Warum werden CPU´s immer kleiner?

[madthebad]

die Schichtdicke (EOT - Equivalent Oxide Thickness) der jenigen Schicht, die Gate mit Source und Drain verbindet.

das stimmt aber dann auch nicht ganz
das ist dann die schicht die das gate vom kanal und source drain trennt bzw isoliert.

 

[silent-efficiency]

Es stimmt schon wie ich es gesagt habe. Source ist links, Drain ist rechts und Gate ist OBEN. Gate liegt auf einer Schicht, die wiederum Source und Drain berührt. (Drain und Source sind durch eine andere Schicht isoliert)

/edit

Die Rote Schicht ist gemeint^^

http://de.wikipedia.org/wiki/Datei:N-Kanal-MOSFET_(Schema).svg

edit 2: Die BLAUE Schicht ist gemeint, sorry hab mir nicht lang genug das Bild angeschaut^^

 

[madthebad]

ähm nö - die schicht die darauf liegt ist das gateoxide - das ist ein isolator.
wenn die schicht beides verbinden würde hättest du einen kurzschluss zwischen source drain und gate und das teil würde nicht so funktionieren wie es soll.

wenn du an das gate eine spannung anlegst entsteht zwischen bulk und gate im isolator ein elektisches feld (kondensator). dadurch werden p oder n angezogen (unters gateoxide) und diese p oder n bilden dann den leitfähigen kanal zwischen source und drain.

 

[Mr. Snoot]

Die Rote Schicht ist gemeint

Das ist das Gate - nicht das Gateoxid. Hat also nichts mit EOT zu tun und verbindet auch nicht in irgendeiner Weise Source/Drain/Gate.

Falls du das andere hellere "Rot" meinst (unten), dann ist das das Substrat, was aber auch nichts mit dem Gateoxid bzw. EOT zu tun hat, und Gate/Source/Drain auch nicht direkt miteinander verbindet. Das Gate ist immer vom substrat isoliert. durch bestimmte Spannungen kann aber ein leitender Kanal zwischen Source und Drain erzeugt werden, so dass der Transistor arbeiten kann.

 

[silent-efficiency]

ihr macht mich echt Kirre... aghr... ich meine doch die blaue Schicht und die liegt nun mal links auf source und rechts auf drain und oben liegt eben gate

 

[madthebad]

na die rote schicht is poly - das gibts aber in den 32nm technologien nicht mehr das poly zu hochohmig und dadurch zu langsam is.

und die verbindet aber trotzdem nicht source und drain



edit

und die blaue ist gate oxide und oxide ist ein isolator.

könnte da den ganzen abend drüber quatschen

 

[Mr. Snoot]

Das blaue Oxid fungiert als Isolator - der verbindet ganz sicher nichts

Unter dem Gate als Gateoxid bezeichnet, links und rechts bspw. als Feldoxid.


Wenn da was leiten würde, bräuchte man ja Source und Drain nicht - so hättest du ja einfach einen Leiter. Das macht keinen Sinn.

 

[madthebad]

wenns dich genauer interessier - schau mal bei snoot in der sig vorbei
http://www.halbleiter.org/grundlagen/fet/
das is super erläutert

 

[silent-efficiency]

der verbindet ganz sicher nichts

Ich sprach von räumlicher Verbindung nicht von elektrischer.

 

[madthebad]

na das musst du dazu sagen - bei dem themengebiet is ne verbindung ne verbindung und zwar elektrisch

 

[Mr. Snoot]

Und was hast du von einer räumlichen Verbindung? Das hat ja mit der Funktionsweise nichts zu tun, ist aber ggf. bei der Herstellung wichtig, damit die Source- und Draindotierung an der richtigen Stelle landet.


edit:

Ich wollte doch nur dem Typen erklären wo die Schicht ungefähr sich befindet

okay

 

[silent-efficiency]

Ich wollte doch nur dem Typen erklären wo die Schicht ungefähr sich befindet und dazu hab ich das eben räumlich beschrieben. (weil ich es nicht Malen wollte) Der Transistor an sich ist ja net 0,55nm, sondern eben die Schicht und wenn man erklären will wo die ist, dann redet man eben von räumlicher Lage/Verbindung und nicht elektrischer...

 

[aivazi]

ich glaub das die CPUs durch einer kleinere struktur anfälliger für elektromigartion sind wegen den immer dünner werdenden leiterbahnen die sensibel auf hohe spannung reagieren

 

[M.(to_the)K.]

Ich glaube unser TE hat schon lange nichtas mehr verstanden was hier gesprochen wird

 

[coldeagle]

Aktuell sind Intel und Co. bei ca. 45 nm mit Serienproduktion angelangt. Wo wird denn das Ende sein? Immerhin sagt mir Wikipedia, dass 1nm ca. 4 benachbarte Atome sind.

 

[AP Nova]

Aktuell wird eine große Hürde nach der 22 nm Fertigungstechnik gesehen, wobei da letztens irgendwer etwas entdeckt hat, womit man auch kleiner fertigen könnte, habe ich hier ein paar Posts weiter vorne schon einmal verlinkt.

Außerdem gibt es da noch den Stoff "Graphen", welcher enorm gut leiten soll und stoffbedingt nur eine Dicke von einem Teilchen hätte.

Übrigens befinden sich 40 nm auch schon in der Serienproduktion, das bekannteste Beispiel dafür sollte da der Halbleiterhersteller TSMC sein, welcher für ATi den RV740 Chip für die HD 4770 herstellt. Allerdings ist die Ausbeute aktuell ziemlich gering.

Intel schickt auch in ein paar Monaten die ersten 32 nm CPUs ins Rennen.

 

[coldeagle]

Aktuell wird eine große Hürde nach der 22 nm Fertigungstechnik gesehen, wobei da letztens irgendwer etwas entdeckt hat, womit man auch kleiner fertigen könnte, habe ich hier ein paar Posts weiter vorne schon einmal verlinkt.

Außerdem gibt es da noch den Stoff "Graphen", welcher enorm gut leiten soll und stoffbedingt nur eine Dicke von einem Teilchen hätte.

Übrigens befinden sich 40 nm auch schon in der Serienproduktion, das bekannteste Beispiel dafür sollte da der Halbleiterhersteller TSMC sein, welcher für ATi den RV740 Chip für die HD 4770 herstellt. Allerdings ist die Ausbeute aktuell ziemlich gering.

Intel schickt auch in ein paar Monaten die ersten 32 nm CPUs ins Rennen.

Hm. Dann sind wir ja vielleicht schon in 2-3 Jahren am Ende angelangt. Denn diese neuen Technologien brauchen auch ihre Zeit.