News Everspin nvNITRO: Erste PCIe-NVMe-SSD mit MRAM vor Markteinführung

Don Kamillentee schrieb:
...
Das dürfte doch heutzutage schon möglich sein, mit dem entsprechend schlauen Algor. ordentlich Gewinne einzufahren?

OHNE diese Algorithmen geht doch schon lange nix mehr, denn den Handel bestimmen Rechner, nicht mehr direkt Menschen.
[mal als Beispiel des Wahnsinns]

Und 90% der Menschen profitiert nicht davon.
[gute Basis]

BTT:
MRAM-Lösungen sehe ich als besseren Weg zur Leistungssteigerung im Gegensatz zu Intels Optane.
 
Zuletzt bearbeitet:
foofoobar schrieb:
Das wird als Cache in SSDs landen, da macht das Sinn.
Es gab schon SSDs mit MRAM-Cache.

Moep89 schrieb:
Hier wird immer mit NAND Flash verglichen weil der auch nicht-flüchtig ist, aber das Ding soll ja bloß ein Cache sein, wo die Flüchtigkeit ohne Strom eher irrelevant ist.
Bei kritischen Anwendungen wird man niemals einen RAM-Cache nehmen, wenn dieser nicht zumindest per Batterie/Kondensator abgesichert ist. Bei MRAM kann man sich diese Absicherung sparen.

Moep89 schrieb:
Also wäre ein Vergleich mit DRAM da sinnvoller, welcher wie auch im Artikel geschrieben immernoch bedeutend schneller ist, zumindest bei der Latenz.
Galatian schrieb:
Gibt es eigentlich irgendeine Speichertechnologie in "baldiger Nähe", welche tatsächlich den DRAM ersetzen könnte? XPoint und hier MRAM sind ja scheints schnell, aber nicht schnell genug.
IBM hat schon MRAM mit 2ns Latenz hergestellt. Die PTB Braunschweig ist bei einzelnen MRAM-Zellen sogar auf 500ps gekommen. Damit wäre MRAM auf dem Niveau von SRAM und sehr viel schneller als DRAM. Bei dieser SSD dürfte es an der Anbindung liegen.

r4yn3 schrieb:
Beim ersten überfliegen der News dachte ich ohnehin, es würde sich um Schreibfehler handeln was die Größen angeht. Dem Autor wäre ich aber sehr dankbar, wenn man die ganzen Zahlen wie Latenz, IOPS und was man noch so alles in den Text wirft kurz in eine Tabelle drücken, also MRAM, NAND, DRAM. Und seien es auch nur theoretische Werte.
Es gab vor ein paar Jahren mal ein Paper in dem mögliche HDD-Nachfolger verglichen wurden: After Hard Drives—What Comes Next? (by Mark H. Kryder and Chang Soo Kim)


Holt schrieb:
Die Ganzen Storage Class Memorys werden sich zwischen DRAM und NAND einsortieren, vermutlich in jeder Hinsicht. Also langsamer aber billiger als DRAM sein, schneller aber haltbarer und teurer als NAND. Die Anwendungen dafür müssen mehr oder weniger erst noch gefunden werden. Die 3D XPoint versprechen immerhin als DIMMs wie DRAM genutzt die Doppelte Kapazität wie DRAM Riegel.
STT-MRAM ist potentiell schneller als DRAM und kann u.U. sogar mit SRAM konkurrieren. Bei der Speicherdichte hat dieser Speicherart danke ähnlicher Zellgröße, der Möglichkeit bis zu 4Bit/Zelle zu speichern (QLC) und eine Skalierbarkeit bis min. 11nm das gleiche Potential wie NAND-Flashspeicher. Weitere Vorteile sind die im Artikel erwähnte hohe Haltbarkeit und einen sehr geringen Energiebedarf.

