Okay, ich hätte genauer sein und statt Erase Cycles besser P/E Cycles - also Program/Erase Cycle sagen sollen. Warum ich nur von Löschzyklen gesprochen habe wird aber klar wenn man sich anguckt wie NAND Flash organisiert ist und warum selbst Flash Hersteller die Lebensdauer ihres Flashes auch oft einfach nur in Löschzyklen angeben.
Flash ist aufgeteilt in Blöcke und jeder Block enthält Pages. Pages sind typischerweise 512 Bytes an Nutzdaten und Blöcke gehen mittlerweile in den MB Bereich bei den hohen Densities. Wichtig ist die Unterscheidung deshalb, da einzelne Pages geschrieben werden können (also 512 Byte) aber nur Blöcke können als ganzes gelöscht werden.
Wenn ein Block nur halb beschrieben wurde, dieser aber wieder als ganzes benötigt wird, dann muss der komplette Block gelöscht werden obwohl die Hälfte der drin enthaltenen Zellen nie beschrieben wurde. Also hat man dort schon weniger Schreiben als Löschen und dann kommt noch dazu das Pages nicht überschrieben werden können. Vor dem Beschreiben müssen die Page immer gelöscht sein. Sprich in der Summe hat man immer mehr Löschen als Schreiben. Daher ist es valide bei Aussagen zu Lebensdauer (darauf hab ich mich ja bezogen mit der Aussage warum Trim alleine erstmal nichts im Flash macht) von Löschzyklen zu sprechen.
Der Blog welchen du verlinkt hast spricht von Schreibzyklen, aber das gibt es nicht. Es gibt bei NAND Flash Löschen ohne Schreiben, aber es gibt kein Schreiben ohne Löschen.
Wenn du da ne Quelle willst einfach mal in Ruhe die passende Wikipedia Seite dazu lesen:
https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#NAND_memories
Bezüglich deines verlinkten Artikels zur GC:
Meine Aussage steht doch nicht im Widerspruch zum Artikel. Trim macht im Flash erstmal nichts. Genau das steht dort auch weil der Artikel ja weiter beschreibt dass die GC und das Wear Leveling ( im Artikel als Verschleißausgleich bezeichnet) diese Informationen nutzen ( und nicht etwa, dass Trim was gemacht hat).
Nur wenn die Zellen annähernd gleich verschlissen sind, haben nach dem Trimmen der kompletten SSD weder der GC noch das Wear Leveling etwas zu tun. Egal wie aktiv diese sein möchten. Wenn das Ergebnis das gleiche ist wie vor der Aktion - warum sollte da irgendwas gemacht werden? Gelöscht wird erst wieder vorm nächsten Schreiben in so einer Situation. PE Zyklen sind kostbar, kein vernünftige FW würde z.B. bei QLC mit 500 PE Zyklen auf die Idee kommen einfach aus Langeweile mal alle Zellen einmal zu löschen...
Daher ist das beschriebene Device Trimmen und dem Zeit im idle lassen absolut kein Garant dafür, dass wirklich Flash Zellen gelöscht werden.
