News : DDR3-Speicher mit Timings bis zu CL9

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Versuchen aktuelle DDR2-Speichermodule die Timings wieder weiter nach unten zu schrauben um wenigstens ansatzweise das Niveau der DDR1-Timings von CL3 zu erreichen, geht DDR3 eine komplett andere Richtung – die CAS Latency wird auf bis zu 9 Takte erhöht.

Der erste Speicher des neuen DDR3-SDRAM wird ab Werk mit CL5 ausgeliefert. Dieser wird mit maximal 800 MHz laufen und quasi die Parallelen zu aktuellem, günstigen DDR2-Speicher ziehen, der in diesen Taktregionen zum größten Teil auch eine CAS Latency von 4 bis 5 erreicht. Einige DDR3-800-Module werden jedoch eine CAS von 6 Takten besitzen – die preisgünstigere Variante. Wird die Taktschraube für DDR3 dann auf 1066 MHz angehoben, steigen die Timings auf CL7, bei DDR3-1333 folgt CL8. Die bisher am höchsten klassifizierten Module mit dem Standard DDR3-1600 werden anfangs auf Timings von 9-9-9 setzen.

Positiv an der Entwicklung von DDR3-Speicher ist die weitere Absenkung der Versorgungsspannung auf 1,5 Volt. Im Zuge der Entwicklung wird diese von einigen Herstellern sicherlich wieder etwas angehoben, dadurch aber parallel die Timings leicht verbessert. Eine ähnliche Entwicklung konnte man bei DDR2 SDRAM anfangs auch beobachten. Starteten die Module dort mit 1,8 Volt und relativ schlechten Timings, präsentieren Hersteller aktuell Speicherriegel mit bis zu 2,3 Volt bei deutlich besseren Timings.