Holt schrieb:
NAND Flash werden sie wohl nie ersetzen, dafür ist da einfach die Datendichte zu hoch, das Zeug ist eben einmal unschlagbar einfach aufgebaut und dann auch noch sehr ausgereift und wird in sehr großen Mengen gefertigt, alleine den Rückstand bei Fertigung und Volumen aufzuholen würden viele Jahre dauern, selbst wenn man etwas (er)findet was eine ähnlich hohe Datendichten verspricht.
NAND-Flash hat fertigungstechnisch einen riesigen Vorsprung. STT-MRAM hat mit IBM, Samsung und GlobalFoundries aber durchaus potente Unterstützer und wie oben erwähnt kann man die allermeisten Techniken, die bei NAND-Flash eingestetzt werden auf STT-MRAM übertragen, so dass man langfristig eine Annäherung der Speicherdichte erwarten kann. Ich könnte mir vorstellen, dass NAND-Flash langfristig zwischen STT-MRAM (schneller, stromsparender) und HDD (größer, billiger) "zerquetscht" wird.
 
Zuletzt bearbeitet:
Brötchenesser schrieb:
Jetz muss halt nur noch die Speicherdichte erhöht werden.
Als ob das so einfach wäre, ist es aber nicht. Natürlich kann man am Anfang, wenn die Technik anfängt die Kinderschuhe zu verlassen da größere Fortschritte erwarten, aber letztlich gibt es dann dort ein Limit und wenn die Technik der Zellen komplexer ist, wird man bei gleicher Fertigung nie die gleichen Datendichte erzielen wie bei Speichern deren Zellen kompakter bauen, weil sie einfacher sind.

Brötchenesser schrieb:
Aber wenn man in ein paar Jahren auch dieses Problem gelöst hat ist es auf jedenfall eine Alternative zu den eher anfälligen (normalen) SSD Flash Speicher.
Wo ist denn das NAND in SSDs so anfällig? Die Lebensdauer ist beschränkt, aber das ist sie auch bei allen anderen Technologien, ob HDDs oder sogar DRAM, die haben alle keine endlose Lebenserwartung, bei DRAM merkt man es aber nicht, da reichen die Zyklen für Jahrzehnte bis Jahrhunderte und ebenso ist es auch bei einer SSD mit ordentlichen NANDs und typischer Heimanwendernutzung. Die Ausfallraten von SSDs sind von Ausnahmen abgesehen im Schnitt geringer als bei HDDs, wenn mal eine SSD ausfällt, liegt es meist am Controller, außer vielleicht bei Herstellern ohne eigenen NAND Fertigung die dann teils des letzte Dreck an Qualitäten verbauen, die so für SSDs nie hätten verwendet werden dürfen.

Fragger911 schrieb:
OHNE diese Algorithmen geht doch schon lange nix mehr, denn den Handel bestimmen Rechner, nicht mehr direkt Menschen.
Das ist ja nur der Hochfrequenzhandel, also der Teil der Börse wo die Zocker ihr Glückspiel betreiben. Echte Investoren berührt das nicht, die denken in Jahren und Jahrzehnten.
Fragger911 schrieb:
MRAM-Lösungen sehe ich als besseren Weg zur Leistungssteigerung im Gegensatz zu Intels Optane.
Bisher kennen wir weder das eine noch das andere wirklich, aber bzgl. der Kapazitäten scheint das 3D XPoint schon klar die Nase vorne zu haben, hat Intel doch schon SSDs mit 16 und 32GB angekündigt, auch wenn diese noch deutlich langsamer sein werden, aber die sind ja auch für Heimanwender. Außerdem bremst bei der Nutzung von Storage Class Memory als SSD dann immer der Controller. Die Storage Class Memorys sind ja alle Bitweise adressierbar und müssen über einen Controller erst in Blockdevices verwandelt werden, weshalb es eben auch der bessere Ansatz ist diese auf DIMMs zu löten und in die RAM Slots zu packen, nur müssen RAM Controller und OS erst noch lernen sie dort entsprechend zu nutzen. Das geht jetzt ja gerade erst los, Intels Purley Plattform macht da den Anfang und wird 3D XPoint eben auch als RAM nutzen können und dann wird man sehen wie es genau von der SW genutzt werden kann, nur als DRAM Erweiterung (mit einem echten DRAM Cache in HW durch den RAM Controller) wie Fast und Slot Memory damals beim Amiga oder auch als persistenter Massenspeicher der dann eben direkt über die RAM Adressen byteweise angesprochen werden kann, womit man Programme dann eben nicht mehr erst laden muss um sie auszuführen.

