2 Gbit OneNAND von Samsung in 60 nm
Samsung hat seine Flashspeicher der OneNAND-Familie weiterentwickelt. Das Ergebnis: Die Chips der aktuellen Generation warten mit gesteigerter Kapazität, höheren Lese- und Schreibgeschwindigkeiten sowie einem modernen 60-nm-Fertigungsprozess auf. Erst im April hat das Unternehmen mit der Massenproduktion von OneNAND in 70 nm begonnen.
![Samsung OneNAND mit 2 Gbit und 60 nm](https://pics.computerbase.de/1/4/8/9/0/1-1080.178525642.jpg)
Der neue 2 Gbit OneNAND-Flash-Speicher (Zum Datenblatt des KFM2G16Q2M) verdoppelt damit die Kapazität von heute verfügbaren, in 70 nm hergestellten Samsung-Chips (1 Gbit) und erhöht nach Unternehmensangaben die Schreibgeschwindigkeit von 9,3 MByte/s auf 17 MByte/s. OneNAND-Speicher verfügen über eine ähnlich hohe Lesegeschwindigkeit wie NOR-Flash-Speichern sowie die hohe Kapazität und Schreibgeschwindigkeit von NAND-Flash-Memories und sind daher universell in Multimedia-Telefonen, Digitalkameras, PCs und Digital-Fernsehgeräten einsetzbar.
NOR | NAND | OneNAND 70 nm |
ONeNAND 60 nm |
|
---|---|---|---|---|
Lesen | 108 MB/s | 17 MB/s | 108 MB/s | 108 MB/s |
Schreiben | 0,14 MB/s | 6,8 MB/s | 9,3 MB/s | 17 MB/s |
Löschen | 0,11 MB/s | 64 MB/s | 64 MB/s | unbekannt |
Darüber hinaus lassen sich mehrere OneNAND-Chips zu einem System zusammenschalten, um noch höhere Speicherkapazitäten zu erzielen. Dabei kann jeder Chip unabhängig mit dem System interagieren. Kurzum - je mehr Chips zusammengeschaltet werden, desto mehr Daten lassen sich verarbeiten. So lässt sich zum Beispiel die Schreibgeschwindigkeit von OneNAND-Chips bis auf 136 MByte/s steigern, wenn acht 2-GBit-Memory-Chips zusammenarbeiten.
Wegen der hohen Leistung werden die neuen Flash-Speicher auch als Basiskomponenten in hybrid aufgebauten Festplatten (Hybrid-HDD) eingesetzt und fungieren dort als Pufferspeicher, wie sie das Microsofts Betriebssystem der nächsten Generation, Windows Vista, mit dem Feature ReadyBoost unterstützt und für zukünftige Notebooks sogar zwingend voraussetzt. Anlässlich der WinHEC 2006 hat Samsung in Seattle erstmals einen Hybrid-HDD Prototypen demonstriert.
Weitere Informationen zum Thema NAND, NOR und OneNAND hält die Webseite von Samsung in übersichtlicher und bebildeter Form bereit. Insbesondere die Unterschiede der verschiedenen Logiken lassen sich damit leichter verstehen. So liegt Samsungs OneNAND-Technologie im Vergleich zu NOR in Sachen Kapazität (2 Gbit vs 512 Mbit), Performance (insgesamt schneller) und Chipfläche (1x vs 1,3x) vorne. Kann jedoch mit den bis zu 8 Gbit (und bald 16 Gbit) fassenden NAND-Chips in der Kapazität nicht mithalten.