passen und wie viel Bandbreite ich bekomme.
Aber der IMC, die logik auf dem Ram und bei Ryzen der IF hängen mit verschiedenen Teilern an der Frequenz und werden somit schneller mit den Daten fertig.

Die IMCs sind auch so ne Sache....bei Intel sind die ja echt flott...Bei Ryzen wohl wegen dem Infinity Fabric ziemlich träge.

Und dann bleiben die internen Latenzen, die über die Timings/Takt bestimmt werden.
Da liegen ja auch effenktiv die 1600MHz für DDR4 3200 an, aber heutzutage sind die Chips halt auch viel größer.

Was hatte SDDDR denn für Kapazitäten? Da waren viel kleinere Chips mit kleineren Adressbereichen drauf.
Und um so großer der Adressbereich um so länger dauert es für die Cas oder Ras Latency die letzte Spalte bzw. Zeile anzusprechen.

Die Chips arbeiten heute schon viel schneller, aber sie müssen auch mit größeren Kapazitäten klar kommen.
Die kleineren Spannungen sparen zwar Strom, brauchen aber auch mehr Zeit um z.B. den Schreibstrom zu stabilisieren.

So sind heute halt eine ganze Reihe Timings ziemlich hoch.....also im Vergleich zu früher und die absoluten Zeiten in ns daher auch so enttäuschend......immer noch im Bereich um 10ns.

Ich würde mal vermuten, dass ein 512MB DDR4 Ram Riegel in der Theorie viel kürzere Latenzen hätte. Aber wir wollen halt 8, 16 oder gar 32GB Module.
Bei den 4GB Modulen gibt es ja fast nur billig Schrott, aber die schaffen trotzdem teils die bessere Latenzen.

Also meines Wissens nach, sind es die größeren Datenkapazitäten, die trotz schnellerem Ram die Latenzen in ns so ähnlich gehalten haben.

Sieht man auch beim Cache, wo vergrößerter Cache schlechtere Zugriffszeiten hat....es sein denn man zerhackt ihn in mehr Bereiche...dann ist die Zugriffszeit wieder gut, aber die Auslastung wird schlechter.

Bei Ram kann man das schlecht machen.
Da ist man auf dem 64Bit Bus angewiesen und der spricht immer nur 8 Module gleichzeitig an....und dual ranked mit gleicher Kapazität wie SR, hat ja auch bessere mögliche Latenzen, aber eben auch die höhere Belastung des IMC und es gibt nicht die "Eierlegende Wollmilchsau".
 
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lnnz schrieb:
Der Grund, warum die timings "gestiegen" sind, ist dass die Timings anhand des I/O-Takts bestimmt werden. Wenn also der I/O takt steigt, steigen die Latenzen entsprechend. An den effektiven Latenzen, gemessen in Millisekunden, hat sich allerdings die letzten 20 Jahre fast nichts getan, da sie durch die Distanz der Speicherbausteine zum Riegel nach unten hin begrenzt ist.

ich weiß schon ist dämliche Physik und die Geschwindigkeit wie schnell sich die Elektrischen Signale sich im Kupfer ausbreiten
 
Asus P4T533C mit Intel Pentium 4 3,06GHz und Rambus PC1066 what else...
 
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Der letzte Absatz von Innz ist ziemlicher Blödsinn, Baal Neetbeck geht da schon in die richtige Richtung.

Das große Problem ist aber nicht die Adressdecodierung sondern das Auslesen des Analogen Zustand des Speicherkondensatoren.

