Samsung produziert 32-GB-Modul in 3x Nanometer

Samsung hat als erstes Unternehmen mit der Massenproduktion von stromsparenden DDR3-RDIMM-Modulen (Registered Dual Inline Memory Modul) mit 32 Gigabyte Speicherkapazität begonnen, die für den Einsatz in Servern gedacht sind. Die neuen Speichermodule enthalten in einem Prozess der 30-nm-Klasse gefertigte 4-Gigabit-DRAM-Chips.

Mit der Produktion der monolithischen DRAM-Chips im neuen Prozess hat Samsung im Februar und damit ein Jahr nach dem Produktionsstart gleich großer Speicherchips in einem Prozess der 40-nm-Klasse begonnen. Neben dem neuen 32-GB-RDIMM-Modul, das mit bis zu effektiv 1.866 Megahertz arbeitet, hat Samsung im Mai auch ein 8 GB großes, auf den gleichen Speicherchips basierendes SO-DIMM-Modul in das Portfolio aufgenommen und seine Produktlinie von „4 Gb Green DDR3“-basierten Lösungen der 30-nm-Klasse, die mit einer Speicherspannung von 1,35 Volt auskommen, komplettiert. Das 8 GB große SO-DIMM-Modul arbeitet bei einer Speicherspannung von 1,5 Volt sogar mit einer Taktrate von bis zu 2.133 Megahertz.

Samsung geht davon aus, dass 2012 über zehn Prozent seiner gesamten DRAM-Chip-Fertigung aus Produkten mit Kapazitäten von 4 Gb (oder mehr) bestehen wird. Noch in der zweiten Hälfte dieses Jahres plant Samsung außerdem die Einführung eines Produktionsprozesses der 20-Nanometer-Klasse für 4 Gigabit große DRAM-Chips.