Da ist Vieles denkbar und HP hat bei The Maschine ja auch schon einige umgedacht und man wird sehen müssen, wohin die Reise da geht, wir stehen ja erst noch am Anfang und mit dem 3D XPoint von Intel und Micron kommt ja nun wohl bald überhaupt erstmal so ein Storage Class Memory auf den Markt der auch die für derartige Anwendungen nötigen Kapazitäten hat und deren Hersteller dann wohl auch Fertigungskapazitäten aufgebaut haben um die nötigen Mengen davon liefern zu können, wenn es wirklich mit dem Einsatz in der Praxis losgeht und der eben nicht auf solche Exotenhardware mit minimalen Kapazitäten beschränkt bleibt wie bei der Everspin nvNITRO.
Limit schrieb:
Es gab schon SSDs mit MRAM-Cache.
Welche denn? Storage Class ist im Prinzip für den Einsatz als Cache in SSD, HDDs und RAID Controllern (wobei die im Zuge des Wechsels zu SSDs eine Aussterbende HW sind, die Herstellerfirmen wurden ja in letzter Zeit alle von großen Firmen übernommen), wo man schnellen, nicht flüchtigen Speicher Speicher mit relativ kleine Kapazitäten braucht und dies heute über DRAM mit Stützkondensatoren oder gar Akkus als Energiereserve macht. Wenn die Einsparung dieser Notstromversorgung dann die Mehrkosten kompensiert und die Performance immer noch reicht, so ist es sinnvoll dort auch solche Storage Class Techniken einzusetzen, bei denen eben die Kapazitäten nicht reichen um damit eine Alternative zu DRAM im Hauptspeicher in einem Server realisieren zu können.

Limit schrieb:
Bei kritischen Anwendungen wird man niemals einen RAM-Cache nehmen, wenn dieser nicht zumindest per Batterie/Kondensator abgesichert ist. Bei MRAM kann man sich diese Absicherung sparen.
Bei kritischen Servern ist der ganze Server bzw. das ganze Rechenzentrum gegen Stromausfälle abgesichert, damit braucht man den Hauptspeicher nicht noch mal einzeln abzusichern. Bzgl. des RAM Cache auf Komponenten wie RAID Controllern oder SSDs siehe oben.

Limit schrieb:
Damit wäre MRAM auf dem Niveau von SRAM und sehr viel schneller als DRAM. Bei dieser SSD dürfte es an der Anbindung liegen.
Die Verwendung als Speicher in SSDs ist nicht die primäre Anwendung von Storage Class Memory, eben weil die Anbindung über PCIe, den Controller der Blockzugriffe organisieren muss und das Protokoll (selbst wenn NVME schon dafür optimiert ist) die Latenz ein um Vielfaches ansteigen lässt, halt auf die beworbenen 6 Mikrosekunden, also mehr als Faktor 1000 über den ns Werte die Du genannt hast. Nur ist die Kapazität im MBit Bereich pro Die und dann im unteren GB Bereich pro Riegel/SSD so lächerlich gering, damit kann man praktisch nichts sinnvolles anfangen wenn man das statt DRAM oder zusätzlich zu DRAM an den RAM Controller hängt, was ja auch von der heutigen HW und SW (OS) kaum für eine andere Nutzung als wie bei DRAM unterstützt wird, also wird es eben als SSD verwurstet und da dann vermutlich irgendwo als Cache genutzt, genau wie Intel es mit dem 3D XPoint anfänglich angedacht hat, zumindest für Consumer.