Trotz den GBs an RAM hat der interne Adressdecoder tlw. nur 16Bit ;)

Die RAMs sind intern aufgeteilt in (Die Bits sind jetzt mal exemplarisch anhand eines 1Gigx4 IC):
Row Adressen 16B (diese Adressieren eine Zeile an KOndensatoren, die dann ausgelesen werden)
Col Adressen 10B (Welchen Bereich innerhalb der Zeile wollen wir denn lesen?)
Bank Adress 2B ( son RAM IC ist seit SDRAM in 4 Bänke unterteilt um am Adressecoder zu sparen)
Bank Group 2B (Jetzt gibts 4 Bank Gruppen zu 4 Banks um am Decoder weiter zu sparen)

Also die Adressbits werden in ziemlich flacher Hirarchie und sogar parallel decodiert.
Nur das Auslesen Daten nach der Adressierung, der tCL, dauert eben.
Dieser wird stehts in IO CLKs angegeben, denn es ist ha SYNCHRONER RAM.
Steigt der IO Takt, aber nicht die physikalische interne Geschwindigkleit des auslesen so sieht es aus als hätte son DRAM immer höhere Latenzen, hat er aber nicht.

(Zum Glück muss ich mich auf Arbeit im embeddet Bereich nur bis DDR2 rumschlagen, danach wirds echt hässlich)
 

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High Definition schrieb:
Asus P4T533C mit Intel Pentium 4 3,06GHz und Rambus PC1066 what else...

P4C800E-Deluxe Pentium 4 HT 2,6 Ghz @ 3,25 mit Adata Vitesta DDR500 mit 2-3-3-5 er Timings bei 3Volt und einer Hitzentwicklung die mich im Winter niemals die Heizung aufdrehen ließ :freak:

Abgesehen davon kommt mir immer noch das schaudern wenn ich dran denk wie laut das Ding war, weil mit Lüftern vollgestopft.
 
Fritzler schrieb:
Das große Problem ist aber nicht die Adressdecodierung sondern das Auslesen des Analogen Zustand des Speicherkondensatoren.
Das die Adressen nicht das Problem sind dachte ich mir....mein Gedanke war, dass ich mit mehr Speicherzellen pro Chip länger brauchen würde sie anzusprechen....ich muss ja mit meinem Timing immer von langsamsten Fall ausgehen.

Da hatte ich den Fehler gemacht, mir das wie sequenziellen Zugriff vorzustellen....ist natürlich Quatsch, wenn schon random access im Namen ist. ;)
Und dann ist auch klar, dass der Adressraum hier nicht direkt das Problem ist.

Beinhaltet die CAS Latency also schon das Lesen/Schreiben?
Ich hatte gedacht, das wäre nur das anwählen und dann würde erst das auslesen/beschreiben der angewählten Speicherzelle erfolgen.

Fritzler schrieb:
Steigt der IO Takt, aber nicht die physikalische interne Geschwindigkleit des auslesen so sieht es aus als hätte son DRAM immer höhere Latenzen, hat er aber nicht.
Wie meist du das? Höhere Latenzen sind es ja nicht unbedingt...bleibt alles in 10ns Bereich für tCL.

Um die Latenzen zu senken müsste man also die Elektronik verbessern, die das auslesen und schreiben übernimmt(zumindest für das Lesen wird es da nix zu verbessern geben)...und man müsste mit dieser Elektronik näher an die Speicherzellen ran, was nicht möglich ist, wenn wir kleinere Fertigungsgrößen, in mehr Kapazität anstelle von kleineren Speicherbausteinen umwandeln?
 
@Baal Netbeck
Auch beim lesen wird geschrieben. Beim lesen werden die Kondensatoren per "Sense Amplifier" ausgelesen und daher wird die Ladung verringert.
Somit muss dann auch wieder zurückgeschrieben werden, bzw aufgefrischt.
Also so sehr hat sich die Technik seit dem Kernspeicher nicht verbessert :evillol:

Das lesen eines DRAM ist etwas komplizierter (jetzt mal anhand von LPDDR1, da kenn ich mich besser aus):

1) Als erstes kommt das Kommando ACTIVE, jetzt wird die Row Adresse sowie welche BANK (0-3) geschickt. Damit werden die Kondensatoren der passenden Zeile ausgelesen, verstärkt und die daraus resultierenden Bitzustände zwischengespeichert.

