Samsung : Erste LPDDR3-DRAM-Chips mit 6 Gbit Kapazität

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Samsung: Erste LPDDR3-DRAM-Chips mit 6 Gbit Kapazität

Samsung hat mit der Massenproduktion 6 Gbit großer „LPDDR3 Mobile DRAM“-Chips begonnen, die in einem weiterentwickelten Fertigungsverfahren der 20-nm-Klasse gefertigt werden. Eine genaue Strukturgröße nennt das Unternehmen zwar nicht, verweist aber auf im Vergleich zum bislang genutzten 20-nm-Verfahren kleinere Strukturen.

Diese ermöglichen eine Produktivitätssteigerung um über 30 Prozent. Die maximale Package-Größe beträgt wie bei den vor rund 14 Monaten vorgestellten, 4 Gbit großen LPDDR3-Chips drei Gigabyte. Wofür bislang – wie in Deutschland erstmals beim Samsung Galaxy Note 3 – sechs DRAM-Chips nötig waren, reichen nun vier. Das 3-Gigabyte-Package schrumpft mit den neuen DRAM-Chips um über 20 Prozent und soll etwa zehn Prozent weniger Leistung aufnehmen.

Für den Kunden haben die neuen LPDDR3-Chips mit Datenraten von bis zu 2.133 Mbit/s pro Pin vor allem den Vorteil, dass sie Mobilgeräte mit längeren Akkulaufzeiten ermöglichen und durch die geringeren Stückkosten Geräte mit viel Arbeitsspeicher auch außerhalb des High-End-Marktes Fuß fassen könnten. Die geringere Packagegröße dürfte in Anbetracht immer größerer Geräte – Stichwort Bildschirm – hingegen zweitrangig sein.

Samsung 20 nm 6 Gb LPDDR3
Samsung 20 nm 6 Gb LPDDR3 (Bild: Samsung)