Limit schrieb:
STT-MRAM ist potentiell schneller als DRAM und kann u.U. sogar mit SRAM konkurrieren. Bei der Speicherdichte hat dieser Speicherart danke ähnlicher Zellgröße, der Möglichkeit bis zu 4Bit/Zelle zu speichern (QLC) und eine Skalierbarkeit bis min. 11nm das gleiche Potential wie NAND-Flashspeicher. Weitere Vorteile sind die im Artikel erwähnte hohe Haltbarkeit und einen sehr geringen Energiebedarf.
Dann soll einer das mit Kapazitäten pro Die bauen die mit denen von DRAM und/oder NAND mithalten können, dann können zumindest bei einigen Anwendungen die besseren Eigenschaften auch ggf. höhere Kosten kompensieren. Solange sich nur irgendwelche Forscher sich darüber auslassen was man machen könnte und wie die Eigenschaften dann noch wären, ist das irrelevant, man hat ja auch bei NAND gesehen, dass es unter 20nm dann Probleme gab, die vorher so nicht in der Form bestanden haben. Vom theoretisch tollen Ansatz der dann vielleicht schon in irgendwelche versuchsweise mit großen Strukturen und kleinen Kapazitäten gefertigten Testprodukten bestätigt wurde bis zum wettbewerbsfähigen Endprodukt ist es eben ein weniger Weg. Die Latenz der NANDs wurde übrigens mit jedem Shrink immer schlechter, nur die Schnittstellen und die Controller wurden so massiv schneller, dass dies gar nicht mehr aufgefallen ist, sondern die SSDs am Ende sogar geringere Latenzen als ihre Vorgänger hatten, deren NAND die geringere Latenz hatte.
Limit schrieb:
NAND-Flash hat fertigungstechnisch einen riesigen Vorsprung.
Das und dann auch bei der Infrastruktur, also vor allem den Controllern.
Limit schrieb:
STT-MRAM hat mit IBM, Samsung und GlobalFoundries aber durchaus potente Unterstützer
Es arbeiten verschiedene Hersteller an den unterschiedlichen Storage Class Memory Technologien, nur sind die alle noch nicht so weit um mehr als allenfalls solche Nischenprodukte anbieten zu können, wenn überhaupt. Derzeit sieht es so aus, als wenn 3D XPoint das Rennen gewinnen wird und als erstes wirklich für eine Massenanwendung kommen wird, wenn auch wohl eher im Server- als im Consumerbereich, aber dies dürfte für all diese Technologien zutreffen, da die Kosten wohl noch lange einer Verbreitung bei Heimanwendern im Wege stehen dürften. Der Heimanwender profitiert eben nur wenig von noch schnelleren SSDs und außer ein paar Enthusiasten ist damit keiner bereit dafür große Aufpreise zu zahlen und selbst wenn man mit Storage Class Memory noch schnellere /größere RAM Riegel als mit DRAM bauen kann, wird es dort nicht anderes aussehen solange diese deutlich mehr als DRAM Riegel kosten.

3D XPoint verspricht günstiger als DRAM zu werden, aber auch langsamer und man muss dann wohl DRAM zusätzlich als Cache verbauen, es dürfte am Ende also teurer werden damit die beim Heimanwendern üblichen 8, 16 und vermutlich sogar 32GB zu realisieren.
Limit schrieb:
Ich könnte mir vorstellen, dass NAND-Flash langfristig zwischen STT-MRAM (schneller, stromsparender) und HDD (größer, billiger) "zerquetscht" wird.
Welche der kommenden Storage Class Technologien am Ende das Rennen macht und wann die den NANDs wirklich bzgl. der Kosten auf die Pelle rücken können, dazu traue ich mir keine Prognose zur. NAND hat neben dem Vorsprung bei der Entwicklung auch den Vorteil, dass viele Firmen diese Entwicklung sowie die Entwicklung von dessen Fertigung voran treiben, bei Storage Class Memory sind dies jeweils wenige, bei 3D XPoint Intel und Micron die aber sowieso bei der Technologie für die Fertigung eng zusammen arbeite, ebenso wie IBM, Samsung und GlobalFoundries dies machen, nachdem die Fabs von IBM an GF gegangen sind und GF mit Samsung bei der Fertigungstechnologie zusammen arbeitet. Da fehlt der Wettbewerb der sich ja meist erst gegenseitig zu Höchstleistungen und Verbesserungen anstachelt, sondern jede Gruppe kocht da alleine ihr eigenes Süppchen.
 