2) Jetzt kommt das READ Kommando mit der Col Adresse um aus der Zeile die richtige Spalte auszuwählen, die auf den Bus soll.
Zwischen ACTIVE und READ/WRITE Befehl braucht der DRAM aber auch Bedenkzeit (tRCD).
Auch hier wird wieder die BANK bei der Adresse angegeben, denn diese können interleaved mit verschiedenen COL aktiv sein.

3) Jetzt tCL warten und die Daten vom Bus abgreifen.

4) Das Kommando PRECHARGE senden, jetzt werden die ausgelesenen Bitwerte in die Kondensatoren zurückgeschrieben. Ab jetzt kann eine andere Row wieder aktiviert erden (aber halt, auch hier gibts eine Bedenkzeit einzuhalten, tRP).

Zwischen ACTIVE und PRECHARGE muss auch eine minimale Zeit vergesen (tRAS)
 
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@Robert Was soll ich sagen? Sehr sehr schöner Artikel! Vielen Dank für deine Mühe.
 
v_ossi schrieb:
Ein bisschen Nostalgie ist ja ganz cool und kann wohl jeder hier im Forum nachvollziehen, aber wozu brauchst du nen ganzen Karton mit (nach heutigem Stand der Technik) "Elektroschrott"?
Ein schickes Gehäuse Design kreieren und mit RGB ausleuchten. Falls man kreativ ist und Neu mit Retro zu verbinden. Das muss nicht im Karton liegen :)
 
Fritzler schrieb:
DRR500 zu DDR400 sind mal eben der Faktor 1,25.
DDR4-3000 zu DDR4-2400 ist derselbe Faktor.
Das merkt man auch heute noch trotz riesiger L3 Caches.

Im Text wird der DDR500 mit DDR2 verglichen, aber in der Grafik taugt nirgends DDR2 auf?

Wird halt schwierig, eine ddr2-taugliche cpu mit ner ddr1-tauglichen CPU zu vergleichen.

DDR 550 ist nunmal schneller als ddr2/533

Ich nutze ddr3-2400 und der ist flotter als ddr4-2400. nur brauche ich nicht im Traum nen ivy bridge mit nem skylake oder coffee-Lake zu vergleichen. Das kommt dann eben nicht hin.
 
@DerHalbmann
Damals hatte Asrock sehr interessante Mainboards
Sockel 775 mit DDR1 und DDR2 Slots für den Core2Duo.
Das hatte also nix mit der CPU zun tun, also bitte etwas übern Tellerrand gucken vorm Posten.
(Damals war das DRAM Interface nunmal im Chipsatz)
https://www.asrock.com/mb/VIA/775Dual-VSTA/
https://www.asrock.com/mb/VIA/775Dual-880Pro/

Der Core2Duo ist wohl die einzige x86 CPU bisher, die man mit 3 DDRAM Generationen bestücken konnte.
Mit dem Asrock Brett gehen DDR1 und DDR2, mein Laptop hat auch nen C2D und frisst DDR3.

DerHalbmann schrieb:
nur brauche ich nicht im Traum nen ivy bridge mit nem skylake oder coffee-Lake zu vergleichen. Das kommt dann eben nicht hin.
Gleich den Takt an und dann kannstes benchen, Intel war zu der zeit ja im Innovationstiefschlaf,
 
Fritzler schrieb:
1) Als erstes kommt das Kommando ACTIVE, jetzt wird die Row Adresse sowie welche BANK (0-3) geschickt. Damit werden die Kondensatoren der passenden Zeile ausgelesen, verstärkt und die daraus resultierenden Bitzustände zwischengespeichert.

