Schnellerer Flash-Speicher für Mobilgeräte

Samsung hat einen neuen, 64 Gigabyte großen NAND-Flash-Speicher für Smartphones, Tablets und andere Mobilgeräte vorgestellt. Der eMMC-Baustein wird direkt auf die Platine gelötet und soll eine höhere Leistung bieten als bislang erhältliche Produkte.

Unter der Haube des nur 1,4 Millimeter dicken und 0,6 Gramm leichten Speicherbaustein stecken acht übereinander gestapelte 64-Gigabit-Chips mit Toggle-DDR-2.0-Interface, die Samsung in einem Prozess der 20-Nanometer-Klasse fertigt. Insbesondere die Leistung bei Random Writes sei gegenüber vielen herkömmlichen eMMC-Lösungen mit Speicherchips der 30-Nanometer-Klasse deutlich höher und sei mit 400 IOPS viermal so hoch. Die sequenziellen Transferraten gibt Samsung mit bis zu 80 Megabyte pro Sekunde beim Lesen von Daten und bis zu 40 MB/s beim Schreiben von Daten an. 64 Gigabyte große eMMC-Bausteine gab es zwar auch bisher schon, diese basierten aber noch auf 32 Gigabit großen Speicherchips der 30- und 20-Nanometer-Klasse, was höhere Kosten verursachte.