Holt schrieb:
Es gab vor ein paar Jahren eine von Buffallo. Die hatte zwar nur 8GB und 4MB Cache, aber man sieht, dass die Technologie sich seitdem weiterentwickelt hat. Ansonsten findet man die Technologie zur Zeit hauptsächlich im Embedded Bereich, wo sie Cache, RAM und Flash gleichzeitig ersetzt. Da spielt die hohe Haltbarkeit und der niedrige Stromverbrauch eine größere Rolle als Preis und Kapazität.


Holt schrieb:
Bei kritischen Servern ist der ganze Server bzw. das ganze Rechenzentrum gegen Stromausfälle abgesichert, damit braucht man den Hauptspeicher nicht noch mal einzeln abzusichern. Bzgl. des RAM Cache auf Komponenten wie RAID Controllern oder SSDs siehe oben.
Redundante Netzteile und Notstrom helfen zwar, aber nicht jeder Stromverlust an einer SSD kommt vom Netzteil. Es kann auch einfach nur ein herausgezogenes oder defektes Kabel oder bei PCIe-Versionen ein Defekt des Mainboards einen Stromausfall an der SSD verursachen.

Holt schrieb:
Die Verwendung als Speicher in SSDs ist nicht die primäre Anwendung von Storage Class Memory, eben weil die Anbindung über PCIe, den Controller der Blockzugriffe organisieren muss und das Protokoll (selbst wenn NVME schon dafür optimiert ist) die Latenz ein um Vielfaches ansteigen lässt, halt auf die beworbenen 6 Mikrosekunden, also mehr als Faktor 1000 über den ns Werte die Du genannt hast.
Jo, aufgrund der Geschwindigkeit wäre MRAM besser im RAM-Slot aufgehoben und Everspin bietet auch Module mit DDR3/4 SI an. In PCs wird man diese allerdings nicht so bald finden auch wenn Everspin im Laufe des Jahres die Datedichte von 256Mbit auf 1Gbit erhöhen will.

Holt schrieb:
Nur ist die Kapazität im MBit Bereich pro Die und dann im unteren GB Bereich pro Riegel/SSD so lächerlich gering, damit kann man praktisch nichts sinnvolles anfangen wenn man das statt DRAM oder zusätzlich zu DRAM an den RAM Controller hängt, was ja auch von der heutigen HW und SW (OS) kaum für eine andere Nutzung als wie bei DRAM unterstützt wird, also wird es eben als SSD verwurstet und da dann vermutlich irgendwo als Cache genutzt, genau wie Intel es mit dem 3D XPoint anfänglich angedacht hat, zumindest für Consumer.
Für den PC dürfte es vorerst wenige nützlich sein. Bei Smartphones/Tablets könnte ich mir aber vorstellen, dass wir erste Geräte mit MRAM in den nächsten 2-3 Jahren zu sehen bekommen. Die neuen 1Gbit Dies (max. 16GB / Modul) würden dort ausreichen um RAM + Flash zu ersetzen und außerdem könnten Apple oder Google auch ihre Software relativ frei anpassen um aus dem nicht-flüchtigen RAM nutzen zu ziehen.

Holt schrieb:
Dann soll einer das mit Kapazitäten pro Die bauen die mit denen von DRAM und/oder NAND mithalten können, dann können zumindest bei einigen Anwendungen die besseren Eigenschaften auch ggf. höhere Kosten kompensieren.
Ich denke der Grund, warum es noch keine höheren Kapazitäten gibt liegt in erster Linie daran, dass bisher nur kleinere Firmen wie eben Everspin Chips bis zur Massenfertigung entwickeln. Bei Samsung und IBM ist man technologisch schon sehr viel weiter. Während Everspin afaik noch bei 65nm ist, haben IBM/Samsung bereits Chips mit 11nm gefertigt. Da Samsung aber noch sehr gut am Flashspeicher verdient und IBM in erster Linie die Anwendung in ihren Servern interessiert ist, ist es für beide in erster Linie immer noch ein Forschungsprojekt. Einzig GlobalFoundries scheint es vermehrt einsetzen zu wollen, allerdings in erster Linie im Embedded Bereich. Hoffentlich sorgt Intels/Microns 3D-XPoint dafür, dass die beiden endlich auch mal ein Produkt drauß machen.

