Samsungs Next-Gen-DRAM: Serienproduktion von 1z-Chips ab dem zweiten Halbjahr 2019

Volker Rißka 20 Kommentare
Samsungs Next-Gen-DRAM: Serienproduktion von 1z-Chips ab dem zweiten Halbjahr 2019
Bild: Samsung

Auf 1x und 1y folgt 1z – dieses „Nanometer-Gesetz“ in der DRAM-Fertigung existiert bereits seit Jahren. Samsung will im zweiten Halbjahr dieses Jahres mit der Produktion beginnen und rühmt sich, dass es nur 16 Monate gedauert hat, um den Schritt von 1y zu 1z zu gehen. Doch Detailfragen bleiben ungeklärt.

Was ist 1z?

Während Logic-Chips bei allen großen Herstellern in klassischen Angaben wie 28 nm, 14 nm und seit jüngerer Zeit auch 10 und 7 nm angegeben werden, wird bei DRAM-Fertigungstechnik anders verfahren. Dort war bis zum vorletzten Jahr die 1x-Fertigungsstufe an der Tagesordnung, sie markiert so etwas wie die erste Lösung in einem Bereich zwischen 10 und 20 nm, in der Regel sind es 18 oder 19 nm. Darauf folgt 1y, wofür es keine feste Definition gibt. Vermutungen legen nahe, dass es im Vergleich zu Logic-Chips ungefähr 15 bis 16 nm sein dürften.

Wofür 1z im Bereich der Nanometer steht, ist ebenso nicht eindeutig. Wie bei 10 nm bei Halbleiterherstellern versteht jeder etwas anderes darunter – es sind primär Marketingbegriffe geworden. Samsung spricht von 20 Prozent erhöhter Produktivität von 1y auf 1z, doch ob es 12 oder 13 nm sind, ist nicht bekannt. Die Einordnung entspricht in etwa: 1x deckt alles zwischen 16 nm und 19 nm ab, 1y zwischen 14 nm und 16 nm und der neue Schritt 1z von 12 nm bis 14 nm.

Samsung erklärt, dass es die Chips weiterhin ohne Nutzung von EUV fertigen kann. Überraschend ist dies nicht, da aktuell erst in den Pilotlinien für Logic-Chips auch EUV genutzt wird, DRAM ist traditionell einige Jahre hinterher.

High-End-Systeme im Fokus

Samsung wird die Produktion im zweiten Halbjahr 2019 hochfahren, klassisch werden zu Beginn 8-GBit-Chips nach Standard DDR4 gefertigt. Zielgruppe sind High-End-PCs und Server, die ab 2020 mit Speichermodulen mit den neuen Chips ausgerüstet werden können. Gleichzeitig soll die Fertigungsstufe auch die Grundlage für weitere DRAM-Technologien sein, sei es DDR5, LPDDR5 oder GDDR6, wo in Zukunft schnellere Chips und höhere Kapazitäten möglich werden.