2) Jetzt kommt das READ Kommando mit der Col Adresse um aus der Zeile die richtige Spalte auszuwählen, die auf den Bus soll.
Zwischen ACTIVE und READ/WRITE Befehl braucht der DRAM aber auch Bedenkzeit (tRCD).
Auch hier wird wieder die BANK bei der Adresse angegeben, denn diese können interleaved mit verschiedenen COL aktiv sein.

3) Jetzt tCL warten und die Daten vom Bus abgreifen.

4) Das Kommando PRECHARGE senden, jetzt werden die ausgelesenen Bitwerte in die Kondensatoren zurückgeschrieben. Ab jetzt kann eine andere Row wieder aktiviert erden (aber halt, auch hier gibts eine Bedenkzeit einzuhalten, tRP).

Zwischen ACTIVE und PRECHARGE muss auch eine minimale Zeit vergesen (tRAS)
Da ist es schon verwunderlich, wie man überhaupt an so geringe Ramlatenzen kommt.
Intel ca 50ns AMD ca 66ns
Werden die überhaupt richtig getestet von z.B. Aida64?

Denn wenn ich das mal aufzähle:
DDR4 3200 Cl14 14 14 14 28 41
tRCD 8,75ns
tCL 8,75ns
tRP 8,75ns
tRAS 17,5ns

Von ACTIVE Befehl bis zum abgreifen des einen Bits sind es 17,5ns(tRCD+tCL).
Laut Wiki laufen die Signale in Leiterbahnen mit 65% der Lichtgeschwindigkeit also brauchen sie ca 1ns für den Weg.
Wobei da natürlich 1ns vergeht, bis der active befehl da ist und 1ns bis die Daten zurück sind....Und die Daten auf die Trägefrequenz setzen und wieder digitalisieren braucht ja sicherlich auch minimal Zeit.

Und dann bis zum Cache der CPU bringen und realisieren dass die Daten da sind.
Der L1 Cache hat ja auch nochmal 1ns Zugriffszeit...da kommt einiges zusammen für den absoluten Bestfall.

Aber das wäre ja nur ein Bit....in der Regel will ich ja mehr Bits...bytes ....Mbytes.

Da hat der Ram vorher schon gearbeitet, ich muss also noch tRC abwarten....und all die anderen Timings werden dann wichtig...im Zweifel muss die Bank gewechselt werden....tRRD S oder L...all der andere Kram.

Wenn ich das richtig verstanden habe arbeitet der Ram an vier aktiven Fenstern....das entspannt die Sache vermutlich.
Aber trotzdem stark, wie schnell das an Ende ist. :)
 
(-_-) schrieb:
Die News ist von 2012.

jeah, daher werden dann wohl die neuen ddr5 ram chips in 20nm oder im besten falle in 14nm gebaut. das ganze dann bis in das jahr 2022-2025....

ob du das als "gut" einstufst oder eher so wie ich als unter dem durchschnitt ansiedelst, liegt daran, wie du die dir vorgegebene welt wahr nimmst.

mfg
 
Ja schwarze Magie indeed.
Mehr kann ich dazu aber auch nicht sagen.

Bei DDR4 sins ja 4 Bänke in 4 Gruppen = 16 "aktive Fenster" ?
Bin mal gespannt was DDR5 an Schweinereien bringt.
 
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@Fritzler dir macht so schnell keiner was vor, was Arbeitsspeicher angeht.

Hätte ich von diesem Board gewusst, hätte ich sicher anders gehandelt.

Ich selber hatte ein AsRock 939Dual-VSTA. Dort ging DDR2 nur mit der AM2-Erweiterung. Habe da wohl etwas geschlussfolgert.

Schade finde ich, dass es keine Tests von CB mit solchen „Nieschenboards“ gibt, wo auch wirklich schneller ddr3-Ram über 2133Mhz getestet oder betrieben wurde. Oder täusche ich mich da ich meine ich informiere mich regelmäßig was sich da tut aber nen coffee Lake Test mit wirklich schnellem Ran kam mir bisher nicht entgegen.
 
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