Holt schrieb:
Die Latenz der NANDs wurde übrigens mit jedem Shrink immer schlechter
Das kann je nach Technologie anders sein. Bei STT-MRAM war es bisher so, dass die Shrinks die Latenzen eher gesenkt haben. Ich kann nicht mit Sicherheit sagen ob das an den Shrinks oder anderen Verbesserungen lag, aber auch die 11nm Chips von Samsung/IBM haben Latenzen von 10ns. Damit wären sie auch bei dieser Strukturbreite noch voll konkurrenzfähig zu DRAM und viel schneller als NAND.

Holt schrieb:
Da fehlt der Wettbewerb der sich ja meist erst gegenseitig zu Höchstleistungen und Verbesserungen anstachelt, sondern jede Gruppe kocht da alleine ihr eigenes Süppchen.
Wieso fehlt Wettbewerb, die Technologien müssen doch gegeneinander antreten. Für den Anwender ist es ja schlussendlich egal welche Technologie genutzt wird, solange die gleichen Schnittstellen angeboten werden (PCIe bzw. DDR3/4).
 
Limit schrieb:
Ansonsten findet man die Technologie zur Zeit hauptsächlich im Embedded Bereich, wo sie Cache, RAM und Flash gleichzeitig ersetzt. Da spielt die hohe Haltbarkeit und der niedrige Stromverbrauch eine größere Rolle als Preis und Kapazität.
Und oft muss die HW auch kompakt sein, unerwartete Spannungsabfälle verkraften und muss eine weit längere Lebenserwartung als die sonst üblichen 5 Jahren aufweisen. Sieht man z.B. den Embedded CPUs:
Da gibt es aber auch dann weniger Probleme auf der SW seite, denn oft wird die SW spezielle für die HW geschrieben und kann deren Eigenheiten damit auch viel besser berücksichtigen.
Limit schrieb:
Redundante Netzteile und Notstrom helfen zwar, aber nicht jeder Stromverlust an einer SSD kommt vom Netzteil.
Deswegen haben Enterprise SSDs ja auch Stützkondesatoren und zwar die große Lösung die auch die Userdaten im Schreibach schützt.
Limit schrieb:
Es kann auch einfach nur ein herausgezogenes oder defektes Kabel oder bei PCIe-Versionen ein Defekt des Mainboards einen Stromausfall an der SSD verursachen.
Bei einem Defekt des Mainboard ist das Problem dann meist so groß, dass auch mir Storage Class Memory ein Datenverlust wohl nicht zu verhindern ist und immer noch nicht das größte Übel darstellt. Wer sich dagegen absichern will, muss auch die System selbst redundant halten.

Limit schrieb:
Bei Smartphones/Tablets könnte ich mir aber vorstellen, dass wir erste Geräte mit MRAM in den nächsten 2-3 Jahren zu sehen bekommen.
Dort gilt ja auch zum Teil was für den Embedded Bereich gilt, die Haltbarkeit muss zwar nicht so hoch sein, Platz- und Energieverbrauch sind aber sehr aber wichtig und die SW kann meist schneller an die HW angepasst werden als bei PCs und Servern. Außerdem sind bei Embedded wie bei Smartphones in aller Regel weit geringere Mengen an Speicher nötig als im PC und erst recht in Servern, nur kann man dort eben keine PCIe SSDs im Add-In-Card Formfaktor einbauen wie die um die es in der News geht.

