Hurrycane
Lt. Commander
- Registriert
- Mai 2007
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@ zogger: Die gesamtleistung des Chips wird abergesenkt, nur die vorhandenen GaN-Transistoren sind "wärmer" als die der Silizium, was logisch ist, da sie viel schneller sind. Desshalb ist der Chip aber Effizienter.
Ich denke das problem der zuverlässigkeit liegt darin, dass Silizium ja nur eine gewissen temperatur abkann, ehe die Kristalline Struktur zerfällt, was äußerst ungünstig für einen solchen Chip ist.
Und wenn die GaN-Tr. nun 200° Warm werden, denn wird das Silizium zerstört.
Ich weis zwar nicht, wie warm die werden, und wie hoch die Verlustleistung im gegensatz zu einem Si-Tr ist, aber besser wird es allemal sein.
Die frage die ich mir nur stelle ist, wieso man die normalen transistoren in einem Halbleiter nicht einfach unterschiedlich schnell taktet, oder müssen die alle gleich schnell sein, aber die zB für den Cache genutzten brauchen einfach weniger Energie?
Ich denke das problem der zuverlässigkeit liegt darin, dass Silizium ja nur eine gewissen temperatur abkann, ehe die Kristalline Struktur zerfällt, was äußerst ungünstig für einen solchen Chip ist.
Und wenn die GaN-Tr. nun 200° Warm werden, denn wird das Silizium zerstört.
Ich weis zwar nicht, wie warm die werden, und wie hoch die Verlustleistung im gegensatz zu einem Si-Tr ist, aber besser wird es allemal sein.
Die frage die ich mir nur stelle ist, wieso man die normalen transistoren in einem Halbleiter nicht einfach unterschiedlich schnell taktet, oder müssen die alle gleich schnell sein, aber die zB für den Cache genutzten brauchen einfach weniger Energie?