Geringere Strukturbreiten haben eindeutig Stromspar- und Verlustleistungsbeschränkende-Vorteile.
Man benötigt nicht so eine höhe Spannung um ein Elektron von A nach B zu befördern, weil es für die Elektronen mit kleineren Leiterbahnbreiten immer "eindeutiger" wird, wohin so fließen sollen. Zwar gilt in der Elektrotechnik, dass mit zunehmendem Leiterbahnquerschnitt der Wiederstand sinkt, aber das gilt meines Wissens nach nicht für solche Mikroarchitekturen, denn hier hat ein höherer Querschnitt auch gleich noch den Nebeneffekt, dass es mehr Material zum erwärmen gibt -> und je wärmer das Material, desto größer der Wiederstand, desto größere Spannungen braucht man etc, desto wärmer wird das Material etc. Das hängt mit der "Eindeutigkeit der Fließrichtung zusammen". Je mehr Elektronen auf einem Leiter platz finden, desto mehr Chancen bzw. größere Flächen bestehen, dass eine Reibungung unter den Elektronen entsteht.
Zudem muss man sich vor Augen halten, dass wir eben nicht mit Quatensprüngen arbeiten, bei denen es nur eine 0 und eine 1 gibt (0 wird in der digitaltechnik mit einem Spannungspegel von 0,0 - 0,8Volt symbolisiert und 1 dann mit 1,3 - 1,75 Volt [korrigiert mich wenn ich die Werte jetzt falsch gewählt habe]). Zwischen der 0 und 1 muss ein Spannungsaufbau und -abfall entstehen und der ist nicht unendlich klein und Strom braucht auch ne gewisse Zeit, bis es durch einen Leiter geflossen ist (glaub das war pro cm-Draht etwa 1. Pikosekunde). Je größer die Strukturen desto größer die Verzögerungen und die Fehleranfälligkeit. Und da müssen dann Filter eingebaut werden, die auch wiederum Strom benötigen und Wärme produzieren. Je kürzer somit die Leiterbahnen umso weniger komplex die Filter und den Rest könnt ihr euch ja denken.