Limit schrieb:
Da Samsung aber noch sehr gut am Flashspeicher verdient und IBM in erster Linie die Anwendung in ihren Servern interessiert ist, ist es für beide in erster Linie immer noch ein Forschungsprojekt.
Könnte man das Zeug in großen Menge günstiger als NAND fertigen, würde Samsung dies sicher tun, denn IBM würde es dann in seine Server verbauen und Samsung in seine Smartphones, Tablets und SSDs. Das wird aber nicht gemacht und dafür kann es nur den Grund geben, dass es eben nicht möglich ist dies zu tun, sondern wohl noch einiges an Forschung und Entwicklung nötig ist um die Kosten davon so zu drücken, dass die Massenfertigung sich lohnt.
Limit schrieb:
Hoffentlich sorgt Intels/Microns 3D-XPoint dafür, dass die beiden endlich auch mal ein Produkt drauß machen.
Samsung hatte ja auch schon etwas eigenes angekündigt um damit konkurrieren zu können, aber dies dürfte auf NAND Technologie basieren, hätte man was anderes einsatzbereit, würde man das sicher auch bringen. 3D XPoint hat sich ja auch schon verzögert, es ist offensichtlich nicht so leicht dies wirklich in Großserie zu fertigen, es sollen angeblich über 100 verschiedene Rohstoffe dafür nötig sein, die teils schwer zu bekommen sind.

Limit schrieb:
Wieso fehlt Wettbewerb, die Technologien müssen doch gegeneinander antreten.
Die Technologien treten zwar gegeneinander an, aber innerhalb einer Technologie gibt es eben keinen Wettbewerb, da arbeiten die jeweiligen Partner zusammen und konkurrieren eben nicht miteinander wie es bei NAND oder DRAM der Fall ist. Der Wettbewerb mehrer Firmen bei der gleichen Technologie dürfte deren Entwicklung schneller voran bringen als wenn jede Firma an unterschiedlichen Technologien arbeitet.
 
Holt schrieb:
Und oft muss die HW auch kompakt sein, unerwartete Spannungsabfälle verkraften und muss eine weit längere Lebenserwartung als die sonst üblichen 5 Jahren aufweisen. Sieht man z.B. den Embedded CPUs
STT-MRAM hat hier auch noch den Vorteil mit normaler CMOS-Technologie gefertigt werden zu können was die Integration in Logikchips viel einfacher macht als das bei NAND oder gar DRAM der Fall ist.

Holt schrieb:
Könnte man das Zeug in großen Menge günstiger als NAND fertigen, würde Samsung dies sicher tun
Die Risk-Produktion hat Samsung für 2018 angekündigt, die Serienfertigung für 2019. GlobalFoundries produziert ja bereits STT-MRAM für Everspin (40nm auf 300mm Wafern, 28nm bereits angekündigt).

Holt schrieb:
3D XPoint hat sich ja auch schon verzögert, es ist offensichtlich nicht so leicht dies wirklich in Großserie zu fertigen, es sollen angeblich über 100 verschiedene Rohstoffe dafür nötig sein, die teils schwer zu bekommen sind.
3D XPoint ist als PCRAM-Variante auf spezielle Materialen angewiesen deren Leitfähigkeit sich entsprechend manipulieren lässt. STT-MRAM ist im Vergleich dazu was die Fertigung angeht pflegeleicht und lässt sich in weitestgehend gewöhnlicher CMOS-Technologie fertigen. Dafür ist das Design bei PCRAM ähnlich simpel wie bei NAND. STT-MRAM ist da in vielerlei Hinsicht anspruchsvoller.

Holt schrieb:
Die Technologien treten zwar gegeneinander an, aber innerhalb einer Technologie gibt es eben keinen Wettbewerb, da arbeiten die jeweiligen Partner zusammen und konkurrieren eben nicht miteinander wie es bei NAND oder DRAM der Fall ist. Der Wettbewerb mehrer Firmen bei der gleichen Technologie dürfte deren Entwicklung schneller voran bringen als wenn jede Firma an unterschiedlichen Technologien arbeitet.

Ich habe nochmal ein wenig recherschiert. Neben IBM/Samsung/Global Foundries arbeiten auch Sony, Toshiba mit Hynix und TDK an STT-MRAM. Es gibt also durchaus auch Konkurrenz innerhalb der Technologie. Außerdem gibt es noch viele kleinere Firmen und Forschungsinstitute die daran arbeiten, u.a. finanziert durch EU-Forschungsgelder.
 
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